公开(公告)号：CN104425482A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410407380.0

申请日：2014-08-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 久米一平 ,  鬼沢岳 ,  长谷卓 ,  平尾茂 ,  团野忠敏

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3178 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7849 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置。有时由于作用于硅的III族氮化物半导体的应力使III族氮化物半导体和硅翘曲。一种半导体装置包括：衬底、缓冲层和半导体层。沟槽被形成在所述半导体层的第六面上。所述沟槽穿过所述半导体层和所述缓冲层。所述沟槽的底部至少到达所述衬底的内部。