公开(公告)号：CN103295916B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201310065893.3

申请日：2013-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中条卓也 ,  田村政树 ,  高桥靖司 ,  大川启一 ,  梶原良一 ,  元脇成久 ,  宝藏寺裕之

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/485

Abstract: 传统表面粗糙化镀敷技术不能总是改进引线框架与镀敷膜之间的粘合，其依赖于用于表面粗糙化镀敷的材料。通过刻蚀进行的传统表面粗糙化技术仅可以用于有限的材料制成的引线框架。因此，无法在金属构件例如引线框架与密封树脂之间实现改进的粘合。根据一实施例的半导体器件制造方法是：使用已经经历基材和其表面上镀敷的Zn的合金化处理的金属构件例如引线框架来执行树脂密封。

公开(公告)号：CN107134415A

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201710511943.4

申请日：2013-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中条卓也 ,  田村政树 ,  高桥靖司 ,  大川启一 ,  梶原良一 ,  元脇成久 ,  宝藏寺裕之

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/495

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。传统表面粗糙化镀敷技术不能总是改进引线框架与镀敷膜之间的粘合，其依赖于用于表面粗糙化镀敷的材料。通过刻蚀进行的传统表面粗糙化技术仅可以用于有限的材料制成的引线框架。因此，无法在金属构件例如引线框架与密封树脂之间实现改进的粘合。根据一实施例的半导体器件制造方法是：使用已经经历基材和其表面上镀敷的Zn的合金化处理的金属构件例如引线框架来执行树脂密封。

公开(公告)号：CN103295916A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310065893.3

申请日：2013-03-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中条卓也 ,  田村政树 ,  高桥靖司 ,  大川启一 ,  梶原良一 ,  元脇成久 ,  宝藏寺裕之

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/485

Abstract: 传统表面粗糙化镀敷技术不能总是改进引线框架与镀敷膜之间的粘合，其依赖于用于表面粗糙化镀敷的材料。通过刻蚀进行的传统表面粗糙化技术仅可以用于有限的材料制成的引线框架。因此，无法在金属构件例如引线框架与密封树脂之间实现改进的粘合。根据一实施例的半导体器件制造方法是：使用已经经历基材和其表面上镀敷的Zn的合金化处理的金属构件例如引线框架来执行树脂密封。