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公开(公告)号：CN107872210A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710855431.X
申请日：2017-09-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K17/28 , G01R19/165
Abstract: 提供了输入缓冲器、半导体器件和引擎控制单元，使得可以实时地执行故障诊断。输入缓冲器包括：第一比较器，将输入信号的电压与第一参考电压进行比较；滞后电路，基于来自第一比较器的比较结果生成第一高电压侧或低电压侧参考电压；第二比较器，将输入信号的电压与第二参考电压进行比较；以及滞后电路，输出高于第一高电压侧参考电压的第二高电压侧参考电压或者低于第一低电压侧参考电压的第二低电压侧参考电压。
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公开(公告)号：CN102075170B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201010537169.2
申请日：2010-11-05
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 中原明宏
IPC: H03K17/08
CPC classification number: H03K17/0822 , H03K17/063 , H03K2217/0018 , H03K2217/0036 , Y10T307/839
Abstract: 本发明提供一种电力供给控制装置。电力供给控制装置包括：输出晶体管，该输出晶体管被耦合在第一电源线和输出端子之间，输出端子被构造为与负载相耦合；保护晶体管，该保护晶体管被耦合在输出晶体管的栅极和第二电源线之间；负电压控制单元，该负电压控制单元被耦合在第一电源线和输出晶体管的栅极之间；补偿晶体管，当来自于负载的反电动势电压被施加给输出端子时该补偿晶体管使第二电源线和输出端子进入导通状态；以及背栅控制电路，在当电源的极性正常时的待机状态中，该背栅控制电路控制补偿晶体管和保护晶体管中的每一个的背栅和第二电源线以使其进入导通状态。
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公开(公告)号：CN102075170A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010537169.2
申请日：2010-11-05
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 中原明宏
IPC: H03K17/08
CPC classification number: H03K17/0822 , H03K17/063 , H03K2217/0018 , H03K2217/0036 , Y10T307/839
Abstract: 本发明提供一种电力供给控制装置。电力供给控制装置包括：输出晶体管，该输出晶体管被耦合在第一电源线和输出端子之间，输出端子被构造为与负载相耦合；保护晶体管，该保护晶体管被耦合在输出晶体管的栅极和第二电源线之间；负电压控制单元，该负电压控制单元被耦合在第一电源线和输出晶体管的栅极之间；补偿晶体管，当来自于负载的反电动势电压被施加给输出端子时该补偿晶体管使第二电源线和输出端子进入导通状态；以及背栅控制电路，在当电源的极性正常时的待机状态中，该背栅控制电路控制补偿晶体管和保护晶体管中的每一个的背栅和第二电源线以使其进入导通状态。
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公开(公告)号：CN106558583A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610773399.6
申请日：2016-08-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/088
CPC classification number: G01R17/16 , G01R19/0092 , H01L21/823487 , H01L23/535 , H01L27/0207 , H01L27/0251 , H01L27/088 , H01L29/0847 , H01L29/41741 , H01L29/7803 , H01L29/7813 , H01L29/7815 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置，用于提高半导体装置的性能。在半导体芯片(CP1)内形成有功率MOSFET和用于检测功率MOSFET的电流的感测MOSFET，由功率MOSFET用的源极电极(ES1)形成源极焊盘(PDS1a)和开尔文焊盘(PDK)。源极焊盘(PDS1a)是用于输出在功率MOSFET中流动的电流的焊盘，开尔文焊盘(PDK)是用于检测功率MOSFET的源极电位的焊盘。源极电极(ES1)具有狭缝(SL1)，在俯视视角下，狭缝(SL1)的至少一部分配置在源极焊盘(PDS1a)和开尔文焊盘(PDK)之间。
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公开(公告)号：CN106089462A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610269096.0
申请日：2016-04-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置、功率控制半导体装置、车载电子控制单元及车辆。根据一个实施例，一种开关控制电路(CTL1)包括稳压二极管(D1)和电流镜电路，当控制流过负载(4)的电流的输出晶体管(T1)的漏极(Dr1)和源极(Sr1)之间的电压超过特定值(Vcl)时，稳压二极管(D1)允许输出晶体管(T1)的漏极(Dr1)和源极(Sr1)之间的连通性，当电流流过稳压二极管(D1)时，电流镜电路允许输出晶体管(T1)的漏极(Dr1)和栅极(Gt1)之间的连通性。
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公开(公告)号：CN106558583B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201610773399.6
申请日：2016-08-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 一种半导体装置，用于提高半导体装置的性能。在半导体芯片(CP1)内形成有功率MOSFET和用于检测功率MOSFET的电流的感测MOSFET，由功率MOSFET用的源极电极(ES1)形成源极焊盘(PDS1a)和开尔文焊盘(PDK)。源极焊盘(PDS1a)是用于输出在功率MOSFET中流动的电流的焊盘，开尔文焊盘(PDK)是用于检测功率MOSFET的源极电位的焊盘。源极电极(ES1)具有狭缝(SL1)，在俯视视角下，狭缝(SL1)的至少一部分配置在源极焊盘(PDS1a)和开尔文焊盘(PDK)之间。
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公开(公告)号：CN105491753A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510624073.2
申请日：2015-09-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0629 , B60R16/03 , H01L29/4236 , H01L29/7827 , H03K17/145 , H05B33/089 , H05B37/0227 , H05B39/04 , H05B37/02 , H03K17/08
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及包含该半导体装置的车载电子装置和汽车。一种负载驱动装置，其包括：温度检测器，当输出晶体管的温度和环境温度之间的温差大于基准温差时，其将温差检测信号设置为激活，当输出晶体管的温度高于基准温度时，其将超温检测信号设置为激活；限流器，当任何一个检测信号变为激活时，其限制输出晶体管的GS电流；以及所述输出晶体管，当任何一个检测信号变为激活时，其不管外部输入信号如何而断开。当输出晶体管的温度和环境温度之间的温差等于或小于基准温差时，温度检测器将温差检测信号设置为非激活，当输出晶体管温度等于或小于基准温度时，温度检测器将超温检测信号设置为非激活。
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公开(公告)号：CN102055448A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010537152.7
申请日：2010-11-05
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 中原明宏
IPC: H03K17/08
CPC classification number: H03K17/0822 , H03K17/063 , H03K2017/066 , H03K2217/0018 , H03K2217/0036 , Y10T307/839
Abstract: 本发明涉及一种负载驱动装置。根据本发明的示例性方面的负载驱动装置包括：输出晶体管，该输出晶体管被耦合在第一电源线和输出端子之间，该输出端子被构造为与负载相耦合；驱动器电路，该驱动器电路控制输出晶体管的导通/非导通；补偿晶体管，该补偿晶体管被耦合在输出端子和第二电源线之间，并且当驱动器电路使输出晶体管非导通时以及当第二电源线的电势达到预定值或者更大时变成导通，以保持输出晶体管的非导通状态；以及第一电阻器，该第一电阻器被耦合在第二电源线和补偿晶体管的背栅之间。
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公开(公告)号：CN112333914A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011202887.4
申请日：2015-11-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 一实施方式的电子器件具有布线基板，上述布线基板具有连接有第一外部端子的第一布线、及连接有第二外部端子且沿着上述第一布线延伸的第二布线。另外，上述电子器件具有搭载于上述布线基板且与上述第一布线及上述第二布线分别电连接的半导体器件。另外，上述电子器件具有搭载于上述布线基板且经由上述第一布线及上述第二布线的各布线而与上述半导体器件电连接的电容器。另外，上述半导体器件与上述电容器的距离比上述第一外部端子及上述第二外部端子各自与上述电容器的距离短。
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