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公开(公告)号：CN102447388B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201110305102.0
申请日：2011-09-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H02M3/158 , G06F1/26 , H02M3/1584 , H02M2003/1586
Abstract: 本发明涉及电源装置。可以实现多相型电源装置的微型化。电源控制单元、多个装有PWM的驱动单元、以及多个电感器配置多相电源，在电源控制单元中，例如，微控制器单元、存储器单元和模拟控制器单元形成在单个芯片上。微控制器单元将每一个都具有基于存储器单元上的程序定义的频率和相位的时钟信号和相位输出到各个装有PWM的驱动电路。模拟控制器单元检测负载的电压值与经由串行接口获得的目标电压值之间的差值，并从串行接口输出误差放大信号。通过使用时钟信号和误差放大信号的峰值电流控制体系，装有PWM驱动单元的每一个驱动每一个电感器。
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公开(公告)号：CN105680691A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610011596.4
申请日：2011-09-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H02M3/158 , G06F1/26 , H02M3/1584 , H02M2003/1586 , H02M3/157
Abstract: 本发明涉及电源装置。可以实现多相型电源装置的微型化。电源控制单元、多个装有PWM的驱动单元、以及多个电感器配置多相电源，在电源控制单元中，例如，微控制器单元、存储器单元和模拟控制器单元形成在单个芯片上。微控制器单元将每一个都具有基于存储器单元上的程序定义的频率和相位的时钟信号和相位输出到各个装有PWM的驱动电路。模拟控制器单元检测负载的电压值与经由串行接口获得的目标电压值之间的差值，并从串行接口输出误差放大信号。通过使用时钟信号和误差放大信号的峰值电流控制体系，装有PWM驱动单元的每一个驱动每一个电感器。
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公开(公告)号：CN102856309B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210229641.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/522 , H02M3/155
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L23/4824 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H02M3/1588 , H02M2001/0009 , Y02B70/1466 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种提高半导体器件可靠性的方法。在一个半导体芯片(CPH)内形成有开关用功率MOSFET、以及用于侦测流经所述功率MOSFET的电流且面积比所述功率MOSFET小的感应MOSFET，而且，所述半导体芯片(CPH)经由导电性接合材料搭载于芯片搭载部上，且被树脂封装。其中，在半导体芯片(CPH)的主表面上，形成有感应MOSFET的感应MOSFET区域(RG2)位于感应MOSFET的源极用焊盘(PDHS4)的内侧。而且，在半导体芯片(CPH)的主表面上，感应MOSFET区域(RG2)由形成有功率MOSFET的区域所包围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102447388A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110305102.0
申请日：2011-09-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H02M3/158 , G06F1/26 , H02M3/1584 , H02M2003/1586
Abstract: 本发明涉及电源装置。可以实现多相型电源装置的微型化。电源控制单元、多个装有PWM的驱动单元、以及多个电感器配置多相电源，在电源控制单元中，例如，微控制器单元、存储器单元和模拟控制器单元形成在单个芯片上。微控制器单元将每一个都具有基于存储器单元上的程序定义的频率和相位的时钟信号和相位输出到各个装有PWM的驱动电路。模拟控制器单元检测负载的电压值与经由串行接口获得的目标电压值之间的差值，并从串行接口输出误差放大信号。通过使用时钟信号和误差放大信号的峰值电流控制体系，装有PWM驱动单元的每一个驱动每一个电感器。
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公开(公告)号：CN102856309A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210229641.5
申请日：2012-06-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/522 , H02M3/155
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L23/4824 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H02M3/1588 , H02M2001/0009 , Y02B70/1466 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种提高半导体器件可靠性的方法。在一个半导体芯片(CPH)内形成有开关用功率MOSFET、以及用于侦测流经所述功率MOSFET的电流且面积比所述功率MOSFET小的感应MOSFET，而且，所述半导体芯片(CPH)经由导电性接合材料搭载于芯片搭载部上，且被树脂封装。其中，在半导体芯片(CPH)的主表面上，形成有感应MOSFET的感应MOSFET区域(RG2)位于感应MOSFET的源极用焊盘(PDHS4)的内侧。而且，在半导体芯片(CPH)的主表面上，感应MOSFET区域(RG2)由形成有功率MOSFET的区域所包围。
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公开(公告)号：CN102956619B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210308191.9
申请日：2012-08-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L25/07 , H02M1/08
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/823487 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L25/074 , H01L25/16 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/3754 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H02M1/32 , H02M3/156 , H02M2001/0009 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件。在可靠性上改进一种半导体器件。在一个半导体芯片中形成用于切换的功率MOSFET以及面积比功率MOSFET更小的、用于感测功率MOSFET中流动的电流的感测MOSFET。在芯片装配部分之上装配并且在树脂中密封半导体芯片。金属板键合到用于输出功率MOSFET中流动的电流的第一源极焊盘和第二源极焊盘。用于感测功率MOSFET的源极电压的第三源极焊盘在未与金属板重叠的位置。在形成第三焊盘的源极接线与形成第一焊盘和第二焊盘的另一源极接线之间的耦合部分在与金属板重叠的位置。
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公开(公告)号：CN103580478A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310321385.7
申请日：2013-07-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H02M3/156
CPC classification number: H02M3/156 , G06F1/26 , H02M3/1584 , H02M2001/0019
Abstract: 本发明公开了电压调节器、半导体器件和数据处理系统。为了减小电压调节器中输出电压相对于负载电流的特性的变化，本电压调节器具有电压转换器电路和控制单元。控制单元控制电压转换器电路，使得当电压调节器处于无负载情况时输出电压变成目标电压，以及控制电压转换器电路，以便具有输出电压随着负载电流的增大而减小的转变特性。此外，控制单元进行第一校正处理，用于计算当电压调节器的负载情况为第一负载情况时输出电压的测量值及其理想值之间的偏差量，并通过输出电压调节单元来校正目标电压，使得偏差变小，还进行第二校正处理，用于计算输出电压相对于负载电流的变化率的测量值及其理想值之间的偏差量，并校正转变特性，使得偏差变小。
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公开(公告)号：CN102956619A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210308191.9
申请日：2012-08-24
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L25/07 , H02M1/08
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/823487 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L25/074 , H01L25/16 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/3754 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H02M1/32 , H02M3/156 , H02M2001/0009 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件。在可靠性上改进一种半导体器件。在一个半导体芯片中形成用于切换的功率MOSFET以及面积比功率MOSFET更小的、用于感测功率MOSFET中流动的电流的感测MOSFET。在芯片装配部分之上装配并且在树脂中密封半导体芯片。金属板键合到用于输出功率MOSFET中流动的电流的第一源极焊盘和第二源极焊盘。用于感测功率MOSFET的源极电压的第三源极焊盘在未与金属板重叠的位置。在形成第三焊盘的源极接线与形成第一焊盘和第二焊盘的另一源极接线之间的耦合部分在与金属板重叠的位置。
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