公开(公告)号：CN116978790A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310420398.3

申请日：2023-04-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 波多俊幸

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

Abstract: 本公开涉及一种制造半导体器件的方法，在包括在第一方向上彼此平行地延伸且彼此间隔开的第一区域和第二区域的框架构件中，第一镀膜和第二镀膜分别被形成在第一区域和第二区域中。第二镀膜与第一镀膜在类型上是不同的。然后，对包括第一区域和第二区域的框架构件执行冲压过程，从而形成包括多个引线的引线框架。引线框架包括第一引线组和第二引线组。在第一引线组中形成第一镀膜，但是在第一引线组中不形成第二镀膜。同时，在第二引线组中形成第二镀膜，但在第二引线组中不形成第一镀膜。

公开(公告)号：CN116544227A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310017127.3

申请日：2023-01-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 森和久 ,  波多俊幸

IPC: H01L25/18 ,  H02J7/00 ,  H01L25/07 ,  H01L23/52 ,  H03K17/687

Abstract: 本公开涉及半导体器件和电路设备。提高了半导体器件的性能。减少了使用半导体器件作为开关的电路设备的损耗。一种半导体器件(100)包括：具有p型第一MOSFET(1Q)和第一寄生二极管(D1)的第一半导体芯片(CHP1)；以及具有n型第二MOSFET(2Q)和第二寄生二极管(D2)的第二半导体芯片(CHP2)。在第一半导体芯片(CHP1)和第二半导体芯片(CHP2)的前表面上，分别形成有第一源电极(SE1)和第一栅极布线(GW1)以及第二源电极和第二栅极布线。在第一半导体芯片和第二半导体芯片的后表面上，分别形成有第一漏电极(DE1)和第二漏电极(DE2)。第二后表面(BS2)和第一前表面(TS1)彼此面对，使得第二漏电极(DE2)和第一源电极(SE1)经由导电膏彼此接触。

公开(公告)号：CN117334724A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202310759562.3

申请日：2023-06-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  波多俊幸 ,  柳川洋 ,  关口智久

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/00 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/78

Abstract: 一种半导体器件包括芯片安装部分和经由导电粘合材料设置在芯片安装部分上的半导体芯片。这里，半导体芯片的平面形状是四边形。此外，在平面视图中，多个薄部分被分别形成在半导体芯片的多个拐角部分处。此外，被分别形成在半导体芯片的多个拐角部分处的多个薄部分彼此间隔开。此外，多个薄部分中的每个薄部分的厚度小于除多个薄部分之外半导体芯片的厚度。

公开(公告)号：CN102593078A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210019756.1

申请日：2012-01-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 波多俊幸

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/495 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种可以增强构成半导体器件的封装体的可靠性的技术。本发明的技术构思的特征在于：散热器单元与外部引线单元相互分离；并且外部引线单元具有芯片布置部分，并且每个芯片布置部分与每个散热器接合在一起。结果，当在树脂密封步骤处形成密封本体时，连接部分起到用于防止树脂泄漏的阻挡部的功能，并且因此可以防止在封装体产品中形成树脂毛刺。此外，在散热器单元中不发生弯曲并且可以抑制由弯曲(翘曲)引起的在密封本体中的断裂。

公开(公告)号：CN117594467A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310765711.7

申请日：2023-06-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安藤公一 ,  波多俊幸 ,  北市幸佑 ,  冈浩伟

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/304

Abstract: 本公开涉及一种制造半导体器件的方法。在划片步骤中出现裂纹的情况下，可以抑制裂纹向元件区域发展。在半导体晶片的主表面中形成第一划线区域和第二划线区域，第一划线区域和第二划线区域两者都限定元件区域。在第一划线区域中，形成评估深沟槽组，评估深沟槽组包括评估深沟槽‑第一部分和评估深沟槽‑第二部分。评估深沟槽‑第一部分被形成在第一区域中。在位于第一区域和元件区域之间的第二区域中，评估深沟槽‑第二部分具有在X轴方向上的宽度，并且被形成为在Y轴方向上延伸的条形。

公开(公告)号：CN117059602A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310246244.7

申请日：2023-03-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  波多俊幸

IPC: H01L23/498 ,  H01L29/417 ,  H01L25/16

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括：经由第一接合材料安装在芯片安装部分上的第一半导体芯片；以及安装在第一半导体芯片上的第二半导体芯片。这里，第一半导体芯片具有：位于最上层中的保护膜；以及在保护膜的第一开口部分的内侧从保护膜暴露的第一焊盘电极。此外，第二半导体芯片经由具有绝缘性质的第二接合材料安装在导电材料上，该导电材料布置在第一半导体芯片的第一焊盘电极上。

公开(公告)号：CN103779340A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310501563.4

申请日：2013-10-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 団野忠敏 ,  波多俊幸 ,  町田勇一

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L21/4875 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/97 ,  H01L2023/4056 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。改善了半导体器件的可靠性。半导体器件具有彼此电隔离的第一和第二金属板。在第一金属板上安装包括在其上形成的晶体管元件的第一半导体芯片。在第二金属板上安装包括在其上形成的二极管元件的第二半导体芯片。此外，半导体器件具有包括与第一或第二半导体芯片电耦合的多个引线的引线组。沿引线排列的X轴方向布置第一和第二金属板。此处，第一金属板中的第一半导体芯片的周围区域的面积设置得大于第二金属板中的第二半导体芯片的周围区域的面积。

公开(公告)号：CN117038619A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310408242.3

申请日：2023-04-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 波多俊幸

IPC: H01L23/495

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置，其中封装结构包括：裸片垫，以及连接到裸片垫的悬置引线剩余部分。这里，从裸片垫的外围边缘部分到悬置引线剩余部分提供偏移部。此外，悬置引线剩余部分具有：连接到裸片垫的第一端部，以及与第一端部相对的第二端部。此外，悬置引线剩余部分的第二端部在与上表面和下表面中的每一者间隔开的位置处从密封体的侧表面暴露。

公开(公告)号：CN116545213A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310024285.1

申请日：2023-01-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 柳川洋 ,  中柴康隆 ,  波多俊幸

IPC: H02M1/00 ,  H02M1/088

Abstract: 一种半导体器件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，第一半导体芯片具有n型第一MOSFET和第一寄生二极管，第二半导体芯片具有n型第二MOSFET和第二寄生二极管。第一源极电极和第一栅极布线形成在第一半导体芯片的第一前表面上，并且第一漏极电极形成在第一半导体芯片的第一后表面上。第二源极电极和第二栅极布线形成在第二半导体芯片的第二前表面上，并且第二漏极电极形成在第二半导体芯片的第二后表面上。第一后表面和第二后表面彼此面对，使得第一漏极电极和第二漏极电极经由导电带彼此接触。

公开(公告)号：CN104603943A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201280075599.4

申请日：2012-09-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高田圭太 ,  团野忠敏 ,  波多俊幸

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L21/607 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/49524 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/77 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40132 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48132 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/7755 ,  H01L2224/77611 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84005 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84345 ,  H01L2224/85005 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/206

Abstract: 准备具有搭载有第1半导体芯片的第1芯片搭载部和搭载有第2半导体芯片的第2芯片搭载部的引线框架。另外，具有将第1金属条带的一端连接于在上述第1半导体芯片的表面上形成的第1电极焊盘，将上述第1金属条带的与上述一端相反侧的另一端连接于上述第2芯片搭载部上的条带连接面的工序。另外，在平面视图中，上述第2芯片搭载部的上述条带连接面位于上述第1半导体芯片与上述第2半导体芯片之间。另外，上述条带连接面配置于高度比上述第2芯片搭载部的上述第2半导体芯片的搭载面的高度高的位置。