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公开(公告)号：CN108109927A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711058025.7
申请日：2017-11-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。为了提高半导体器件的可靠性，半导体器件包括半导体芯片、裸片焊盘、多个引线和密封部分。裸片焊盘和引线由主要包含铜的金属材料制成。镀层形成在裸片焊盘的顶表面上。镀层由银镀层、金镀层或铂镀层形成。半导体芯片经由接合材料安装在裸片焊盘的顶表面上的镀层上。镀层被接合材料覆盖以不与密封部分接触。
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公开(公告)号：CN105470245B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201510634371.X
申请日：2015-09-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/495 , H01L21/98
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，目的在于提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有半导体芯片(CP1、CP2)、多个引线、多个导线和将它们进行封固的封固部。半导体芯片(CP1)具有焊盘电极(P1a、P1b)和将焊盘电极(P1a、P1b)之间进行电连接的内部布线(NH)。半导体芯片(CP2)的焊盘电极(P2a)和半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1a)经由导线(BW1)电连接，半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1b)经由导线(BW2)与引线(LD1)电连接。引线(LD1)和半导体芯片(CP1)之间的距离比引线(LD1)和半导体芯片(CP2)之间的距离小。而且，焊盘电极(P1a、P1b)及内部布线(NH)都不与形成在半导体芯片(CP1)内的任意电路电连接。
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公开(公告)号：CN101866901A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010155948.6
申请日：2010-04-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L23/495 , H01L21/4828 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49582 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/484 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/838 , H01L2224/85439 , H01L2224/85455 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/078 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。更具体地，在树脂密封型半导体封装中，为了防止在用于安装半导体芯片的管芯键合材料中产生裂痕。经由管芯键合材料将半导体芯片安装在管芯焊盘的上表面上，而后利用绝缘树脂进行密封。对管芯焊盘将要与绝缘树脂相接触的顶表面进行表面粗糙化，而不对管芯焊盘的底表面以及外引线部分进行表面粗糙化。
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公开(公告)号：CN108109927B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201711058025.7
申请日：2017-11-01
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。为了提高半导体器件的可靠性，半导体器件包括半导体芯片、裸片焊盘、多个引线和密封部分。裸片焊盘和引线由主要包含铜的金属材料制成。镀层形成在裸片焊盘的顶表面上。镀层由银镀层、金镀层或铂镀层形成。半导体芯片经由接合材料安装在裸片焊盘的顶表面上的镀层上。镀层被接合材料覆盖以不与密封部分接触。
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公开(公告)号：CN107305851B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201710267226.1
申请日：2017-04-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本公开涉及半导体器件的制造方法以及半导体器件。在半导体器件的可靠性方面实现改进。在形成树脂密封部分以密封裸片焊盘、安装在裸片焊盘上方的半导体芯片、多条引线和多条线之后，将半导体芯片的多个焊盘电极与引线电连接，利用旋转刀切割树脂密封部分和引线以制造半导体器件。在半导体器件中，从密封部分的下表面露出第一和第二引线的每一条的至少部分。第一和第二引线的作为其对应切割表面的端面从作为树脂密封部分的切割表面的密封部分的每个侧面露出。第一引线的端面的下侧与密封部分的上表面之间的距离小于与其相邻的第二引线的端面的上侧与密封部分的上表面之间的距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105470245A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510634371.X
申请日：2015-09-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/495 , H01L21/98
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，目的在于提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有半导体芯片(CP1、CP2)、多个引线、多个导线和将它们进行封固的封固部。半导体芯片(CP1)具有焊盘电极(P1a、P1b)和将焊盘电极(P1a、P1b)之间进行电连接的内部布线(NH)。半导体芯片(CP2)的焊盘电极(P2a)和半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1a)经由导线(BW1)电连接，半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1b)经由导线(BW2)与引线(LD1)电连接。引线(LD1)和半导体芯片(CP1)之间的距离比引线(LD1)和半导体芯片(CP2)之间的距离小。而且，焊盘电极(P1a、P1b)及内部布线(NH)都不与形成在半导体芯片(CP1)内的任意电路电连接。
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公开(公告)号：CN108364939B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201711444287.7
申请日：2017-12-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 根据本发明，在半导体装置的可靠性方面得到了改进。SIP包括：模拟芯片、具有面积比所述模拟芯片的主表面小的主表面的微计算机芯片、安装模拟芯片和微计算机芯片的芯片垫、以及环绕所述芯片垫布置的多个引线。该SIP还包括：与所述芯片垫一体成型的多个悬挂引线、多个导线、密封体。其中，多个导线将所述模拟芯片的电极与所述引线电连接，并将微计算机芯片与引线电连接。在所述密封体中密封所述模拟芯片和所述微计算机芯片。所述芯片垫的第一弯曲部和第二弯曲部的曲率半径大于芯片垫的第三弯曲部的曲率半径。
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公开(公告)号：CN108364939A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201711444287.7
申请日：2017-12-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/49503 , H01L21/4825 , H01L21/4828 , H01L21/4842 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/4952 , H01L23/49551 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L23/562 , H01L2224/05554 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H02P27/06 , H01L2924/00012 , H01L25/0655 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 根据本发明，在半导体装置的可靠性方面得到了改进。SIP包括：模拟芯片、具有面积比所述模拟芯片的主表面小的主表面的微计算机芯片、安装模拟芯片和微计算机芯片的芯片垫、以及环绕所述芯片垫布置的多个引线。该SIP还包括：与所述芯片垫一体成型的多个悬挂引线、多个导线、密封体。其中，多个导线将所述模拟芯片的电极与所述引线电连接，并将微计算机芯片与引线电连接。在所述密封体中密封所述模拟芯片和所述微计算机芯片。所述芯片垫的第一弯曲部和第二弯曲部的曲率半径大于芯片垫的第三弯曲部的曲率半径。
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公开(公告)号：CN107305851A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201710267226.1
申请日：2017-04-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L21/4828 , H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L23/293 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49548 , H01L23/49551 , H01L23/49582 , H01L24/43 , H01L24/46 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/97 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2924/181
Abstract: 本公开涉及半导体器件的制造方法以及半导体器件。在半导体器件的可靠性方面实现改进。在形成树脂密封部分以密封裸片焊盘、安装在裸片焊盘上方的半导体芯片、多条引线和多条线之后，将半导体芯片的多个焊盘电极与引线电连接，利用旋转刀切割树脂密封部分和引线以制造半导体器件。在半导体器件中，从密封部分的下表面露出第一和第二引线的每一条的至少部分。第一和第二引线的作为其对应切割表面的端面从作为树脂密封部分的切割表面的密封部分的每个侧面露出。第一引线的端面的下侧与密封部分的上表面之间的距离小于与其相邻的第二引线的端面的上侧与密封部分的上表面之间的距离。
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公开(公告)号：CN107078067A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580050915.6
申请日：2015-03-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L23/49513 , H01L21/4825 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/06 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 在树脂密封型的半导体装置中，在导电性的芯片焊盘(DP)上经由具有绝缘性的接合材料(BD2)搭载有半导体芯片(CP2)，并且经由具有导电性的接合材料(BD1)搭载有半导体芯片(CP1)。半导体芯片(CP2)的第1侧面与第2侧面交叉而形成的第1边中的被接合材料(BD2)覆盖的部分的第1长度大于半导体芯片(CP1)的第3侧面与第4侧面交叉而形成的第2边中的被接合材料(BD1)覆盖的部分的第2长度。
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