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公开(公告)号:CN109698132B
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN201811090559.2
申请日:2018-09-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本公开涉及半导体器件的制造方法和引线框架。本发明的方法改进了树脂模制型半导体器件的质量和可靠性。该方法包括以下步骤:放置引线框架,使得模具的腔体分别与引线框架的器件形成区域匹配,以及形成通过使包封树脂流入腔体来包封半导体芯片的包封体。上半模和下半模夹在一起的模具具有允许腔体与流道连通的多个第一浇口,以及允许虚设腔体与流道连通的虚设腔体浇口。在树脂模制过程期间,从树脂开始流入模具的时间到形成包封体的时间,每个腔体浇口的注孔的尺寸大于虚设腔体浇口的注孔。
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公开(公告)号:CN109698132A
公开(公告)日:2019-04-30
申请号:CN201811090559.2
申请日:2018-09-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L23/495
Abstract: 本公开涉及半导体器件的制造方法和引线框架。本发明的方法改进了树脂模制型半导体器件的质量和可靠性。该方法包括以下步骤:放置引线框架,使得模具的腔体分别与引线框架的器件形成区域匹配,以及形成通过使包封树脂流入腔体来包封半导体芯片的包封体。上半模和下半模夹在一起的模具具有允许腔体与流道连通的多个第一浇口,以及允许虚设腔体与流道连通的虚设腔体浇口。在树脂模制过程期间,从树脂开始流入模具的时间到形成包封体的时间,每个腔体浇口的注孔的尺寸大于虚设腔体浇口的注孔。
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