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公开(公告)号:CN101536181B
公开(公告)日:2012-06-06
申请号:CN200780041277.7
申请日:2007-10-09
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/24227 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15174 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/83 , H01L2224/82
Abstract: 一种半导体装置,包括:金属框架,其包括贯通的开口;半导体芯片,其设置在开口中;绝缘层,其设置在金属框架的上表面上,以覆盖上表面,所述上表面是半导体芯片的电路形成表面;布线层,其通过绝缘材料只设置在金属框架的上表面侧,并且电连接到半导体芯片的电路;通孔导体,其用于在将半导体芯片的电路和布线层电连接;以及树脂层,其设置在金属框架的下表面上。
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公开(公告)号:CN102646628A
公开(公告)日:2012-08-22
申请号:CN201210097778.X
申请日:2007-10-09
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/24227 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15174 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/83 , H01L2224/82
Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法,包括:在金属基材的一个表面上形成金属图案;形成覆盖金属图案的树脂层;通过从金属基材的另一表面侧在金属基材中形成开口,使得金属图案被保留来得到金属框架;在半导体芯片的电路形成表面面朝上的情况下,将半导体芯片安装在开口内;形成覆盖金属框架和半导体芯片的绝缘层;形成连接到半导体芯片的上表面的导电部分的通孔导体;形成电连接到通孔导体的互连层;以及去除树脂层,使得金属图案被暴露。
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公开(公告)号:CN102646628B
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:CN201210097778.X
申请日:2007-10-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/20 , H01L2224/24227 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0104 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01073 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15174 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2224/83 , H01L2224/82
Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法,包括:在金属基材的一个表面上形成金属图案;形成覆盖金属图案的树脂层;通过从金属基材的另一表面侧在金属基材中形成开口,使得金属图案被保留来得到金属框架;在半导体芯片的电路形成表面面朝上的情况下,将半导体芯片安装在开口内;形成覆盖金属框架和半导体芯片的绝缘层;形成连接到半导体芯片的上表面的导电部分的通孔导体;形成电连接到通孔导体的互连层;以及去除树脂层,使得金属图案被暴露。
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