公开(公告)号：CN105470245A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510634371.X

申请日：2015-09-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 锦泽笃志 ,  团野忠敏 ,  中村弘幸 ,  相马治 ,  上村圣

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/495 ,  H01L21/98

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，目的在于提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有半导体芯片(CP1、CP2)、多个引线、多个导线和将它们进行封固的封固部。半导体芯片(CP1)具有焊盘电极(P1a、P1b)和将焊盘电极(P1a、P1b)之间进行电连接的内部布线(NH)。半导体芯片(CP2)的焊盘电极(P2a)和半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1a)经由导线(BW1)电连接，半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1b)经由导线(BW2)与引线(LD1)电连接。引线(LD1)和半导体芯片(CP1)之间的距离比引线(LD1)和半导体芯片(CP2)之间的距离小。而且，焊盘电极(P1a、P1b)及内部布线(NH)都不与形成在半导体芯片(CP1)内的任意电路电连接。

公开(公告)号：CN110932703B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN201910772178.0

申请日：2019-08-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 吉村直弘 ,  相马治

IPC: H03K17/081 ,  H03K17/687

Abstract: 本申请涉及半导体器件。功率控制器件可靠地断开故障输出晶体管的电流路径。具体地，功率控制器件包括输出晶体管、输出端子、将输出晶体管连接到输出端子的键合导线、控制输出晶体管的输出的输出晶体管驱动电路以及检测输出晶体管的故障的故障检测电路。当故障检测电路检测到输出晶体管的故障并输出故障检测信号时，输出晶体管驱动电路控制输出晶体管的输出，使得与未检测到故障时相比，更大的电流流过键合导线。

公开(公告)号：CN110739955A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910623313.5

申请日：2019-07-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 相马治

IPC: H03K19/003 ,  H03K19/094 ,  H03K19/0944

Abstract: 本公开涉及半导体器件和电子控制装置。提供了一种能够切断从负载到电源的反向电流的半导体器件和电子控制装置。功率晶体管QN1被提供在正电源端子Pi2(+)与负载驱动端子Po2(+)之间，并且具有耦合到正电源端子Pi2(+)的源极和背栅。功率晶体管QN2与功率晶体管QN1被串联提供，并且功率晶体管QN2的源极和背栅耦合到负载驱动端子Po2(+)。升压器CP1a对功率晶体管QN1的栅极充电。当负电源端子Pi2(-)的电位高于正电源端子Pi2(+)的电位时，栅极放电电路DCG1a将功率晶体管QN1的栅极电荷放电到源极。

公开(公告)号：CN110932703A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910772178.0

申请日：2019-08-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 吉村直弘 ,  相马治

IPC: H03K17/081 ,  H03K17/687

Abstract: 本申请涉及半导体器件。功率控制器件可靠地断开故障输出晶体管的电流路径。具体地，功率控制器件包括输出晶体管、输出端子、将输出晶体管连接到输出端子的键合导线、控制输出晶体管的输出的输出晶体管驱动电路以及检测输出晶体管的故障的故障检测电路。当故障检测电路检测到输出晶体管的故障并输出故障检测信号时，输出晶体管驱动电路控制输出晶体管的输出，使得与未检测到故障时相比，更大的电流流过键合导线。

公开(公告)号：CN105470245B

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201510634371.X

申请日：2015-09-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 锦泽笃志 ,  团野忠敏 ,  中村弘幸 ,  相马治 ,  上村圣

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/495 ,  H01L21/98

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，目的在于提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有半导体芯片(CP1、CP2)、多个引线、多个导线和将它们进行封固的封固部。半导体芯片(CP1)具有焊盘电极(P1a、P1b)和将焊盘电极(P1a、P1b)之间进行电连接的内部布线(NH)。半导体芯片(CP2)的焊盘电极(P2a)和半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1a)经由导线(BW1)电连接，半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1b)经由导线(BW2)与引线(LD1)电连接。引线(LD1)和半导体芯片(CP1)之间的距离比引线(LD1)和半导体芯片(CP2)之间的距离小。而且，焊盘电极(P1a、P1b)及内部布线(NH)都不与形成在半导体芯片(CP1)内的任意电路电连接。

公开(公告)号：CN106053929A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610230862.2

申请日：2016-04-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 相马治 ,  上村圣 ,  天田健嗣

IPC: G01R19/25

CPC classification number: G01R19/32 ,  G01R1/203 ,  G01R15/09 ,  G01R19/25

Abstract: 本发明涉及半导体器件的电流检测方法和半导体器件。提供了一种具有高度精确的电流检测功能的半导体器件。使用将两个半导体芯片安装在一个封装中的半导体器件来执行电流检测。第一半导体芯片提供有用于经由负载驱动端子向负载供应电力的电力供应晶体管以及用于检测流过负载驱动端子的电流的电流检测电路。在半导体器件的检查过程中，检查第一半导体芯片中的电流检测电路的电性能，并将作为检查结果获得的修正等式的信息写入第二半导体芯片的存储器电路中。第二半导体芯片基于写入该存储器电路中的修正等式的信息来修正由电流检测电路获得的检测结果。

公开(公告)号：CN205039149U

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201520764929.1

申请日：2015-09-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 锦泽笃志 ,  团野忠敏 ,  中村弘幸 ,  相马治 ,  上村圣

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/49 ,  H01L23/492 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49503 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/585 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件，目的在于提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有半导体芯片(CP1、CP2)、多个引线、多个导线和将它们进行封固的封固部。半导体芯片(CP1)具有焊盘电极(P1a、P1b)和将焊盘电极(P1a、P1b)之间进行电连接的内部布线(NH)。半导体芯片(CP2)的焊盘电极(P2a)和半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1a)经由导线(BW1)电连接，半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1b)经由导线(BW2)与引线(LD1)电连接。引线(LD1)和半导体芯片(CP1)之间的距离比引线(LD1)和半导体芯片(CP2)之间的距离小。而且，焊盘电极(P1a、P1b)及内部布线(NH)都不与形成在半导体芯片(CP1)内的任意电路电连接。