制造半导体器件的方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117116781A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202310374962.2

    申请日:2023-04-10

    Abstract: 本公开的各实施例涉及制造半导体器件的方法。为了制造半导体器件,在经由第一粘合剂材料将半导体芯片安装在引线框架的裸片焊盘上之后,执行用于固化导电膏型的第一粘合剂材料的第一热处理。之后,金属板被设置在半导体芯片的焊盘上,使得金属板经由导电膏型的第二粘合剂材料面向半导体芯片的焊盘,并且执行用于固化第一粘合剂材料和第二粘合剂材料中的每一者的第二热处理。第一热处理的时间小于第二热处理的时间。在第一粘合剂材料被第一热处理固化后,第一粘合剂材料被第二热处理进一步固化。

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