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公开(公告)号：CN101499450B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200910005255.6
申请日：2009-01-20
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/743 , H01L24/84 , H01L2224/04026 , H01L2224/274 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/32506 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/743 , H01L2224/83194 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/83855 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015 , H01L2224/83205 , H01L2924/00012
摘要： 本发明使得介在于半导体芯片和芯片垫部之间的导电性接着剂的接合可靠性提高。硅芯片3A搭载在与漏极引线Ld一体形成的芯片垫部4D上，且在硅芯片3A的主面上形成有源极垫7。硅芯片3A的背面构成一功率MOSFET的漏极，且经由Ag膏5而接合于芯片垫部4D上。源极引线Ls与源极垫7是通过Al带10而电连接。在硅芯片3A的背面上形成有Ag纳米粒子涂膜9A，在芯片垫部4D与引线(漏极引线Ld、源极引线Ls)的表面上形成有Ag纳米粒子涂膜9B。
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公开(公告)号：CN103295916B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201310065893.3
申请日：2013-03-01
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/485
摘要： 传统表面粗糙化镀敷技术不能总是改进引线框架与镀敷膜之间的粘合，其依赖于用于表面粗糙化镀敷的材料。通过刻蚀进行的传统表面粗糙化技术仅可以用于有限的材料制成的引线框架。因此，无法在金属构件例如引线框架与密封树脂之间实现改进的粘合。根据一实施例的半导体器件制造方法是：使用已经经历基材和其表面上镀敷的Zn的合金化处理的金属构件例如引线框架来执行树脂密封。
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公开(公告)号：CN104051401A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410095780.2
申请日：2014-03-14
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/49 , H01L21/50 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L23/3107 , H01L23/3192 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L23/562 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L2224/0381 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29118 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29294 , H01L2224/29439 , H01L2224/2949 , H01L2224/3011 , H01L2224/3201 , H01L2224/32013 , H01L2224/32058 , H01L2224/32059 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45565 , H01L2224/45616 , H01L2224/45639 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48755 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48855 , H01L2224/48997 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2224/83055 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8392 , H01L2224/83951 , H01L2224/85205 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2224/8592 , H01L2224/85951 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/10272 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/06 , H01L2924/00012 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/01013 , H01L2924/01051 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/83205
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的解决的一个问题是提高半导体装置的可靠性。具有：管芯焊盘（6）、搭载于管芯焊盘（6）的SiC芯片（1）、对管芯焊盘（6）和SiC芯片（1）进行接合的多孔质的第1烧结Ag层（16）、以及覆盖第1烧结Ag层（16）的表面并且被形成为圆角状的加强树脂部（17）。进而，具有与SiC芯片（1）的源电极（2）电连接的源极引线（9）、与栅电极（3）电连接的栅极引线、与漏电极（4）电连接的漏极引线、以及覆盖SiC芯片（1）、第1烧结Ag层（16）及管芯焊盘（6）的一部分的密封体（14），加强树脂部（17）覆盖SiC芯片（1）的侧面（1c）的一部分。
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公开(公告)号：CN102768965B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210214671.9
申请日：2009-01-20
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L23/29
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/743 , H01L24/84 , H01L2224/04026 , H01L2224/274 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/32506 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/743 , H01L2224/83194 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/83855 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015 , H01L2224/83205 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明使得介于半导体芯片和芯片垫部之间的导电性接着剂的接合可靠性提高。硅芯片3A搭载在与漏极引线Ld一体形成的芯片垫部4D上，且在硅芯片3A的主面上形成有源极垫7。硅芯片3A的背面构成一功率MOSFET的漏极，且经由Ag膏5而接合于芯片垫部4D上。源极引线Ls与源极垫7是通过Al带10而电连接。在硅芯片3A的背面上形成有Ag纳米粒子涂膜9A，在芯片垫部4D与引线(漏极引线Ld、源极引线Ls)的表面上形成有Ag纳米粒子涂膜9B。
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公开(公告)号：CN103295916A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310065893.3
申请日：2013-03-01
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/485
摘要： 传统表面粗糙化镀敷技术不能总是改进引线框架与镀敷膜之间的粘合，其依赖于用于表面粗糙化镀敷的材料。通过刻蚀进行的传统表面粗糙化技术仅可以用于有限的材料制成的引线框架。因此，无法在金属构件例如引线框架与密封树脂之间实现改进的粘合。根据一实施例的半导体器件制造方法是：使用已经经历基材和其表面上镀敷的Zn的合金化处理的金属构件例如引线框架来执行树脂密封。
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公开(公告)号：CN104051401B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201410095780.2
申请日：2014-03-14
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的解决的一个问题是提高半导体装置的可靠性。具有：管芯焊盘（6）、搭载于管芯焊盘（6）的SiC芯片（1）、对管芯焊盘（6）和SiC芯片（1）进行接合的多孔质的第1烧结Ag层（16）、以及覆盖第1烧结Ag层（16）的表面并且被形成为圆角状的加强树脂部（17）。进而，具有与SiC芯片（1）的源电极（2）电连接的源极引线（9）、与栅电极（3）电连接的栅极引线、与漏电极（4）电连接的漏极引线、以及覆盖SiC芯片（1）、第1烧结Ag层（16）及管芯焊盘（6）的一部分的密封体（14），加强树脂部（17）覆盖SiC芯片（1）的侧面（1c）的一部分。
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公开(公告)号：CN107134415A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710511943.4
申请日：2013-03-01
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/495
摘要： 本公开涉及半导体器件及其制造方法。传统表面粗糙化镀敷技术不能总是改进引线框架与镀敷膜之间的粘合，其依赖于用于表面粗糙化镀敷的材料。通过刻蚀进行的传统表面粗糙化技术仅可以用于有限的材料制成的引线框架。因此，无法在金属构件例如引线框架与密封树脂之间实现改进的粘合。根据一实施例的半导体器件制造方法是：使用已经经历基材和其表面上镀敷的Zn的合金化处理的金属构件例如引线框架来执行树脂密封。
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公开(公告)号：CN102768965A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210214671.9
申请日：2009-01-20
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L23/29
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/743 , H01L24/84 , H01L2224/04026 , H01L2224/274 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/32506 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/743 , H01L2224/83194 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/83855 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015 , H01L2224/83205 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明使得介于半导体芯片和芯片垫部之间的导电性接着剂的接合可靠性提高。硅芯片3A搭载在与漏极引线Ld一体形成的芯片垫部4D上，且在硅芯片3A的主面上形成有源极垫7。硅芯片3A的背面构成一功率MOSFET的漏极，且经由Ag膏5而接合于芯片垫部4D上。源极引线Ls与源极垫7是通过Al带10而电连接。在硅芯片3A的背面上形成有Ag纳米粒子涂膜9A，在芯片垫部4D与引线(漏极引线Ld、源极引线Ls)的表面上形成有Ag纳米粒子涂膜9B。
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