公开(公告)号：CN101252118B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200810081232.9

申请日：2008-02-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 松井聪

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/486 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/60 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，包括：由半导体制成的硅内插器；以及第一半导体芯片，安装在该硅内插器的一个表面上。该半导体器件设置有：贯通电极，穿通该硅内插器，而且具有与该硅内插器绝缘的侧面；以及布线，用于将该贯通电极的一端与该硅内插器相连。该贯通电极连接到设置在该第一半导体芯片上的电源布线或者GND布线。

公开(公告)号：CN101599477B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200910146024.7

申请日：2009-06-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高桥信明 ,  小室雅宏 ,  松井聪

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及制造该半导体装置的方法。在该半导体装置中，贯通孔被形成在基板中，并且位于导电性图案下方。绝缘层位于贯通孔的底表面处。导电性图案位于基板的一个表面侧。位于贯通孔与导电性图案之间的绝缘层中形成开口图案，其中从开口图案的外周到贯通孔的中心轴的距离r3比贯通孔中的距离r1小。通过提供开口图案，在贯通孔的底表面处暴露导电性图案。凸块位于基板的背表面侧，并且与贯通电极一体地形成。

公开(公告)号：CN1976014B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200610163649.0

申请日：2006-12-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川野连也 ,  副岛康志 ,  高桥信明 ,  栗田洋一郎 ,  小室雅宏 ,  松井聪

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/562 ,  H01L23/642 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体器件，包括：互连构件，第一半导体芯片，第二半导体芯片，树脂层，无机绝缘层和通孔电极。第一半导体芯片以面向下的方式安装在互连构件上。树脂层覆盖第一半导体芯片的侧表面。无机绝缘层与第一半导体芯片的后表面接触，且直接覆盖该后表面。而且，无机绝缘层在树脂层之上延伸。通孔电极穿过无机绝缘层和第一半导体芯片的半导体衬底。以面向下的方式在无机绝缘层上安装第二半导体芯片，该无机绝缘层覆盖最上层中的第一半导体芯片的背表面。