公开(公告)号：CN101582408B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200910138187.0

申请日：2009-05-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小室雅宏

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/481 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件具有衬底、绝缘间层、作为导电图形的一个示例的互连、贯通电极以及作为连接端子的一个示例的凸块，其中绝缘间层位于衬底的表面之上，互连位于绝缘间层的表面上，贯通电极从衬底的背表面到绝缘间层的表面延伸穿过衬底和绝缘间层，其一端被连接到互连，并且凸块被设置在衬底的背表面侧上，并且被连接到贯通电极的另一端。

公开(公告)号：CN101582376B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200910137922.6

申请日：2009-04-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小室雅宏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/308 ,  H01L21/67069 ,  Y10S438/944

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法和蚀刻设备。为了在去除在其上形成的硬掩模的过程中抑制将被蚀刻的层的周边部分被粗糙化，本发明的蚀刻设备具有处理室、电极、工作台和遮挡环，其中，处理室允许蚀刻气体被引入其中；电极布置在处理室中，并用于通过将蚀刻气体离化来产生等离子体；工作台布置在处理室中，在该工作台上放置衬底；遮挡环在其内周边缘具有不规则图案，并且被布置在处理室中且被放置在工作台(30)的上方，从而以非接触的方式覆盖衬底的周边部分和与周边部分相邻的内部区域。

公开(公告)号：CN101986422A

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN201010218293.2

申请日：2010-06-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高桥信明 ,  小室雅宏

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: C23C18/1651 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/32 ,  C23C18/54 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法及设备。所述方法包括：使用化学镀方法在半导体衬底上形成多个金属膜的层叠结构。形成金属膜包括：使用第一镀槽进行包括还原反应的化学镀工艺；和使用第二镀槽进行仅通过置换反应的化学镀工艺。包括使用第一镀槽进行的还原反应的化学镀工艺是在遮光环境中进行，并且使用第二镀槽仅通过置换反应进行的化学镀工艺是在非遮光环境中进行的。

公开(公告)号：CN101599477B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200910146024.7

申请日：2009-06-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高桥信明 ,  小室雅宏 ,  松井聪

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及制造该半导体装置的方法。在该半导体装置中，贯通孔被形成在基板中，并且位于导电性图案下方。绝缘层位于贯通孔的底表面处。导电性图案位于基板的一个表面侧。位于贯通孔与导电性图案之间的绝缘层中形成开口图案，其中从开口图案的外周到贯通孔的中心轴的距离r3比贯通孔中的距离r1小。通过提供开口图案，在贯通孔的底表面处暴露导电性图案。凸块位于基板的背表面侧，并且与贯通电极一体地形成。

公开(公告)号：CN1976014B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200610163649.0

申请日：2006-12-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川野连也 ,  副岛康志 ,  高桥信明 ,  栗田洋一郎 ,  小室雅宏 ,  松井聪

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/562 ,  H01L23/642 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2223/6622 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体器件，包括：互连构件，第一半导体芯片，第二半导体芯片，树脂层，无机绝缘层和通孔电极。第一半导体芯片以面向下的方式安装在互连构件上。树脂层覆盖第一半导体芯片的侧表面。无机绝缘层与第一半导体芯片的后表面接触，且直接覆盖该后表面。而且，无机绝缘层在树脂层之上延伸。通孔电极穿过无机绝缘层和第一半导体芯片的半导体衬底。以面向下的方式在无机绝缘层上安装第二半导体芯片，该无机绝缘层覆盖最上层中的第一半导体芯片的背表面。