公开(公告)号：CN109103124A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810521429.3

申请日：2018-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑泳 ,  姜泌圭 ,  金石镐 ,  文光辰 ,  李来寅 ,  李镐珍

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种晶片结合装置，用于在晶片结合工艺和/或包括所述晶片结合装置的晶片结合系统中精确地检测晶片的结合状态。所述晶片结合装置包括：第一支撑板，包括第一表面和用于真空吸附在第一表面上设置的第一晶片的真空槽；第二支撑板，包括面对第一表面的第二表面。第二晶片在第二表面上。所述晶片结合装置和/或所述晶片结合系统包括位于第一支撑板的中心部分处的结合引发器和位于第一支撑板上的区域传感器，所述区域传感器被配置为检测第一晶片与第二晶片之间的结合的传播状态。

公开(公告)号：CN108004583A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711043826.6

申请日：2017-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东灿 ,  文光辰 ,  朴炳律 ,  李来寅 ,  李镐珍

IPC: C25D17/00 ,  C25D5/00

CPC classification number: C25D5/006 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/005 ,  C25D21/12 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种电镀设备包括：电镀槽，包括安装于其中的阳极和容纳于其中的电镀溶液；基底保持器，被构造为保持将要浸到电镀溶液中的基底，并且包括围绕基底的支撑件和位于支撑件上以电连接到基底的外围的阴极；磁场产生组件，设置在支撑件中，并且包括沿基底的圆周延伸的至少一个电磁线圈；以及电源，被构造为将电流供应到电磁线圈。

公开(公告)号：CN107808860A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201710475431.7

申请日：2017-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全炯俊 ,  李来寅 ,  朴炳律

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/045 ,  H01L23/047 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L24/02 ,  H01L23/3107 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02379

Abstract: 本发明提供一种叠层封装型的半导体封装，其包含：下部封装，所述下部封装包含：印刷电路板(printed circuit board，PCB)衬底，所述PCB衬底包含多个基底层以及穿透多个基底层的腔室；第一半导体芯片，其在所述腔室中；重布线结构，其在PCB衬底的第一表面上并且在第一半导体芯片的有源表面上；第一覆盖层，其覆盖重布线结构；以及第二覆盖层，其覆盖PCB衬底的第二表面和第一半导体芯片的无源表面；以及上部封装，其在下部封装的第二覆盖层上并且包含第二半导体芯片。

公开(公告)号：CN107017199A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611100627.X

申请日：2016-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安商燻 ,  白宗玟 ,  宋明根 ,  刘禹炅 ,  赵炳权 ,  金秉熙 ,  李来寅

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76835

Abstract: 本公开提供制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在基板上的第一电介质层中形成凹槽，第一电介质层包括在凹槽之间的第一部分；在每个凹槽中形成第一阻挡层和互连层；使互连层和第一阻挡层凹陷；在凹陷的互连层上形成覆盖图案；通过第一蚀刻工艺蚀刻第一部分的至少一部分；通过第二蚀刻工艺继续蚀刻覆盖图案和第一部分的至少一部分以形成沟槽；在沟槽中以及在凹陷的互连层上共形地形成第二阻挡层；以及在第二阻挡层上形成第二电介质层而不填充沟槽，使得气隙形成在沟槽中。

公开(公告)号：CN106952892A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201610934242.7

申请日：2016-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洛焕 ,  金秉熙 ,  金镇南 ,  白宗玟 ,  李来寅 ,  郑恩志

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53228

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括层间绝缘膜、具有第一宽度的第一沟槽和具有第二宽度的第二沟槽，第二沟槽包括上部和下部，第二宽度大于第一宽度，第一导线基本上填充第一沟槽并包括第一金属，并且第二导线基本上填充第二沟槽并包括下导线和上导线，下导线基本上填充第二沟槽的下部并包括第一金属，并且上导线基本上填充第二沟槽的上部并包括与第一金属不同的第二金属。

公开(公告)号：CN103839944A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310585436.7

申请日：2013-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  姜显澈 ,  卢东贤 ,  朴判贵 ,  慎居明 ,  李来寅 ,  李哲雄 ,  郑会晟 ,  金永倬

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7836

Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。

公开(公告)号：CN103839890A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310585778.9

申请日：2013-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  李哲雄 ,  郑会晟 ,  金永倬 ,  李来寅

IPC: H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/088 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834

Abstract: 公开了包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。该方法可以包括在有源区中形成包含磷的快刻蚀区、以及通过使快刻蚀区凹进来在有源区中形成第一沟槽。该方法还可以包括通过使用定向刻蚀处理扩大第一沟槽来在有源区中形成第二沟槽、以及在第二沟槽中形成应力源。第二沟槽可以包括有源区的凹口部分。

公开(公告)号：CN101299440A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810086977.4

申请日：2008-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  田重锡 ,  李正贤 ,  李来寅 ,  朴连植 ,  李化成 ,  李浩 ,  赵世泳 ,  金锡必

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66439 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02601 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/426 ,  H01L2221/1094

Abstract: 本发明提供了一种具有至少一个Ge纳米棒的场效应晶体管以及场效应晶体管的制造方法。该场效应晶体管可以包括：栅极氧化物层，形成在硅基底上；至少一个Ge纳米棒，埋入在栅极氧化物层中，其中，Ge纳米棒的两端被暴露；源电极和漏电极，连接到至少一个Ge纳米棒的相对侧；栅电极，在源电极和漏电极之间形成在栅极氧化物层上。

公开(公告)号：CN1542978A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410043024.1

申请日：2004-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成浩 ,  李来寅 ,  高光旭 ,  裵金钟 ,  金基喆 ,  金辰熙 ,  曹寅昱 ,  金相秀

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/112 ,  G11C16/04

CPC classification number: H01L27/11568 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明公开了一种字节操作非易失性半导体存储装置，其能够一次擦除一个字节的已存储的数据。字节存储单元可包括多个1字节存储晶体管的存储单元陈列。该些1字节存储晶体管可以沿一个方向排列，其每一个包括形成在有源区中的结区和沟道区。字节存储单元可包括字节选择晶体管。该选择晶体管可以设置在有源区中，并且包括直接与每个该1字节存储晶体管的结相邻的结区。该字节选择晶体管可以垂直于该些1字节存储晶体管排列方向地设置在该些1字节存储晶体管的上面或下面。

公开(公告)号：CN109103124B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201810521429.3

申请日：2018-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑泳 ,  姜泌圭 ,  金石镐 ,  文光辰 ,  李来寅 ,  李镐珍

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种晶片结合装置，用于在晶片结合工艺和/或包括所述晶片结合装置的晶片结合系统中精确地检测晶片的结合状态。所述晶片结合装置包括：第一支撑板，包括第一表面和用于真空吸附在第一表面上设置的第一晶片的真空槽；第二支撑板，包括面对第一表面的第二表面。第二晶片在第二表面上。所述晶片结合装置和/或所述晶片结合系统包括位于第一支撑板的中心部分处的结合引发器和位于第一支撑板上的区域传感器，所述区域传感器被配置为检测第一晶片与第二晶片之间的结合的传播状态。