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公开(公告)号：CN110429082A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910348457.4
申请日：2019-04-28
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 藤田直树 , 中村弘幸
IPC: H01L27/02 , H01L21/82
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体装置。提高了半导体装置的可靠性。在半导体装置SA1中，电连接到缓冲电容器的电容器电极的缓冲电容器焊盘SNP形成在半导体芯片CHP的表面上。
公开(公告)号：CN110429082B
公开(公告)日：2024-07-09
