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公开(公告)号：CN102447388B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201110305102.0
申请日：2011-09-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H02M3/158 , G06F1/26 , H02M3/1584 , H02M2003/1586
Abstract: 本发明涉及电源装置。可以实现多相型电源装置的微型化。电源控制单元、多个装有PWM的驱动单元、以及多个电感器配置多相电源，在电源控制单元中，例如，微控制器单元、存储器单元和模拟控制器单元形成在单个芯片上。微控制器单元将每一个都具有基于存储器单元上的程序定义的频率和相位的时钟信号和相位输出到各个装有PWM的驱动电路。模拟控制器单元检测负载的电压值与经由串行接口获得的目标电压值之间的差值，并从串行接口输出误差放大信号。通过使用时钟信号和误差放大信号的峰值电流控制体系，装有PWM驱动单元的每一个驱动每一个电感器。
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公开(公告)号：CN1925291B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200610126186.0
申请日：2006-08-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H03K17/6871 , H02M3/1588 , H02M2001/0032 , H02M2001/0048 , H03K17/165 , Y02B70/1466 , Y02B70/1491 , Y02B70/16
Abstract: 提供了一种获得效率改善的开关电源装置和半导体集成电路。电容器被设置在产生输出电压的电感器的输出侧与地电位之间。第一开关元件将来自输入电压的电流提供到电感器的输入侧，而当第一开关元件断开时被导通的第二开关元件，将电感器的输入侧设定到规定的电位。当负载电路处于小负载状态以及第二开关元件断开时，控制电路检测电感器输入侧上的电压达到对应于输入电压的高电压，并导通第一开关元件。当负载电路处于大负载状态时，控制电路使电压检测电路的检测输出无效，并在第二开关元件被断开之后，导通第一开关元件。
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公开(公告)号：CN102856309A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210229641.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/522 , H02M3/155
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L23/4824 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H02M3/1588 , H02M2001/0009 , Y02B70/1466 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种提高半导体器件可靠性的方法。在一个半导体芯片(CPH)内形成有开关用功率MOSFET、以及用于侦测流经所述功率MOSFET的电流且面积比所述功率MOSFET小的感应MOSFET，而且，所述半导体芯片(CPH)经由导电性接合材料搭载于芯片搭载部上，且被树脂封装。其中，在半导体芯片(CPH)的主表面上，形成有感应MOSFET的感应MOSFET区域(RG2)位于感应MOSFET的源极用焊盘(PDHS4)的内侧。而且，在半导体芯片(CPH)的主表面上，感应MOSFET区域(RG2)由形成有功率MOSFET的区域所包围。
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公开(公告)号：CN1914787B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200580003514.1
申请日：2005-01-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H02M3/155 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/088 , H03K17/687
CPC classification number: H02M3/1588 , G05F1/44 , H02M7/538 , H03F3/217 , H03F2200/351 , H03F2200/78 , H03K17/063 , H03K17/687 , Y02B70/1466
Abstract: 本发明提供一种开关式电源和半导体集成电路，即使当电源电压VDD为低电压时，其也能够获得高电位侧开关元件M1的足够的驱动电压。在控制电流通过开关元件流入感应器的开关式电源中，开关元件响应PWM信号执行开关操作，并通过与感应器串联提供的电容器形成输出电压，在开关元件的输出节点与预定电压端之间提供由自举电容和MOSFET构成的升压器电路，升高的电压用作开关元件的驱动电路的工作电压，源极和漏极区域中的另一个与衬底栅极彼此连接，使得在MOSFET呈OFF状态时，在源极和漏极区域之一与衬底栅极之间的结型二极管相对于由自举电容形成的升高电压被反向定向。
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公开(公告)号：CN102956619B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210308191.9
申请日：2012-08-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L25/07 , H02M1/08
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/823487 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L25/074 , H01L25/16 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/3754 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H02M1/32 , H02M3/156 , H02M2001/0009 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件。在可靠性上改进一种半导体器件。在一个半导体芯片中形成用于切换的功率MOSFET以及面积比功率MOSFET更小的、用于感测功率MOSFET中流动的电流的感测MOSFET。在芯片装配部分之上装配并且在树脂中密封半导体芯片。金属板键合到用于输出功率MOSFET中流动的电流的第一源极焊盘和第二源极焊盘。用于感测功率MOSFET的源极电压的第三源极焊盘在未与金属板重叠的位置。在形成第三焊盘的源极接线与形成第一焊盘和第二焊盘的另一源极接线之间的耦合部分在与金属板重叠的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102055329B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201010533942.8
申请日：2010-10-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 工藤良太郎
CPC classification number: H02M3/158 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H02M3/1584 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及半导体器件和电源器件。使用多相系统实现电源器件的小型化。电源器件包括例如公共控制单元、多个装备有PWM的驱动单元以及多个电感器。公共控制单元向装备有PWM的驱动单元输出相位分别不同的时钟信号。时钟信号的电压状态可分别单独控制。例如，能够使时钟信号为高阻抗状态。在这种情况中，装备有PWM的驱动单元检测到该高阻抗状态并停止其自己的操作。因而可以在不使用另一使能信号等的情况下任意地设定多相中的相数。
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公开(公告)号：CN103580478A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310321385.7
申请日：2013-07-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H02M3/156
CPC classification number: H02M3/156 , G06F1/26 , H02M3/1584 , H02M2001/0019
Abstract: 本发明公开了电压调节器、半导体器件和数据处理系统。为了减小电压调节器中输出电压相对于负载电流的特性的变化，本电压调节器具有电压转换器电路和控制单元。控制单元控制电压转换器电路，使得当电压调节器处于无负载情况时输出电压变成目标电压，以及控制电压转换器电路，以便具有输出电压随着负载电流的增大而减小的转变特性。此外，控制单元进行第一校正处理，用于计算当电压调节器的负载情况为第一负载情况时输出电压的测量值及其理想值之间的偏差量，并通过输出电压调节单元来校正目标电压，使得偏差变小，还进行第二校正处理，用于计算输出电压相对于负载电流的变化率的测量值及其理想值之间的偏差量，并校正转变特性，使得偏差变小。
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公开(公告)号：CN102956619A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210308191.9
申请日：2012-08-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L25/07 , H02M1/08
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/823487 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L25/074 , H01L25/16 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/3754 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H02M1/32 , H02M3/156 , H02M2001/0009 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件。在可靠性上改进一种半导体器件。在一个半导体芯片中形成用于切换的功率MOSFET以及面积比功率MOSFET更小的、用于感测功率MOSFET中流动的电流的感测MOSFET。在芯片装配部分之上装配并且在树脂中密封半导体芯片。金属板键合到用于输出功率MOSFET中流动的电流的第一源极焊盘和第二源极焊盘。用于感测功率MOSFET的源极电压的第三源极焊盘在未与金属板重叠的位置。在形成第三焊盘的源极接线与形成第一焊盘和第二焊盘的另一源极接线之间的耦合部分在与金属板重叠的位置。
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公开(公告)号：CN105680691A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610011596.4
申请日：2011-09-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H02M3/158 , G06F1/26 , H02M3/1584 , H02M2003/1586 , H02M3/157
Abstract: 本发明涉及电源装置。可以实现多相型电源装置的微型化。电源控制单元、多个装有PWM的驱动单元、以及多个电感器配置多相电源，在电源控制单元中，例如，微控制器单元、存储器单元和模拟控制器单元形成在单个芯片上。微控制器单元将每一个都具有基于存储器单元上的程序定义的频率和相位的时钟信号和相位输出到各个装有PWM的驱动电路。模拟控制器单元检测负载的电压值与经由串行接口获得的目标电压值之间的差值，并从串行接口输出误差放大信号。通过使用时钟信号和误差放大信号的峰值电流控制体系，装有PWM驱动单元的每一个驱动每一个电感器。
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公开(公告)号：CN101527509B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN200910007969.0
申请日：2009-03-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H02M3/1584 , Y10S323/901
Abstract: 本发明公开了一种电源装置。例如，多个半导体器件DEV[1]～DEV[n]中的每一个分别具有触发输入端子TRG_IN、触发输出端子TRG_OUT及将从TRG_IN输入的脉冲信号延迟并向TRG_OUT输出的定时器电路TM。DEV[1]～DEV[n]通过本身的TRG_IN与本身之外的一个半导体器件的TRG_OUT连接，相互成环状连接。DEV[1]～DEV[n]各自分别以来自TRG_IN的脉冲信号为起点并进行开关动作，并使电流流向与本身对应的电感器L。另外，通过将开始触发端子ST设定为地电压GND，DEV[1]在启动时仅生成一次所述的脉冲信号。
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