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公开(公告)号：CN108364942B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201810072199.7
申请日：2018-01-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，能够提高半导体器件的性能。半导体器件(PKG)是通过封固部(MR)将包含高压侧开关用的第1场效应晶体管的半导体芯片(CPH)、包含低压侧开关用的第2场效应晶体管的半导体芯片(CPL)、和包含分别控制半导体芯片(CPH、CPL)的电路的半导体芯片(CPC)封固而成的半导体器件。与成为第1场效应晶体管的源极用的半导体芯片(CPH)的焊盘(PDHS1)电连接的引线(LD2)、和与成为第2场效应晶体管的漏极用的半导体芯片(CPL)的背面电极电连接的引线(LD3)配置在俯视观察时的封固部(MR)的同一边上。
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公开(公告)号：CN112768414A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011126718.7
申请日：2020-10-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L25/07
Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体装置。一种半导体装置包括：半导体芯片，该半导体芯片包括用于进行开关的场效应晶体管；裸片焊盘，半导体芯片经由第一键合材料被安装在该裸片焊盘上；引线，该引线通过金属板电连接到用于半导体芯片的源极的焊盘；引线耦合部，与引线一体地形成；以及用于密封它们的密封部。用于半导体芯片的漏极的背表面电极与裸片焊盘经由第一键合材料键合，金属板与用于半导体芯片的源极的焊盘经由第二键合材料键合，并且金属板与所引线耦合部经由第三键合材料键合。第一键合材料、第二键合材料和第三键合材料具有导电性，并且第一键合材料和第二键合材料中的每一项的弹性模量低于第三键合材料的弹性模量。
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公开(公告)号：CN109524390A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811090561.X
申请日：2018-09-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体装置。增强了半导体装置的性能。半导体装置是通过在密封部分中密封各自包括用于高侧开关的功率晶体管的第一、第二和第三半导体芯片，各自包括用于低侧开关的功率晶体管的第四、第五和第六半导体芯片，以及包括控制这些芯片的控制电路的半导体芯片而获得的半导体装置。第四、第五和第六半导体芯片的源极焊盘经由金属板电耦合到多个引线LD9和多个引线LD10。在平面中看时，引线LD9与密封部分的边MRd4相交，并且引线LD10与密封部分的边MRd2相交。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103035602B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201210323243.X
申请日：2012-09-04
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L27/088 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/12036 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种提高了可靠性的半导体器件。开关功率MOSFET以及用于感测在功率MOSFET中流动的电流的感测MOSFET（感测MOSFET的面积小于功率MOSFET的）形成于一个半导体芯片内。半导体芯片经由导电性接合材料安装于芯片安装部之上，并且以树脂来密封。在半导体芯片的主表面之上，金属板与功率MOSFET的源极焊盘电极接合。在平面图中，金属板与感测MOSFET没有形成于其内的感测MOSFET区不重叠。金属板与源极焊盘电极接合，以便包围感测MOSFET区的三个边。
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公开(公告)号：CN105470245A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510634371.X
申请日：2015-09-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/495 , H01L21/98
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，目的在于提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有半导体芯片(CP1、CP2)、多个引线、多个导线和将它们进行封固的封固部。半导体芯片(CP1)具有焊盘电极(P1a、P1b)和将焊盘电极(P1a、P1b)之间进行电连接的内部布线(NH)。半导体芯片(CP2)的焊盘电极(P2a)和半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1a)经由导线(BW1)电连接，半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1b)经由导线(BW2)与引线(LD1)电连接。引线(LD1)和半导体芯片(CP1)之间的距离比引线(LD1)和半导体芯片(CP2)之间的距离小。而且，焊盘电极(P1a、P1b)及内部布线(NH)都不与形成在半导体芯片(CP1)内的任意电路电连接。
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公开(公告)号：CN105470245B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201510634371.X
申请日：2015-09-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/495 , H01L21/98
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，目的在于提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有半导体芯片(CP1、CP2)、多个引线、多个导线和将它们进行封固的封固部。半导体芯片(CP1)具有焊盘电极(P1a、P1b)和将焊盘电极(P1a、P1b)之间进行电连接的内部布线(NH)。半导体芯片(CP2)的焊盘电极(P2a)和半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1a)经由导线(BW1)电连接，半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1b)经由导线(BW2)与引线(LD1)电连接。引线(LD1)和半导体芯片(CP1)之间的距离比引线(LD1)和半导体芯片(CP2)之间的距离小。而且，焊盘电极(P1a、P1b)及内部布线(NH)都不与形成在半导体芯片(CP1)内的任意电路电连接。
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公开(公告)号：CN108364942A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810072199.7
申请日：2018-01-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，能够提高半导体器件的性能。半导体器件(PKG)是通过封固部(MR)将包含高压侧开关用的第1场效应晶体管的半导体芯片(CPH)、包含低压侧开关用的第2场效应晶体管的半导体芯片(CPL)、和包含分别控制半导体芯片(CPH、CPL)的电路的半导体芯片(CPC)封固而成的半导体器件。与成为第1场效应晶体管的源极用的半导体芯片(CPH)的焊盘(PDHS1)电连接的引线(LD2)、和与成为第2场效应晶体管的漏极用的半导体芯片(CPL)的背面电极电连接的引线(LD3)配置在俯视观察时的封固部(MR)的同一边上。
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公开(公告)号：CN101866901A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010155948.6
申请日：2010-04-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L23/495 , H01L21/4828 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49582 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/484 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/838 , H01L2224/85439 , H01L2224/85455 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/078 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。更具体地，在树脂密封型半导体封装中，为了防止在用于安装半导体芯片的管芯键合材料中产生裂痕。经由管芯键合材料将半导体芯片安装在管芯焊盘的上表面上，而后利用绝缘树脂进行密封。对管芯焊盘将要与绝缘树脂相接触的顶表面进行表面粗糙化，而不对管芯焊盘的底表面以及外引线部分进行表面粗糙化。
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