半导体器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104425423B

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201410441444.9

    申请日:2014-09-01

    Abstract: 本发明提供了一种半导体器件,其中即使在热应力施加到电极焊盘时,也可防止电极焊盘移动。半导体芯片的衬底具有矩形的平面形状。半导体芯片具有多个电极焊盘。第一电极焊盘的中心定位为在沿着衬底的第一边的方向上比第一开口的中心更接近第一边的端部。因此,在第一电极焊盘的覆盖有绝缘膜的部分中,在沿着第一边的方向上,该部分的更接近第一边端部的宽度大于该部分的与该宽度相对的另一宽度。

    制造半导体器件的方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117116781A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202310374962.2

    申请日:2023-04-10

    Abstract: 本公开的各实施例涉及制造半导体器件的方法。为了制造半导体器件,在经由第一粘合剂材料将半导体芯片安装在引线框架的裸片焊盘上之后,执行用于固化导电膏型的第一粘合剂材料的第一热处理。之后,金属板被设置在半导体芯片的焊盘上,使得金属板经由导电膏型的第二粘合剂材料面向半导体芯片的焊盘,并且执行用于固化第一粘合剂材料和第二粘合剂材料中的每一者的第二热处理。第一热处理的时间小于第二热处理的时间。在第一粘合剂材料被第一热处理固化后,第一粘合剂材料被第二热处理进一步固化。

    半导体器件
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104425423A

    公开(公告)日:2015-03-18

    申请号:CN201410441444.9

    申请日:2014-09-01

    Abstract: 本发明提供了一种半导体器件,其中即使在热应力施加到电极焊盘时,也可防止电极焊盘移动。半导体芯片的衬底具有矩形的平面形状。半导体芯片具有多个电极焊盘。第一电极焊盘的中心定位为在沿着衬底的第一边的方向上比第一开口的中心更接近第一边的端部。因此,在第一电极焊盘的覆盖有绝缘膜的部分中,在沿着第一边的方向上,该部分的更接近第一边端部的宽度大于该部分的与该宽度相对的另一宽度。

    半导体器件
    9.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN117059598A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202310267976.4

    申请日:2023-03-20

    Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括:裸片焊盘,具有面向半导体芯片的上表面,形成在上表面上的金属膜,以及形成为覆盖所述金属膜的键合材料。此处,上表面具有:与所述半导体芯片重叠的第一区域;不与所述半导体芯片重叠的第二区域;被包括在所述第一区域中并且被金属膜覆盖的第三区域;以及第四区域,该第四区域被包括在第一区域中且与第三区域相邻并且未被金属膜覆盖。另外,半导体芯片安装在裸片焊盘上,使得半导体芯片的中心与第三区域重叠。此外,第三区域的面积大于或等于第一区域的面积的11%,并且小于或等于第一区域的面积的55%。

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