公开(公告)号：CN103295916B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201310065893.3

申请日：2013-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中条卓也 ,  田村政树 ,  高桥靖司 ,  大川启一 ,  梶原良一 ,  元脇成久 ,  宝藏寺裕之

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/485

Abstract: 传统表面粗糙化镀敷技术不能总是改进引线框架与镀敷膜之间的粘合，其依赖于用于表面粗糙化镀敷的材料。通过刻蚀进行的传统表面粗糙化技术仅可以用于有限的材料制成的引线框架。因此，无法在金属构件例如引线框架与密封树脂之间实现改进的粘合。根据一实施例的半导体器件制造方法是：使用已经经历基材和其表面上镀敷的Zn的合金化处理的金属构件例如引线框架来执行树脂密封。

公开(公告)号：CN103681369B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310439846.0

申请日：2013-09-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 舩津胜彦 ,  宇野友彰 ,  植栗徹 ,  高桥靖司

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/38 ,  H01L24/40 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。一种通过确保半导体芯片和金属板之间的导电性材料的厚度，便可提高半导体芯片和金属板之间连接可靠性的制造方法。在夹具PED上配置引线框LF1，且在设置于夹具PED的突起部PJU上配置夹框CLF。在此状态下进行加热处理（回流焊接）。此时，将在High－MOS芯片CHP(H)和High－MOS夹板CLP(H)之间形成第1空间，且在Low－MOS芯片CHP(L)和Low－MOS夹板CLP(L)之间形成有第1空间的状态下，使填埋在所述第1空间内的高熔点焊锡HS2熔化。此时，即使在高熔点焊锡HS2熔化的状态下，所述第1空间的尺寸（尤其是高度）也保持不变。

公开(公告)号：CN103681369A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310439846.0

申请日：2013-09-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 舩津胜彦 ,  宇野友彰 ,  植栗徹 ,  高桥靖司

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4924 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/38 ,  H01L24/40 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。一种通过确保半导体芯片和金属板之间的导电性材料的厚度，便可提高半导体芯片和金属板之间连接可靠性的制造方法。在夹具PED上配置引线框LF1，且在设置于夹具PED的突起部PJU上配置夹框CLF。在此状态下进行加热处理（回流焊接）。此时，将在High－MOS芯片CHP(H)和High－MOS夹板CLP(H)之间形成第1空间，且在Low－MOS芯片CHP(L)和Low－MOS夹板CLP(L)之间形成有第1空间的状态下，使填埋在所述第1空间内的高熔点焊锡HS2熔化。此时，即使在高熔点焊锡HS2熔化的状态下，所述第1空间的尺寸（尤其是高度）也保持不变。

公开(公告)号：CN103295916A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310065893.3

申请日：2013-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中条卓也 ,  田村政树 ,  高桥靖司 ,  大川启一 ,  梶原良一 ,  元脇成久 ,  宝藏寺裕之

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/485

Abstract: 传统表面粗糙化镀敷技术不能总是改进引线框架与镀敷膜之间的粘合，其依赖于用于表面粗糙化镀敷的材料。通过刻蚀进行的传统表面粗糙化技术仅可以用于有限的材料制成的引线框架。因此，无法在金属构件例如引线框架与密封树脂之间实现改进的粘合。根据一实施例的半导体器件制造方法是：使用已经经历基材和其表面上镀敷的Zn的合金化处理的金属构件例如引线框架来执行树脂密封。

公开(公告)号：CN107887349A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710880203.8

申请日：2017-09-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 桥诘昭二 ,  高桥靖司

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L24/49 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85385 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/495 ,  H01L23/3142

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。为了提高半导体器件的性能，一种半导体器件包括经由导线与半导体芯片电耦合的引线。用密封体即树脂密封体密封引线的内部部分、半导体芯片和导线。将导线结合到引线的内部部分的导线结合部分的上表面。金属膜形成在与上表面相反侧的引线的内部部分的下表面上。在导线结合部分的上表面上没有形成金属膜。

公开(公告)号：CN107134415A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710511943.4

申请日：2013-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中条卓也 ,  田村政树 ,  高桥靖司 ,  大川启一 ,  梶原良一 ,  元脇成久 ,  宝藏寺裕之

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/495

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。传统表面粗糙化镀敷技术不能总是改进引线框架与镀敷膜之间的粘合，其依赖于用于表面粗糙化镀敷的材料。通过刻蚀进行的传统表面粗糙化技术仅可以用于有限的材料制成的引线框架。因此，无法在金属构件例如引线框架与密封树脂之间实现改进的粘合。根据一实施例的半导体器件制造方法是：使用已经经历基材和其表面上镀敷的Zn的合金化处理的金属构件例如引线框架来执行树脂密封。