公开(公告)号：CN110635848A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201910114579.7

申请日：2019-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖佑广 ,  蔡承竣 ,  余振华 ,  陈方正 ,  邱文智 ,  巫秉融

IPC: H04B10/40

Abstract: 一种光学收发器，所述光学收发器包括光子集成电路组件、电集成电路组件及绝缘包封体。所述光子集成电路组件包括被配置成传送及接收光学信号的至少一个光学输入/输出部。所述电集成电路组件设置在所述光子集成电路组件上且电连接到所述光子集成电路组件。所述绝缘包封体覆盖所述光子集成电路组件的所述至少一个光学输入/输出部。所述绝缘包封体在侧向上包封所述电集成电路组件。所述绝缘包封体对所述光学信号是光学透明的。

公开(公告)号：CN110197798A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201811286450.6

申请日：2018-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  廖鄂斌 ,  邱文智

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种结合设备包括承载盘及结合头。所述承载盘被配置成承载待结合的多个衬底。所述结合头具有面对所述承载盘的凹槽，且包括分隔板、至少一个可充气组件及膜片。所述分隔板设置在所述凹槽中且将所述凹槽划分成多个隔间。所述至少一个可充气组件设置在所述隔间中的至少一者中。所述膜片覆盖所述凹槽且设置在所述至少一个可充气组件与所述承载盘之间。

公开(公告)号：CN106206499B

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201510298785.X

申请日：2015-06-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡承竣 ,  张宏宾 ,  杨固峰 ,  陈怡秀 ,  邱文智

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供了半导体器件和方法，该方法利用单个掩模来形成用于衬底通孔以及介电通孔的开口。在实施例中，在第一半导体器件和第二半导体器件上方和之间沉积接触蚀刻停止层。在第一半导体器件和第二半导体器件之间的接触蚀刻停止层上方沉积介电材料。利用接触蚀刻停止层和介电材料的不同材料，使得单个掩模可以用于形成穿过第一半导体器件的衬底通孔并且以形成穿过介电材料的介电通孔。

公开(公告)号：CN106952833A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201610849228.7

申请日：2016-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  林咏淇 ,  邱文智

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/52 ,  H01L23/538 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 一种方法包括在第一载体上方放置多个第一器件管芯，其中，多个第一器件管芯和第一载体组合形成第一复合晶圆。第一复合晶圆接合至第二晶圆，并且通过混合接合，多个第一器件管芯接合至第二晶圆中的多个第二器件管芯。该方法还包括：从多个第一器件管芯分离第一载体，将多个第一器件管芯密封在密封材料中，以及在多个第一器件管芯和密封材料上方形成互连结构。本发明实施例涉及一种封装件及其制造方法。

公开(公告)号：CN102569128B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201110397985.2

申请日：2011-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俞良 ,  吴文进 ,  林俊成 ,  邱文智

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  B08B7/04 ,  B08B13/00

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/68728

Abstract: 公开了一种用于清洁薄晶圆的器件和系统。一种优选实施例包括旋转夹盘，该旋转夹盘具有至少三个固定卡具。带有晶圆框架的薄晶圆通过胶带层安装在旋转夹盘上。当固定卡具打开时，晶圆框架的移除和放置不会受到阻碍。另一方面，当固定卡具锁定时，该固定卡具与晶圆框架的外边缘相接触，从而防止晶圆框架横向移动。而且，处于锁定状态的固定卡具的形状能够防止晶圆框架纵向移动。

公开(公告)号：CN104425451A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310603941.X

申请日：2013-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林咏淇 ,  陈彦宏 ,  陈盈桦 ,  廖鄂斌 ,  杨固峰 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及具有衬底通孔结构的器件及其形成方法。本发明的器件包括：位于半导体衬底上的第一介电层、形成在第一介电层中的栅电极、以及穿透第一介电层并延伸至半导体衬底内的衬底通孔（TSV）结构。TSV结构包括导电层、环绕导电层的扩散阻挡层以及环绕扩散阻挡层的隔离层。在TSV结构的导电层的顶面上形成包括钴的覆盖层。

公开(公告)号：CN102738119B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201210104185.1

申请日：2012-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  张正宏 ,  廖鄂斌 ,  余佳霖 ,  王湘仪 ,  张俊华 ,  黄立贤 ,  郭智维 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体元件包括具有顶面的半导体衬底。开口从顶面延伸至半导体衬底中。该开口包括内表面。具有第一压缩应力的第一介电衬里设置在开口的内表面上。具有拉伸应力的第二介电衬里设置在第一介电衬里上。具有第二压缩应力的第三介电衬里设置在第二介电衬里上。金属阻挡层设置在第三介电衬里上。导电材料设置在金属阻挡层上并填充开口。本发明还提供了一种用于半导体衬底的贯穿硅通孔及其生产方法。

公开(公告)号：CN103681549A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210539996.4

申请日：2012-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林咏淇 ,  陈新瑜 ,  黄麟智 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53271 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L27/088 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种装置包括形成在衬底中的通孔。通孔耦合在衬底的第一侧和第二侧之间。通孔包括紧邻衬底的第二侧的底部，其中，底部由导电材料形成。通孔进一步包括由导电材料形成的侧壁部和形成在侧壁部之间的中部，其中，中部由介电材料形成。本发明还提供了通孔结构及方法。

公开(公告)号：CN102420210B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201110218303.7

申请日：2011-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  邱文智 ,  廖鄂斌 ,  吴仓聚

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00

Abstract: 具有硅通孔(TSV)的器件及其形成方法包括：在硅衬底中形成开口，在开口的侧壁和底部上形成第一绝缘层，在开口的侧壁和底部上形成第二绝缘层。第一绝缘层和硅衬底之间的第一界面具有小于5nm的峰谷高度的界面粗糙度。第二绝缘层和导电层之间的第二界面具有小于5nm的峰谷高度的界面粗糙度。

公开(公告)号：CN103456601A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201210425190.2

申请日：2012-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张俊华 ,  叶德强 ,  郑光伟 ,  刘源鸿 ,  侯上勇 ,  邱文智 ,  郑心圃

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/53295 ,  H01L28/60 ,  H01L29/02 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了设计用于诸如中介片的衬底的电容器及其制造方法。在中介片中形成通孔，并且在底层金属层和更高层金属层之间形成电容器。例如，电容器可以是具有双电容器介电层的平面电容器。