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公开(公告)号：CN118352236A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202311681167.4
申请日：2023-12-08
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L23/34
摘要： 本公开涉及一种半导体器件、制造半导体器件的方法、以及半导体模块。根据本申请，可以提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有第一区域和第二区域，第一区域中形成有MOSFET，第二区域中形成有温度传感器晶体管。本体区域被形成在第一区域的半导体衬底中，并且基极区域被形成在第二区域的半导体衬底中。源极区域被形成在本体区域中，并且发射极区域被形成在基极区域中。第一列区域被形成在位于本体区域下方的半导体衬底中，并且第二列区域被形成在位于基极区域下方的半导体衬底中。
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公开(公告)号：CN117059602A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310246244.7
申请日：2023-03-15
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/498 , H01L29/417 , H01L25/16
摘要： 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括：经由第一接合材料安装在芯片安装部分上的第一半导体芯片；以及安装在第一半导体芯片上的第二半导体芯片。这里，第一半导体芯片具有：位于最上层中的保护膜；以及在保护膜的第一开口部分的内侧从保护膜暴露的第一焊盘电极。此外，第二半导体芯片经由具有绝缘性质的第二接合材料安装在导电材料上，该导电材料布置在第一半导体芯片的第一焊盘电极上。
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公开(公告)号：CN105789307B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201510821859.3
申请日：2015-11-23
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/417 , H01L21/336
摘要： 在不增加半导体芯片的面积尺寸的情况下，改善了半导体器件的性能。例如，功率晶体管的源极电极和电容元件的上部电极具有重叠部分。换而言之，电容元件的上部电极通过电容绝缘膜在功率晶体管的源极电极之上形成。即，功率晶体管和电容元件在半导体芯片的厚度方向上以层压的方式布置。结果就是，可以在抑制半导体芯片的平面尺寸增加的同时增加与功率晶体管电连接的电容元件。
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公开(公告)号：CN104422811B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201410450007.3
申请日：2014-09-05
申请人： 瑞萨电子株式会社
摘要： 本发明提供了一种传感器装置，其能够降低成本。该传感器装置包括印刷电路板、第一端子、第二端子、互连线和半导体装置。第一端子和第二端子设置在印刷电路板上并且耦接到电力线。第二端子耦接到电力线的相对于第一端子的下游部分。互连线设置在印刷电路板上以将所述第一端子和所述第二端子彼此耦接。换句话讲，互连线与电力线并联耦接。半导体装置安装在印刷电路板上并且包括互连层和形成在互连层中的电感器。
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公开(公告)号：CN110031931A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811504759.8
申请日：2018-12-10
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本申请涉及半导体器件。在具有在第一半导体层上方堆叠第二半导体层且插入有电介质层的配置的SIS型光波导部分中，第一半导体层在没有堆叠第二半导体层的第一引出部分处电耦合到第一电极。此外，第二半导体层在不与第一半导体层重叠的第二引出部分处电耦合到第二电极。结果，当通过干法刻蚀形成用于形成第二电极的接触孔时，第一半导体层和第二半导体层之间的电介质层不会被损坏或破坏，并且因此可以防止第一半导体层和第二半导体层之间的短路故障。因此，可以提高光波导部分的可靠性。
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公开(公告)号：CN104078506B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201410113786.8
申请日：2014-03-25
申请人： 瑞萨电子株式会社
摘要： 本发明涉及半导体器件。在漂移层中形成第二导电类型的掩埋层和第二导电类型的下层。在第二导电类型的掩埋层的侧部和漂移层之间的边界中形成边界绝缘膜。第二导电类型的下层与第二导电类型的掩埋层的下端和边界绝缘膜的下端相接触。第二导电类型的掩埋层与源电极电连接。在第二导电类型的掩埋层的表面层中形成第二导电类型的高浓度层。
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公开(公告)号：CN104915708B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201510232362.8
申请日：2010-10-15
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： G06K19/077 , G11C16/22
CPC分类号： G06K19/073 , G11C7/24 , H03K19/017509
摘要： 本发明涉及接口IC和包括接口IC的存储卡。本发明的示例性方面是存储卡，包括：存储器，该存储器存储数据；驱动器，该驱动器调制被存储在存储器中的数据；发射机，该发射机将通过驱动器调制的数据发射到被设置在外部主单元中的接收机；以及IC芯片，该IC芯片具有被形成在其中的驱动器和发射机。
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公开(公告)号：CN103972209B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201410015626.X
申请日：2014-01-14
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/522
CPC分类号： H01F21/12 , H01F21/10 , H01L23/5227 , H01L23/645 , H01L28/10 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及电感器装置和半导体装置。该电感器装置包括绝缘层、电感器、固定电极、以及可移动电极。电感器被形成在绝缘层上。固定电极被设置在平面图中不与电感器交迭的位置中。可移动电极在平面图中与电感器和固定电极交迭，并且与电感器和固定电极分离。此外，可移动电极包括第一开口。
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公开(公告)号：CN104422819A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410452684.9
申请日：2014-09-05
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： G01R19/25 , H01L23/522
CPC分类号： H01L23/5227 , G01R15/181 , G01R21/00 , G01R31/2607 , G01R33/06 , H01F21/00 , H01F27/2804 , H01F2017/0073 , H01L23/5286 , H01L28/10
摘要： 本发明涉及一种传感器设备。所述传感器设备包括电力线和半导体器件。半导体器件包括电感器。电感器使用互连层(如后续使用图3描述)形成。当从垂直于半导体器件的方向观察时，电力线和半导体器件彼此重叠。半导体器件包括两个电感器。当从垂直于半导体器件的方向观察时，电力线在两个电感器之间延伸。
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