公开(公告)号：CN101388373B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200810160807.6

申请日：2008-09-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 菊池克 ,  山道新太郎 ,  川野连也 ,  副岛康志

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/05 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种确保微小通路下的连接可靠性的可靠性高的半导体装置及其制造方法，半导体装置具备：半导体基板(11)；配置在半导体基板(11)上，并且具有至少1个以上的第1布线层、至少1个以上的第1绝缘层及第1通路的第1布线构造体(12)；配置在第1布线构造体(12)上，并且具有至少1个以上的第2布线层(15)、至少1个以上的第2绝缘层(14)、第2通路(16)及第3通路(19)的第2布线构造体(17)；以及设置在第2布线构造体(17)上的外部端子(18)，其中，与第2布线构造体(17)的第2布线层(15)和外部端子(图1的18)接合的第2通路(16)在外部端子(18)侧的端部配置了接合界面(16a)。

公开(公告)号：CN101536181B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200780041277.7

申请日：2007-10-09

Applicant: 日本电气株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： 菊池克 ,  山道新太郎 ,  村井秀哉 ,  前田胜美 ,  船矢琢央 ,  森健太郎 ,  前田武彦 ,  川野连也 ,  萱岛祐治

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82

Abstract: 一种半导体装置，包括：金属框架，其包括贯通的开口；半导体芯片，其设置在开口中；绝缘层，其设置在金属框架的上表面上，以覆盖上表面，所述上表面是半导体芯片的电路形成表面；布线层，其通过绝缘材料只设置在金属框架的上表面侧，并且电连接到半导体芯片的电路；通孔导体，其用于在将半导体芯片的电路和布线层电连接；以及树脂层，其设置在金属框架的下表面上。

公开(公告)号：CN101604682B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200910151811.0

申请日：2007-10-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 栗田洋一郎 ,  副岛康志 ,  川野连也

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3128 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/5389 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/18 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H05K3/0058 ,  H05K3/284 ,  H05K3/4682 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/09527 ,  H05K2201/09972 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/1469 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 本发明一种电子器件，包括：第一互连层；第二互连层，其配备在所述第一互连层上并具有外部电极端子；以及第一导电插塞，其配备在所述第一互连层中，并且暴露在所述第二互连层侧上的所述第一互连层的表面上；其中形成所述第一互连层的树脂的热分解温度高于形成所述第二互连层的树脂；以及所述第二互连层侧上的所述第一导电插塞的端面的面积大于相对端面的面积。这样构建的电子器件允许采用比形成第一互连层具有更低热分解温度的树脂来形成第二互连层。因此，可以采用相对便宜的树脂用于该第二互连层，同时采用适于微处理的树脂用于该第一互连层。

公开(公告)号：CN102118919A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201010601613.2

申请日：2010-12-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川野连也 ,  副岛康志

IPC: H05K1/11 ,  H05K3/46 ,  H05K3/40

CPC classification number: H05K3/4682 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H05K3/205 ,  H05K3/4644 ,  H05K3/4647 ,  H05K2201/09481 ,  H05K2201/09563 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/09781 ,  H05K2201/10545 ,  H05K2201/10674 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种电子器件和电子器件的制造方法。多层布线衬底具有其中层压第一布线层和第二布线层的构造，其中，第一布线层包括形成在第一绝缘膜中且形成为暴露在第二表面侧的多个第一导电部件，第二布线层包括在与第二表面相反的侧上的第一表面侧上形成的第二绝缘膜中形成的多个第二导电部件。多个第二导电部件分别直接连接到多个第一导电部件中的任一个或通过不同的导电材料连接到多个第一导电部件中的任一个。多个第一导电部件直接连接到多个第二导电部件中的任一个或通过不同的导电材料连接到多个第二导电部件中的任一个，但是包括没有形成与连接的第二导电部件连接的电流路径的虚导电部件。

公开(公告)号：CN1976014B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200610163649.0

申请日：2006-12-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川野连也 ,  副岛康志 ,  高桥信明 ,  栗田洋一郎 ,  小室雅宏 ,  松井聪

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/562 ,  H01L23/642 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体器件，包括：互连构件，第一半导体芯片，第二半导体芯片，树脂层，无机绝缘层和通孔电极。第一半导体芯片以面向下的方式安装在互连构件上。树脂层覆盖第一半导体芯片的侧表面。无机绝缘层与第一半导体芯片的后表面接触，且直接覆盖该后表面。而且，无机绝缘层在树脂层之上延伸。通孔电极穿过无机绝缘层和第一半导体芯片的半导体衬底。以面向下的方式在无机绝缘层上安装第二半导体芯片，该无机绝缘层覆盖最上层中的第一半导体芯片的背表面。

公开(公告)号：CN102044449B

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201010514945.7

申请日：2010-10-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 栗田洋一郎 ,  川野连也

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L25/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/538 ,  H01L23/60 ,  H01L24/24 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及半导体封装和制造半导体封装的方法。制造半导体封装的方法包括：在晶圆上形成静电放电保护元件；在晶圆的主表面上形成凸块形状的第一内部电极组使其不电气地连接到静电放电保护元件组；在晶圆的主表面上形成绝缘树脂层使其覆盖第一内部电极组；在形成绝缘树脂层之后执行晶圆的划片，以产生具有第一内部电极组的第一芯片；以及将第一内部电极组电气地连接到第二芯片的第二内部电极组。在连接中，第一内部电极组穿透绝缘树脂层，使得第一和第二内部电极组相互连接。

公开(公告)号：CN102646628A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210097778.X

申请日：2007-10-09

Applicant: 日本电气株式会社 ,  瑞萨电子株式会社

Inventor： 菊池克 ,  山道新太郎 ,  村井秀哉 ,  前田胜美 ,  船矢琢央 ,  森健太郎 ,  前田武彦 ,  川野连也 ,  萱岛祐治

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82

Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法，包括：在金属基材的一个表面上形成金属图案；形成覆盖金属图案的树脂层；通过从金属基材的另一表面侧在金属基材中形成开口，使得金属图案被保留来得到金属框架；在半导体芯片的电路形成表面面朝上的情况下，将半导体芯片安装在开口内；形成覆盖金属框架和半导体芯片的绝缘层；形成连接到半导体芯片的上表面的导电部分的通孔导体；形成电连接到通孔导体的互连层；以及去除树脂层，使得金属图案被暴露。

公开(公告)号：CN101621065B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200910151004.9

申请日：2009-07-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川野连也 ,  中柴康隆

IPC: H01L27/13 ,  H01L27/04 ,  H01L23/528 ,  H01L23/64 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01F38/14 ,  H01F17/0013 ,  H01F27/2804 ,  H01F27/40 ,  H01F2017/0073 ,  H01F2017/0086 ,  H01F2027/2809 ,  H01F2038/143 ,  H01L23/535 ,  H01L27/1203 ,  H01L28/10 ,  H01L29/0649 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供了一种电路器件。电路器件包括第一发送电感器、第一绝缘层、第一接收电感器、以及第二接收电感器。第一发送电感器由螺旋状导电图案构成并且接收被发送的信号。第一接收电感器位于通过第一绝缘层与第一发送电感器重叠的区域中。第一接收电感器由螺旋状导电图案构成，并且生成与被输入至第一发送电感器的被发送的信号相对应的接收的信号。第二接收电感器被串联地连接至第一接收电感器，并且由螺旋状导电图案构成。第二接收电感器响应于相同方向的磁场生成与由第一接收电感器生成的电压反向的电压。

公开(公告)号：CN102044449A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010514945.7

申请日：2010-10-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 栗田洋一郎 ,  川野连也

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L25/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/538 ,  H01L23/60 ,  H01L24/24 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及半导体封装和制造半导体封装的方法。制造半导体封装的方法包括：在晶圆上形成静电放电保护元件；在晶圆的主表面上形成凸块形状的第一内部电极组使其不电气地连接到静电放电保护元件组；在晶圆的主表面上形成绝缘树脂层使其覆盖第一内部电极组；在形成绝缘树脂层之后执行晶圆的划片，以产生具有第一内部电极组的第一芯片；以及将第一内部电极组电气地连接到第二芯片的第二内部电极组。在连接中，第一内部电极组穿透绝缘树脂层，使得第一和第二内部电极组相互连接。

公开(公告)号：CN101373720B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200810215852.7

申请日：2006-07-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川野连也 ,  副岛康志 ,  栗田洋一郎

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC classification number: H05K3/423 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/113 ,  H05K1/114 ,  H05K3/025 ,  H05K3/064 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/0733 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法。根据本发明的一个实施例的制造方法包括：在支撑基片(70)上形成种子金属层(20a)，在种子金属层(20a)上形成包括互连(18)的互连层(10)，在形成互连层(10)之后除去支撑基片(70)，以及在除去支撑基片之后，对种子金属层(20a)进行图形化以形成互连(20)。