公开(公告)号：CN107305851A

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201710267226.1

申请日：2017-04-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 团野忠敏 ,  松下司 ,  锦泽笃志

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49541 ,  H01L21/4828 ,  H01L21/485 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/43 ,  H01L24/46 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2924/181

Abstract: 本公开涉及半导体器件的制造方法以及半导体器件。在半导体器件的可靠性方面实现改进。在形成树脂密封部分以密封裸片焊盘、安装在裸片焊盘上方的半导体芯片、多条引线和多条线之后，将半导体芯片的多个焊盘电极与引线电连接，利用旋转刀切割树脂密封部分和引线以制造半导体器件。在半导体器件中，从密封部分的下表面露出第一和第二引线的每一条的至少部分。第一和第二引线的作为其对应切割表面的端面从作为树脂密封部分的切割表面的密封部分的每个侧面露出。第一引线的端面的下侧与密封部分的上表面之间的距离小于与其相邻的第二引线的端面的上侧与密封部分的上表面之间的距离。

公开(公告)号：CN107305851B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201710267226.1

申请日：2017-04-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 团野忠敏 ,  松下司 ,  锦泽笃志

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

Abstract: 本公开涉及半导体器件的制造方法以及半导体器件。在半导体器件的可靠性方面实现改进。在形成树脂密封部分以密封裸片焊盘、安装在裸片焊盘上方的半导体芯片、多条引线和多条线之后，将半导体芯片的多个焊盘电极与引线电连接，利用旋转刀切割树脂密封部分和引线以制造半导体器件。在半导体器件中，从密封部分的下表面露出第一和第二引线的每一条的至少部分。第一和第二引线的作为其对应切割表面的端面从作为树脂密封部分的切割表面的密封部分的每个侧面露出。第一引线的端面的下侧与密封部分的上表面之间的距离小于与其相邻的第二引线的端面的上侧与密封部分的上表面之间的距离。