公开(公告)号：CN105264659B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201380076866.4

申请日：2013-07-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 谷藤雄一 ,  冈浩伟 ,  奥西勅子 ,  高田圭太

IPC: H01L23/50

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/565 ,  H01L23/13 ,  H01L23/16 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/743 ,  H01L24/77 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84439 ,  H01L2224/8501 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/92157 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种实施方式的半导体装置是用树脂密封了在芯片搭载部上搭载了的半导体芯片的半导体装置，其中，在沿着第1方向的上述半导体芯片的边缘部与上述芯片搭载部的边缘部之间的芯片搭载面侧，固定了第1部件。另外，上述第1部件被上述树脂密封。另外，在俯视时，上述第1方向上的上述芯片搭载部的上述第1部分的长度比上述第1方向上的上述半导体芯片的长度更长。

公开(公告)号：CN106558583A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610773399.6

申请日：2016-08-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高田圭太 ,  小池信也 ,  中原明宏 ,  田中诚

IPC: H01L27/088

CPC classification number: G01R17/16 ,  G01R19/0092 ,  H01L21/823487 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7815 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，用于提高半导体装置的性能。在半导体芯片(CP1)内形成有功率MOSFET和用于检测功率MOSFET的电流的感测MOSFET，由功率MOSFET用的源极电极(ES1)形成源极焊盘(PDS1a)和开尔文焊盘(PDK)。源极焊盘(PDS1a)是用于输出在功率MOSFET中流动的电流的焊盘，开尔文焊盘(PDK)是用于检测功率MOSFET的源极电位的焊盘。源极电极(ES1)具有狭缝(SL1)，在俯视视角下，狭缝(SL1)的至少一部分配置在源极焊盘(PDS1a)和开尔文焊盘(PDK)之间。

公开(公告)号：CN117116781A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310374962.2

申请日：2023-04-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 北市幸佑 ,  杉浦正俊 ,  民本秀明 ,  前田武彦 ,  高田圭太 ,  京极好孝

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L23/367

Abstract: 本公开的各实施例涉及制造半导体器件的方法。为了制造半导体器件，在经由第一粘合剂材料将半导体芯片安装在引线框架的裸片焊盘上之后，执行用于固化导电膏型的第一粘合剂材料的第一热处理。之后，金属板被设置在半导体芯片的焊盘上，使得金属板经由导电膏型的第二粘合剂材料面向半导体芯片的焊盘，并且执行用于固化第一粘合剂材料和第二粘合剂材料中的每一者的第二热处理。第一热处理的时间小于第二热处理的时间。在第一粘合剂材料被第一热处理固化后，第一粘合剂材料被第二热处理进一步固化。

公开(公告)号：CN107068626A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611165745.9

申请日：2016-12-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高田圭太 ,  团野忠敏

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L23/498 ,  H01L23/495 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49861 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48108 ,  H01L2224/48135 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49179 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H04B5/0075 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/528 ,  H01L25/071

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，实现了半导体器件的小型化。SOP1包括：半导体芯片；另一半导体芯片；其上安装前者半导体芯片的管芯焊盘；其上安装后者半导体芯片的另一管芯焊盘；多个导线；以及密封体。在SOP1的平面图中，前者半导体芯片和前者管芯焊盘与后者半导体芯片和后者管芯焊盘不重叠。此外，在横截面图的水平方向上，前者半导体芯片和前者管芯焊盘与后者半导体芯片和后者管芯焊盘不重叠。

公开(公告)号：CN104603943A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201280075599.4

申请日：2012-09-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高田圭太 ,  团野忠敏 ,  波多俊幸

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L21/607 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/49524 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/77 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40132 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48132 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/7755 ,  H01L2224/77611 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84005 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84345 ,  H01L2224/85005 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/206

Abstract: 准备具有搭载有第1半导体芯片的第1芯片搭载部和搭载有第2半导体芯片的第2芯片搭载部的引线框架。另外，具有将第1金属条带的一端连接于在上述第1半导体芯片的表面上形成的第1电极焊盘，将上述第1金属条带的与上述一端相反侧的另一端连接于上述第2芯片搭载部上的条带连接面的工序。另外，在平面视图中，上述第2芯片搭载部的上述条带连接面位于上述第1半导体芯片与上述第2半导体芯片之间。另外，上述条带连接面配置于高度比上述第2芯片搭载部的上述第2半导体芯片的搭载面的高度高的位置。

公开(公告)号：CN106558583B

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201610773399.6

申请日：2016-08-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高田圭太 ,  小池信也 ,  中原明宏 ,  田中诚

IPC: H01L27/088

Abstract: 一种半导体装置，用于提高半导体装置的性能。在半导体芯片(CP1)内形成有功率MOSFET和用于检测功率MOSFET的电流的感测MOSFET，由功率MOSFET用的源极电极(ES1)形成源极焊盘(PDS1a)和开尔文焊盘(PDK)。源极焊盘(PDS1a)是用于输出在功率MOSFET中流动的电流的焊盘，开尔文焊盘(PDK)是用于检测功率MOSFET的源极电位的焊盘。源极电极(ES1)具有狭缝(SL1)，在俯视视角下，狭缝(SL1)的至少一部分配置在源极焊盘(PDS1a)和开尔文焊盘(PDK)之间。

公开(公告)号：CN108630630A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810092368.3

申请日：2018-01-31

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 桥诘昭二 ,  高田圭太

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法和半导体装置。提高半导体装置的可靠性。在半导体装置(SD)的制造方法中，在对以在Y方向上重叠的方式配置的2个半导体芯片(CH1及CH2)进行树脂密封时，在作为模具的树脂注入口的浇口部(G1)的附近配置引线(2d)，来防止在密封体(1)内残留空隙。而且，引线(2d)的内引线部(IL)的Y方向上的长度(L2)比在Y方向上与芯片搭载部(4a)重叠的引线(2a)的内引线部(IL)的Y方向上的长度(L1)长。

公开(公告)号：CN102867792B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210237984.6

申请日：2012-07-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高田圭太 ,  团野忠敏 ,  加藤浩一

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/562 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 半导体器件的可靠度的恶化被抑制。半导体器件具有包括顶部表面、底部表面和多个侧表面的小平台。小平台的每个侧表面具有接续到小平台的底部表面的第一部分、位于第一部分以外并且接续到小平台的顶部表面的第二部分、以及位于第二部分以外并且接续到小平台的顶部表面以面向与第一部分和第二部分中的每个相同的方向的第三部分。在平面图上，半导体芯片的外部边缘位于小平台的第三部分与第二部分之间，而固定半导体芯片到小平台的粘接材料的外部边缘位于半导体芯片与第二部分之间。

公开(公告)号：CN117238899A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310570495.0

申请日：2023-05-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 桝村好博 ,  细川嵩道 ,  高田圭太

IPC: H01L23/64 ,  H01L25/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，包括：第一芯片安装部；第二芯片安装部；第一半导体芯片，被安装在该第一芯片安装部上；第二半导体芯片和第三半导体芯片，被安装在该第二芯片安装部上；以及密封体，用于密封它们。这里，该第三半导体芯片包括彼此磁耦合的第一线圈和第二线圈。此外，该第一线圈与形成在该第一半导体芯片中的第一电路电连接，并且该第二线圈与形成在该第二半导体芯片中的第二电路电连接。此外，在横截面视图中，该第二线圈比该第一线圈更靠近该第二芯片安装部。此外，该第二半导体芯片的操作期间的功耗大于该第一半导体芯片的操作期间的功耗。

公开(公告)号：CN108630630B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201810092368.3

申请日：2018-01-31

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 桥诘昭二 ,  高田圭太

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法和半导体装置。提高半导体装置的可靠性。在半导体装置(SD)的制造方法中，在对以在Y方向上重叠的方式配置的2个半导体芯片(CH1及CH2)进行树脂密封时，在作为模具的树脂注入口的浇口部(G1)的附近配置引线(2d)，来防止在密封体(1)内残留空隙。而且，引线(2d)的内引线部(IL)的Y方向上的长度(L2)比在Y方向上与芯片搭载部(4a)重叠的引线(2a)的内引线部(IL)的Y方向上的长度(L1)长。