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公开(公告)号：CN101866901B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201010155948.6
申请日：2010-04-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L23/495 , H01L21/4828 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49582 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/484 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/838 , H01L2224/85439 , H01L2224/85455 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/078 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。更具体地，在树脂密封型半导体封装中，为了防止在用于安装半导体芯片的管芯键合材料中产生裂痕。经由管芯键合材料将半导体芯片安装在管芯焊盘的上表面上，而后利用绝缘树脂进行密封。对管芯焊盘将要与绝缘树脂相接触的顶表面进行表面粗糙化，而不对管芯焊盘的底表面以及外引线部分进行表面粗糙化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104282646B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201410306691.8
申请日：2014-06-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/564 , H01L21/4825 , H01L21/4828 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/34 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括第一芯片安装部分、布置在第一芯片安装部分之上的第一半导体芯片、形成在第一半导体芯片的表面中的第一焊盘、用作外部耦合端子的第一引线、将第一焊盘和第一引线电耦合的第一传导构件以及密封体，该密封体密封第一芯片安装部分的一部分、第一半导体芯片、第一引线的一部分和第一传导构件。第一传导构件包括第一板状部分和与第一板状部分一体地形成的第一支撑部分。第一支撑部分的末端从密封体暴露，并且第一支撑部分形成有第一弯曲部分。
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公开(公告)号：CN102856309B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210229641.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/522 , H02M3/155
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L23/4824 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H02M3/1588 , H02M2001/0009 , Y02B70/1466 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种提高半导体器件可靠性的方法。在一个半导体芯片(CPH)内形成有开关用功率MOSFET、以及用于侦测流经所述功率MOSFET的电流且面积比所述功率MOSFET小的感应MOSFET，而且，所述半导体芯片(CPH)经由导电性接合材料搭载于芯片搭载部上，且被树脂封装。其中，在半导体芯片(CPH)的主表面上，形成有感应MOSFET的感应MOSFET区域(RG2)位于感应MOSFET的源极用焊盘(PDHS4)的内侧。而且，在半导体芯片(CPH)的主表面上，感应MOSFET区域(RG2)由形成有功率MOSFET的区域所包围。
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公开(公告)号：CN101866901A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010155948.6
申请日：2010-04-08
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L23/495 , H01L21/4828 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49582 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/484 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/838 , H01L2224/85439 , H01L2224/85455 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/078 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。更具体地，在树脂密封型半导体封装中，为了防止在用于安装半导体芯片的管芯键合材料中产生裂痕。经由管芯键合材料将半导体芯片安装在管芯焊盘的上表面上，而后利用绝缘树脂进行密封。对管芯焊盘将要与绝缘树脂相接触的顶表面进行表面粗糙化，而不对管芯焊盘的底表面以及外引线部分进行表面粗糙化。
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公开(公告)号：CN104282646A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410306691.8
申请日：2014-06-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/564 , H01L21/4825 , H01L21/4828 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/34 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/97 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括第一芯片安装部分、布置在第一芯片安装部分之上的第一半导体芯片、形成在第一半导体芯片的表面中的第一焊盘、用作外部耦合端子的第一引线、将第一焊盘和第一引线电耦合的第一传导构件以及密封体，该密封体密封第一芯片安装部分的一部分、第一半导体芯片、第一引线的一部分和第一传导构件。第一传导构件包括第一板状部分和与第一板状部分一体地形成的第一支撑部分。第一支撑部分的末端从密封体暴露，并且第一支撑部分形成有第一弯曲部分。
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公开(公告)号：CN102856309A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210229641.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/522 , H02M3/155
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L23/4824 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H02M3/1588 , H02M2001/0009 , Y02B70/1466 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种提高半导体器件可靠性的方法。在一个半导体芯片(CPH)内形成有开关用功率MOSFET、以及用于侦测流经所述功率MOSFET的电流且面积比所述功率MOSFET小的感应MOSFET，而且，所述半导体芯片(CPH)经由导电性接合材料搭载于芯片搭载部上，且被树脂封装。其中，在半导体芯片(CPH)的主表面上，形成有感应MOSFET的感应MOSFET区域(RG2)位于感应MOSFET的源极用焊盘(PDHS4)的内侧。而且，在半导体芯片(CPH)的主表面上，感应MOSFET区域(RG2)由形成有功率MOSFET的区域所包围。
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