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公开(公告)号：CN102856309B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210229641.5
申请日：2012-06-29
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/522 , H02M3/155
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L23/4824 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H02M3/1588 , H02M2001/0009 , Y02B70/1466 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明公开了一种提高半导体器件可靠性的方法。在一个半导体芯片(CPH)内形成有开关用功率MOSFET、以及用于侦测流经所述功率MOSFET的电流且面积比所述功率MOSFET小的感应MOSFET，而且，所述半导体芯片(CPH)经由导电性接合材料搭载于芯片搭载部上，且被树脂封装。其中，在半导体芯片(CPH)的主表面上，形成有感应MOSFET的感应MOSFET区域(RG2)位于感应MOSFET的源极用焊盘(PDHS4)的内侧。而且，在半导体芯片(CPH)的主表面上，感应MOSFET区域(RG2)由形成有功率MOSFET的区域所包围。
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公开(公告)号：CN102867792A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210237984.6
申请日：2012-07-04
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H01L23/49513 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3142 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L23/562 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L2224/32245 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 半导体器件的可靠度的恶化被抑制。半导体器件具有包括顶部表面、底部表面和多个侧表面的小平台。小平台的每个侧表面具有接续到小平台的底部表面的第一部分、位于第一部分以外并且接续到小平台的顶部表面的第二部分、以及位于第二部分以外并且接续到小平台的顶部表面以面向与第一部分和第二部分中的每个相同的方向的第三部分。在平面图上，半导体芯片的外部边缘位于小平台的第三部分与第二部分之间，而固定半导体芯片到小平台的粘接材料的外部边缘位于半导体芯片与第二部分之间。
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公开(公告)号：CN104659026B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201410674471.0
申请日：2014-11-21
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/522
摘要： 本发明提供了一种性能改进的半导体器件。半导体衬底形成有单位MISFET元件。单位MISFET元件的各个源极区域经由第一源极互连线和第二源极互连线彼此电耦合。单位MISFET元件的各个栅电极经由第一栅极互连线彼此电耦合且经由第一栅极互连线电耦合至与第二源极互连线位于同一层中的第二栅极互连线。单位MISFET元件的各个漏极区域经由嵌入半导体衬底的沟槽中的导电插塞电耦合至背面电极。第一源极互连线和第一栅极互连线的每一条的厚度均小于第二源极互连线的厚度。在插塞之上，第一栅极互连线延伸。
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公开(公告)号：CN104969356B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201480001579.1
申请日：2014-01-31
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L29/78
摘要： 在形成于半导体衬底(SUB)中的槽(TR1)内的下部形成有控制电极(GE1)，在槽(TR1)内的上部形成有栅极电极(GE2)。在槽(TR1)的侧壁及底面与控制电极(GE1)之间形成有绝缘膜(G1)，在槽(TR1)的侧壁与栅极电极(GE2)之间形成有绝缘膜(G2)，在控制电极(GE1)与栅极电极(GE2)之间形成有绝缘膜(G3)。在与槽(TR1)邻接的区域中有源极用的n+型半导体区域(NR)、沟道形成用的p型半导体区域(PR)和漏极用的半导体区域。连接于控制电极(GE1)的布线不与连接于栅极电极(GE2)的布线相连，且不会与连接于源极用的n+型半导体区域(NR)的布线相连。
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公开(公告)号：CN102867792B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210237984.6
申请日：2012-07-04
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H01L23/49513 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3142 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L23/562 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L2224/32245 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 半导体器件的可靠度的恶化被抑制。半导体器件具有包括顶部表面、底部表面和多个侧表面的小平台。小平台的每个侧表面具有接续到小平台的底部表面的第一部分、位于第一部分以外并且接续到小平台的顶部表面的第二部分、以及位于第二部分以外并且接续到小平台的顶部表面以面向与第一部分和第二部分中的每个相同的方向的第三部分。在平面图上，半导体芯片的外部边缘位于小平台的第三部分与第二部分之间，而固定半导体芯片到小平台的粘接材料的外部边缘位于半导体芯片与第二部分之间。
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公开(公告)号：CN104659026A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410674471.0
申请日：2014-11-21
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/522
CPC分类号： H01L29/0696 , H01L23/4824 , H01L23/49524 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/528 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L27/088 , H01L29/0878 , H01L29/402 , H01L29/41741 , H01L29/4175 , H01L29/4238 , H01L29/665 , H01L29/66659 , H01L29/66689 , H01L29/7809 , H01L29/7813 , H01L29/7816 , H01L29/7835 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/92247 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供了一种性能改进的半导体器件。半导体衬底形成有单位MISFET元件。单位MISFET元件的各个源极区域经由第一源极互连线和第二源极互连线彼此电耦合。单位MISFET元件的各个栅电极经由第一栅极互连线彼此电耦合且经由第一栅极互连线电耦合至与第二源极互连线位于同一层中的第二栅极互连线。单位MISFET元件的各个漏极区域经由嵌入半导体衬底的沟槽中的导电插塞电耦合至背面电极。第一源极互连线和第一栅极互连线的每一条的厚度均小于第二源极互连线的厚度。在插塞之上，第一栅极互连线延伸。
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公开(公告)号：CN102856309A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210229641.5
申请日：2012-06-29
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/522 , H02M3/155
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L23/4824 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H02M3/1588 , H02M2001/0009 , Y02B70/1466 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明公开了一种提高半导体器件可靠性的方法。在一个半导体芯片(CPH)内形成有开关用功率MOSFET、以及用于侦测流经所述功率MOSFET的电流且面积比所述功率MOSFET小的感应MOSFET，而且，所述半导体芯片(CPH)经由导电性接合材料搭载于芯片搭载部上，且被树脂封装。其中，在半导体芯片(CPH)的主表面上，形成有感应MOSFET的感应MOSFET区域(RG2)位于感应MOSFET的源极用焊盘(PDHS4)的内侧。而且，在半导体芯片(CPH)的主表面上，感应MOSFET区域(RG2)由形成有功率MOSFET的区域所包围。
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公开(公告)号：CN102956619B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210308191.9
申请日：2012-08-24
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/544 , H01L25/07 , H02M1/08
CPC分类号： H01L27/088 , H01L21/823487 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L25/074 , H01L25/16 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/3754 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H02M1/32 , H02M3/156 , H02M2001/0009 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明的实施例涉及半导体器件。在可靠性上改进一种半导体器件。在一个半导体芯片中形成用于切换的功率MOSFET以及面积比功率MOSFET更小的、用于感测功率MOSFET中流动的电流的感测MOSFET。在芯片装配部分之上装配并且在树脂中密封半导体芯片。金属板键合到用于输出功率MOSFET中流动的电流的第一源极焊盘和第二源极焊盘。用于感测功率MOSFET的源极电压的第三源极焊盘在未与金属板重叠的位置。在形成第三焊盘的源极接线与形成第一焊盘和第二焊盘的另一源极接线之间的耦合部分在与金属板重叠的位置。
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公开(公告)号：CN104969356A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480001579.1
申请日：2014-01-31
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L23/535 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/0882 , H01L29/1033 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/29101 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/32225
摘要： 在形成于半导体衬底(SUB)中的槽(TR1)内的下部形成有控制电极(GE1)，在槽(TR1)内的上部形成有栅极电极(GE2)。在槽(TR1)的侧壁及底面与控制电极(GE1)之间形成有绝缘膜(G1)，在槽(TR1)的侧壁与栅极电极(GE2)之间形成有绝缘膜(G2)，在控制电极(GE1)与栅极电极(GE2)之间形成有绝缘膜(G3)。在与槽(TR1)邻接的区域中有源极用的n+型半导体区域(NR)、沟道形成用的p型半导体区域(PR)和漏极用的半导体区域。连接于控制电极(GE1)的布线不与连接于栅极电极(GE2)的布线相连，且不会与连接于源极用的n+型半导体区域(NR)的布线相连。
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公开(公告)号：CN102956619A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210308191.9
申请日：2012-08-24
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/544 , H01L25/07 , H02M1/08
CPC分类号： H01L27/088 , H01L21/823487 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L25/074 , H01L25/16 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/3754 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H02M1/32 , H02M3/156 , H02M2001/0009 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本发明的实施例涉及半导体器件。在可靠性上改进一种半导体器件。在一个半导体芯片中形成用于切换的功率MOSFET以及面积比功率MOSFET更小的、用于感测功率MOSFET中流动的电流的感测MOSFET。在芯片装配部分之上装配并且在树脂中密封半导体芯片。金属板键合到用于输出功率MOSFET中流动的电流的第一源极焊盘和第二源极焊盘。用于感测功率MOSFET的源极电压的第三源极焊盘在未与金属板重叠的位置。在形成第三焊盘的源极接线与形成第一焊盘和第二焊盘的另一源极接线之间的耦合部分在与金属板重叠的位置。
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