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公开(公告)号：CN101499450B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200910005255.6
申请日：2009-01-20
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/743 , H01L24/84 , H01L2224/04026 , H01L2224/274 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/32506 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/743 , H01L2224/83194 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/83855 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015 , H01L2224/83205 , H01L2924/00012
摘要： 本发明使得介在于半导体芯片和芯片垫部之间的导电性接着剂的接合可靠性提高。硅芯片3A搭载在与漏极引线Ld一体形成的芯片垫部4D上，且在硅芯片3A的主面上形成有源极垫7。硅芯片3A的背面构成一功率MOSFET的漏极，且经由Ag膏5而接合于芯片垫部4D上。源极引线Ls与源极垫7是通过Al带10而电连接。在硅芯片3A的背面上形成有Ag纳米粒子涂膜9A，在芯片垫部4D与引线(漏极引线Ld、源极引线Ls)的表面上形成有Ag纳米粒子涂膜9B。
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公开(公告)号：CN104282646A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410306691.8
申请日：2014-06-30
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L23/564 , H01L21/4825 , H01L21/4828 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/34 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 本发明公开了一种半导体器件，包括第一芯片安装部分、布置在第一芯片安装部分之上的第一半导体芯片、形成在第一半导体芯片的表面中的第一焊盘、用作外部耦合端子的第一引线、将第一焊盘和第一引线电耦合的第一传导构件以及密封体，该密封体密封第一芯片安装部分的一部分、第一半导体芯片、第一引线的一部分和第一传导构件。第一传导构件包括第一板状部分和与第一板状部分一体地形成的第一支撑部分。第一支撑部分的末端从密封体暴露，并且第一支撑部分形成有第一弯曲部分。
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公开(公告)号：CN104051401B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201410095780.2
申请日：2014-03-14
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的解决的一个问题是提高半导体装置的可靠性。具有：管芯焊盘（6）、搭载于管芯焊盘（6）的SiC芯片（1）、对管芯焊盘（6）和SiC芯片（1）进行接合的多孔质的第1烧结Ag层（16）、以及覆盖第1烧结Ag层（16）的表面并且被形成为圆角状的加强树脂部（17）。进而，具有与SiC芯片（1）的源电极（2）电连接的源极引线（9）、与栅电极（3）电连接的栅极引线、与漏电极（4）电连接的漏极引线、以及覆盖SiC芯片（1）、第1烧结Ag层（16）及管芯焊盘（6）的一部分的密封体（14），加强树脂部（17）覆盖SiC芯片（1）的侧面（1c）的一部分。
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公开(公告)号：CN105264659A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201380076866.4
申请日：2013-07-05
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/50
CPC分类号： H01L23/49513 , H01L21/565 , H01L23/13 , H01L23/16 , H01L23/24 , H01L23/3121 , H01L23/3142 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L23/49805 , H01L23/49844 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/743 , H01L24/77 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/743 , H01L2224/83192 , H01L2224/83439 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/84205 , H01L2224/84439 , H01L2224/8501 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2224/85439 , H01L2224/92157 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/1301 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 一种实施方式的半导体装置是用树脂密封了在芯片搭载部上搭载了的半导体芯片的半导体装置，其中，在沿着第1方向的上述半导体芯片的边缘部与上述芯片搭载部的边缘部之间的芯片搭载面侧，固定了第1部件。另外，上述第1部件被上述树脂密封。另外，在俯视时，上述第1方向上的上述芯片搭载部的上述第1部分的长度比上述第1方向上的上述半导体芯片的长度更长。
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公开(公告)号：CN102768965A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210214671.9
申请日：2009-01-20
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L23/29
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/743 , H01L24/84 , H01L2224/04026 , H01L2224/274 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/32506 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/743 , H01L2224/83194 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/83855 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015 , H01L2224/83205 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明使得介于半导体芯片和芯片垫部之间的导电性接着剂的接合可靠性提高。硅芯片3A搭载在与漏极引线Ld一体形成的芯片垫部4D上，且在硅芯片3A的主面上形成有源极垫7。硅芯片3A的背面构成一功率MOSFET的漏极，且经由Ag膏5而接合于芯片垫部4D上。源极引线Ls与源极垫7是通过Al带10而电连接。在硅芯片3A的背面上形成有Ag纳米粒子涂膜9A，在芯片垫部4D与引线(漏极引线Ld、源极引线Ls)的表面上形成有Ag纳米粒子涂膜9B。
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公开(公告)号：CN112768414A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011126718.7
申请日：2020-10-20
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/495 , H01L25/07
摘要： 本公开的各实施例涉及半导体装置。一种半导体装置包括：半导体芯片，该半导体芯片包括用于进行开关的场效应晶体管；裸片焊盘，半导体芯片经由第一键合材料被安装在该裸片焊盘上；引线，该引线通过金属板电连接到用于半导体芯片的源极的焊盘；引线耦合部，与引线一体地形成；以及用于密封它们的密封部。用于半导体芯片的漏极的背表面电极与裸片焊盘经由第一键合材料键合，金属板与用于半导体芯片的源极的焊盘经由第二键合材料键合，并且金属板与所引线耦合部经由第三键合材料键合。第一键合材料、第二键合材料和第三键合材料具有导电性，并且第一键合材料和第二键合材料中的每一项的弹性模量低于第三键合材料的弹性模量。
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公开(公告)号：CN104282646B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201410306691.8
申请日：2014-06-30
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L23/564 , H01L21/4825 , H01L21/4828 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/34 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 本发明公开了一种半导体器件，包括第一芯片安装部分、布置在第一芯片安装部分之上的第一半导体芯片、形成在第一半导体芯片的表面中的第一焊盘、用作外部耦合端子的第一引线、将第一焊盘和第一引线电耦合的第一传导构件以及密封体，该密封体密封第一芯片安装部分的一部分、第一半导体芯片、第一引线的一部分和第一传导构件。第一传导构件包括第一板状部分和与第一板状部分一体地形成的第一支撑部分。第一支撑部分的末端从密封体暴露，并且第一支撑部分形成有第一弯曲部分。
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公开(公告)号：CN102768965B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210214671.9
申请日：2009-01-20
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L23/29
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/743 , H01L24/84 , H01L2224/04026 , H01L2224/274 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/32506 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/743 , H01L2224/83194 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/83855 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015 , H01L2224/83205 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明使得介于半导体芯片和芯片垫部之间的导电性接着剂的接合可靠性提高。硅芯片3A搭载在与漏极引线Ld一体形成的芯片垫部4D上，且在硅芯片3A的主面上形成有源极垫7。硅芯片3A的背面构成一功率MOSFET的漏极，且经由Ag膏5而接合于芯片垫部4D上。源极引线Ls与源极垫7是通过Al带10而电连接。在硅芯片3A的背面上形成有Ag纳米粒子涂膜9A，在芯片垫部4D与引线(漏极引线Ld、源极引线Ls)的表面上形成有Ag纳米粒子涂膜9B。
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公开(公告)号：CN105264659B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201380076866.4
申请日：2013-07-05
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/50
CPC分类号： H01L23/49513 , H01L21/565 , H01L23/13 , H01L23/16 , H01L23/24 , H01L23/3121 , H01L23/3142 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L23/49805 , H01L23/49844 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/743 , H01L24/77 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/743 , H01L2224/83192 , H01L2224/83439 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/84205 , H01L2224/84439 , H01L2224/8501 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2224/85439 , H01L2224/92157 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/1301 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 一种实施方式的半导体装置是用树脂密封了在芯片搭载部上搭载了的半导体芯片的半导体装置，其中，在沿着第1方向的上述半导体芯片的边缘部与上述芯片搭载部的边缘部之间的芯片搭载面侧，固定了第1部件。另外，上述第1部件被上述树脂密封。另外，在俯视时，上述第1方向上的上述芯片搭载部的上述第1部分的长度比上述第1方向上的上述半导体芯片的长度更长。
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公开(公告)号：CN107078067A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580050915.6
申请日：2015-03-30
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H01L23/49513 , H01L21/4825 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L24/06 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 在树脂密封型的半导体装置中，在导电性的芯片焊盘(DP)上经由具有绝缘性的接合材料(BD2)搭载有半导体芯片(CP2)，并且经由具有导电性的接合材料(BD1)搭载有半导体芯片(CP1)。半导体芯片(CP2)的第1侧面与第2侧面交叉而形成的第1边中的被接合材料(BD2)覆盖的部分的第1长度大于半导体芯片(CP1)的第3侧面与第4侧面交叉而形成的第2边中的被接合材料(BD1)覆盖的部分的第2长度。
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