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公开(公告)号:CN101572483B
公开(公告)日:2011-04-13
申请号:CN200910140937.8
申请日:2005-01-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H02M3/155 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/088 , H03K17/687
CPC classification number: H02M3/1588 , G05F1/44 , H02M7/538 , H03F3/217 , H03F2200/351 , H03F2200/78 , H03K17/063 , H03K17/687 , Y02B70/1466
Abstract: 本发明提供一种开关式电源和半导体集成电路,即使当电源电压VDD为低电压时,其也能够获得高电位侧开关元件M1的足够的驱动电压。在控制电流通过开关元件流入电感器的开关式电源中,开关元件响应PWM信号执行开关操作,并通过与电感器串联提供的电容器形成输出电压,在开关元件的输出节点与预定电压端之间提供由自举电容和MOSFET构成的升压器电路,升高的电压用作开关元件的驱动电路的工作电压,源极和漏极区域中的另一个与衬底栅极彼此连接,使得在MOSFET呈OFF状态时,在源极和漏极区域之一与衬底栅极之间的结型二极管相对于由自举电容形成的升高电压被反向定向。
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公开(公告)号:CN1914787B
公开(公告)日:2011-12-21
申请号:CN200580003514.1
申请日:2005-01-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H02M3/155 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/088 , H03K17/687
CPC classification number: H02M3/1588 , G05F1/44 , H02M7/538 , H03F3/217 , H03F2200/351 , H03F2200/78 , H03K17/063 , H03K17/687 , Y02B70/1466
Abstract: 本发明提供一种开关式电源和半导体集成电路,即使当电源电压VDD为低电压时,其也能够获得高电位侧开关元件M1的足够的驱动电压。在控制电流通过开关元件流入感应器的开关式电源中,开关元件响应PWM信号执行开关操作,并通过与感应器串联提供的电容器形成输出电压,在开关元件的输出节点与预定电压端之间提供由自举电容和MOSFET构成的升压器电路,升高的电压用作开关元件的驱动电路的工作电压,源极和漏极区域中的另一个与衬底栅极彼此连接,使得在MOSFET呈OFF状态时,在源极和漏极区域之一与衬底栅极之间的结型二极管相对于由自举电容形成的升高电压被反向定向。
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