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1.

发明授权
用于制造半导体装置的方法失效转让

公开(公告)号：CN102646628B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201210097778.X

申请日：2007-10-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 菊池克 , 山道新太郎 , 村井秀哉 , 前田胜美 , 船矢琢央 , 森健太郎 , 前田武彦 , 川野连也 , 萱岛祐治

IPC: H01L21/768 , H01L23/538

CPC classification number: H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/24227 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15174 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/83 , H01L2224/82

Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法，包括：在金属基材的一个表面上形成金属图案；形成覆盖金属图案的树脂层；通过从金属基材的另一表面侧在金属基材中形成开口，使得金属图案被保留来得到金属框架；在半导体芯片的电路形成表面面朝上的情况下，将半导体芯片安装在开口内；形成覆盖金属框架和半导体芯片的绝缘层；形成连接到半导体芯片的上表面的导电部分的通孔导体；形成电连接到通孔导体的互连层；以及去除树脂层，使得金属图案被暴露。

2.

发明授权
半导体器件及其制造方法失效转让

公开(公告)号：CN101320716B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200810125539.4

申请日：2008-06-10

Applicant: 日本电气株式会社 , 瑞萨电子株式会社

Inventor： 森健太郎 , 山道新太郎 , 村井秀哉 , 船矢琢央 , 川野连也 , 前田武彦 , 副岛康志

IPC: H01L23/48 , H01L21/50 , H01L21/58 , H01L21/60 , H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6835 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L2221/68345 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54473 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/24226 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/15174 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3011 , Y10S438/977 , H01L2924/00

Abstract: 在设置有定位标记的支撑基板上定位透明基板，并提供剥离材料。然后，定位半导体元件使得电极端子面朝上，且之后去除支撑基板。在剥离材料上形成绝缘树脂以覆盖半导体元件；且之后形成通孔、布线层、绝缘层、外部端子和阻焊剂。然后，通过使用剥离材料，从半导体器件上剥离透明基板。因而，能够高精度地安装芯片，在制造过程中在基底上安装芯片期间不需要提供定位标记，并且能够容易地去除基底。结果，能够以低成本制造具有高密度和薄外形的半导体器件。

3.

发明授权
布线板复合体、半导体器件、以及制造布线板复合体和半导体器件的方法失效转让

公开(公告)号：CN101512758B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200780032766.6

申请日：2007-09-04

Applicant: 日本电气株式会社 , 瑞萨电子株式会社

Inventor： 森健太郎 , 山道新太郎 , 菊池克 , 村井秀哉 , 船矢琢央 , 前田武彦 , 本多广一 , 小川健太 , 塚野纯

IPC: H01L23/12 , H05K3/46

Abstract: 一种布线板复合体，其由支撑衬底和分别在该支撑衬底的上表面和下表面上形成的布线板构成。所述支撑衬底由支撑体和分别布置在该支撑体的上表面和下表面的每个上的金属体构成。所述布线板至少设置有绝缘层、通过绝缘层绝缘的上和下布线、以及用于连接上和下布线的通路。安装在金属体上的布线板构成设置有金属体的布线板。因此，在金属体上形成布线板的处理中高效地使用用于支撑金属体的支撑体，并提供在制造处理中和在成品结构中具有较少的翘曲和膨胀且能够提高布线板产量的布线板复合体。还提供一种半导体器件和一种用于制造此类布线板复合体和半导体器件的方法。

4.

发明公开
半导体装置及其制造方法有权转让

公开(公告)号：CN102106198A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980128956.7

申请日：2009-07-23

Applicant: 日本电气株式会社 , 瑞萨电子株式会社

Inventor： 森健太郎 , 村井秀哉 , 山道新太郎 , 川野连也 , 副岛康志

IPC: H05K3/46 , H01L23/12

CPC classification number: H05K1/185 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/3511 , H05K1/115 , H05K3/4644 , H05K2201/0352 , H05K2201/10674 , H05K2203/0152 , H05K2203/0156 , H05K2203/063 , H05K2203/1469 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种高可靠性的半导体装置及其制造方法，半导体装置在布线基板中内置有窄间距、多引脚的半导体元件，能够不降低成品率而实现多层化。多个布线层及绝缘层层叠，半导体元件埋入于绝缘层，设于各绝缘层(15、18、21)的通孔(16、19、22)、或设于各布线层的布线(17、20、23)的至少一个具有与设于其他绝缘层或布线层的通孔或布线不同的剖面形状。

5.

发明授权
半导体装置及其制造方法失效转让

公开(公告)号：CN101536181B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200780041277.7

申请日：2007-10-09

Applicant: 日本电气株式会社 , 瑞萨电子株式会社

Inventor： 菊池克 , 山道新太郎 , 村井秀哉 , 前田胜美 , 船矢琢央 , 森健太郎 , 前田武彦 , 川野连也 , 萱岛祐治

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/24227 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15174 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/83 , H01L2224/82

Abstract: 一种半导体装置，包括：金属框架，其包括贯通的开口；半导体芯片，其设置在开口中；绝缘层，其设置在金属框架的上表面上，以覆盖上表面，所述上表面是半导体芯片的电路形成表面；布线层，其通过绝缘材料只设置在金属框架的上表面侧，并且电连接到半导体芯片的电路；通孔导体，其用于在将半导体芯片的电路和布线层电连接；以及树脂层，其设置在金属框架的下表面上。

6.

发明授权
半导体器件以及半导体器件的制造方法有权

公开(公告)号：CN106233462B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201480077989.4

申请日：2014-04-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 渡边真司 , 木田刚 , 小野善宏 , 森健太郎 , 坂田贤治 , 山田裕介

IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18

CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/31 , H01L23/3128 , H01L24/02 , H01L24/16 , H01L24/42 , H01L24/97 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099

Abstract: 一个实施方式的半导体器件在第一半导体芯片的第一背面上搭载有第二半导体芯片。另外，第一半导体芯片的上述第一背面中包含：第一区域，在该第一区域形成经由突起电极而与上述第二半导体芯片电连接的多个第一背面电极；以及第二区域，该第二区域比上述第一区域更靠周缘部侧，并且在该第二区域形成第一金属图案。另外，上述第一金属图案相对于上述第一背面的突出高度比上述多个第一背面电极分别相对于上述第一背面的突出高度低。

7.

发明公开
半导体器件以及半导体器件的制造方法有权

公开(公告)号：CN106233462A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201480077989.4

申请日：2014-04-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 渡边真司 , 木田刚 , 小野善宏 , 森健太郎 , 坂田贤治 , 山田裕介

IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18

CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/31 , H01L23/3128 , H01L24/02 , H01L24/16 , H01L24/42 , H01L24/97 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099

Abstract: 一个实施方式的半导体器件在第一半导体芯片的第一背面上搭载有第二半导体芯片。另外，第一半导体芯片的上述第一背面中包含：第一区域，在该第一区域形成经由突起电极而与上述第二半导体芯片电连接的多个第一背面电极；以及第二区域，该第二区域比上述第一区域更靠周缘部侧，并且在该第二区域形成第一金属图案。另外，上述第一金属图案相对于上述第一背面的突出高度比上述多个第一背面电极分别相对于上述第一背面的突出高度低。