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公开(公告)号：CN108630630A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810092368.3
申请日：2018-01-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/49
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法和半导体装置。提高半导体装置的可靠性。在半导体装置(SD)的制造方法中，在对以在Y方向上重叠的方式配置的2个半导体芯片(CH1及CH2)进行树脂密封时，在作为模具的树脂注入口的浇口部(G1)的附近配置引线(2d)，来防止在密封体(1)内残留空隙。而且，引线(2d)的内引线部(IL)的Y方向上的长度(L2)比在Y方向上与芯片搭载部(4a)重叠的引线(2a)的内引线部(IL)的Y方向上的长度(L1)长。
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公开(公告)号：CN109698132B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201811090559.2
申请日：2018-09-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本公开涉及半导体器件的制造方法和引线框架。本发明的方法改进了树脂模制型半导体器件的质量和可靠性。该方法包括以下步骤：放置引线框架，使得模具的腔体分别与引线框架的器件形成区域匹配，以及形成通过使包封树脂流入腔体来包封半导体芯片的包封体。上半模和下半模夹在一起的模具具有允许腔体与流道连通的多个第一浇口，以及允许虚设腔体与流道连通的虚设腔体浇口。在树脂模制过程期间，从树脂开始流入模具的时间到形成包封体的时间，每个腔体浇口的注孔的尺寸大于虚设腔体浇口的注孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109698132A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811090559.2
申请日：2018-09-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本公开涉及半导体器件的制造方法和引线框架。本发明的方法改进了树脂模制型半导体器件的质量和可靠性。该方法包括以下步骤：放置引线框架，使得模具的腔体分别与引线框架的器件形成区域匹配，以及形成通过使包封树脂流入腔体来包封半导体芯片的包封体。上半模和下半模夹在一起的模具具有允许腔体与流道连通的多个第一浇口，以及允许虚设腔体与流道连通的虚设腔体浇口。在树脂模制过程期间，从树脂开始流入模具的时间到形成包封体的时间，每个腔体浇口的注孔的尺寸大于虚设腔体浇口的注孔。
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公开(公告)号：CN108630630B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201810092368.3
申请日：2018-01-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/49
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法和半导体装置。提高半导体装置的可靠性。在半导体装置(SD)的制造方法中，在对以在Y方向上重叠的方式配置的2个半导体芯片(CH1及CH2)进行树脂密封时，在作为模具的树脂注入口的浇口部(G1)的附近配置引线(2d)，来防止在密封体(1)内残留空隙。而且，引线(2d)的内引线部(IL)的Y方向上的长度(L2)比在Y方向上与芯片搭载部(4a)重叠的引线(2a)的内引线部(IL)的Y方向上的长度(L1)长。
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公开(公告)号：CN106971996B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201611190587.2
申请日：2016-12-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 桥诘昭二
IPC: H01L23/492 , H01L29/78 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。在半导体器件的性能方面实现了改进。所述半导体器件包括具有上面(第一面)、与所述上面相反的下面(第二面)以及位于所述上面与所述下面之间并且使半导体芯片被安装在其上方的多个侧面的金属板。所述金属板的一部分被从密封所述半导体芯片的密封体暴露。已暴露部分被金属膜覆盖。所述金属板的所述侧面包括被所述密封体覆盖的第一侧面以及被设置为与所述第一侧面相反并且从所述密封体暴露的侧面(第二侧面)。在所述金属板的所述上面与所述侧面之间，插入有相对于所述上面和所述侧面中的每一个倾斜并且被所述金属膜覆盖的倾斜面。
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公开(公告)号：CN107887349A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710880203.8
申请日：2017-09-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/495
CPC classification number: H01L24/49 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49555 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2224/29101 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2224/83862 , H01L2224/85205 , H01L2224/85385 , H01L2224/85439 , H01L2224/85455 , H01L2224/92247 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/35121 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L23/495 , H01L23/3142
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。为了提高半导体器件的性能，一种半导体器件包括经由导线与半导体芯片电耦合的引线。用密封体即树脂密封体密封引线的内部部分、半导体芯片和导线。将导线结合到引线的内部部分的导线结合部分的上表面。金属膜形成在与上表面相反侧的引线的内部部分的下表面上。在导线结合部分的上表面上没有形成金属膜。
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公开(公告)号：CN106971996A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201611190587.2
申请日：2016-12-21
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 桥诘昭二
IPC: H01L23/492 , H01L29/78 , H01L29/739
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L21/4842 , H01L21/565 , H01L23/295 , H01L23/3107 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49555 , H01L23/49568 , H01L23/49805 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/83862 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2924/00 , H01L23/4922 , H01L29/7393 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。在半导体器件的性能方面实现了改进。所述半导体器件包括具有上面(第一面)、与所述上面相反的下面(第二面)以及位于所述上面与所述下面之间并且使半导体芯片被安装在其上方的多个侧面的金属板。所述金属板的一部分被从密封所述半导体芯片的密封体暴露。已暴露部分被金属膜覆盖。所述金属板的所述侧面包括被所述密封体覆盖的第一侧面以及被设置为与所述第一侧面相反并且从所述密封体暴露的侧面(第二侧面)。在所述金属板的所述上面与所述侧面之间，插入有相对于所述上面和所述侧面中的每一个倾斜并且被所述金属膜覆盖的倾斜面。
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