公开(公告)号：CN104425423B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201410441444.9

申请日：2014-09-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 冈田真喜雄 ,  前田武彦

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其中即使在热应力施加到电极焊盘时，也可防止电极焊盘移动。半导体芯片的衬底具有矩形的平面形状。半导体芯片具有多个电极焊盘。第一电极焊盘的中心定位为在沿着衬底的第一边的方向上比第一开口的中心更接近第一边的端部。因此，在第一电极焊盘的覆盖有绝缘膜的部分中，在沿着第一边的方向上，该部分的更接近第一边端部的宽度大于该部分的与该宽度相对的另一宽度。

公开(公告)号：CN102593015B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110442435.8

申请日：2011-12-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 冈田真喜雄 ,  仓谷英敏 ,  田边敏雄 ,  藤崎由典 ,  有田幸太郎

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可提高半导体器件的成品率的半导体器件的制造方法。在上模具(14)和下模具(15)成为一对的树脂成型模具(13)的上模具(14)中，通过将与空腔(14a)的浇口(14d)对面的第二边角(14f)的内周面(14b)的剖面半径设置为比其他边角的内周面(14b)的剖面半径大，就可在树脂注入时，使树脂中含有的空洞(12)不残留在空腔(14a)的第二边角(14f)而是被挤压到排气孔(14h)。由此，可抑制在空腔内产生空洞(12)，从而可抑制半导体器件的外观缺陷。

公开(公告)号：CN102593015A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110442435.8

申请日：2011-12-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 冈田真喜雄 ,  仓谷英敏 ,  田边敏雄 ,  藤崎由典 ,  有田幸太郎

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可提高半导体器件的成品率的半导体器件的制造方法。在上模具(14)和下模具(15)成为一对的树脂成型模具(13)的上模具(14)中，通过将与空腔(14a)的浇口(14d)对面的第二边角(14f)的内周面(14b)的剖面半径设置为比其他边角的内周面(14b)的剖面半径大，就可在树脂注入时，使树脂中含有的空洞(12)不残留在空腔(14a)的第二边角(14f)而是被挤压到排气孔(14h)。由此，可抑制在空腔内产生空洞(12)，从而可抑制半导体器件的外观缺陷。

公开(公告)号：CN105374695A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510900984.3

申请日：2011-12-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 冈田真喜雄 ,  仓谷英敏 ,  田边敏雄 ,  藤崎由典 ,  有田幸太郎

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。提供一种可提高半导体器件的成品率的半导体器件的制造方法。在上模具(14)和下模具(15)成为一对的树脂成型模具(13)的上模具(14)中，通过将与空腔(14a)的浇口(14d)对面的第二边角(14f)的内周面(14b)的剖面半径设置为比其他边角的内周面(14b)的剖面半径大，就可在树脂注入时，使树脂中含有的空洞(12)不残留在空腔(14a)的第二边角(14f)而是被挤压到排气孔(14h)。由此，可抑制在空腔内产生空洞(12)，从而可抑制半导体器件的外观缺陷。

公开(公告)号：CN104425423A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410441444.9

申请日：2014-09-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 冈田真喜雄 ,  前田武彦

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其中即使在热应力施加到电极焊盘时，也可防止电极焊盘移动。半导体芯片的衬底具有矩形的平面形状。半导体芯片具有多个电极焊盘。第一电极焊盘的中心定位为在沿着衬底的第一边的方向上比第一开口的中心更接近第一边的端部。因此，在第一电极焊盘的覆盖有绝缘膜的部分中，在沿着第一边的方向上，该部分的更接近第一边端部的宽度大于该部分的与该宽度相对的另一宽度。