公开(公告)号：CN106128958B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201610293686.7

申请日：2016-05-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在焕 ,  金相秀 ,  洪祥赫 ,  河承模

IPC: H01L21/336

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：形成从衬底突出的有源图案；在所述有源图案上形成衬里层；在所述衬里层上形成与所述有源图案交叉的牺牲栅极图案；在所述有源图案上以及在所述牺牲栅极图案的两侧形成源极/漏极区；形成层间绝缘层以覆盖所述源极/漏极区；在所述层间绝缘层上形成多个封盖绝缘图案，以暴露所述牺牲栅极图案；以及通过使用所述封盖绝缘图案作为刻蚀掩模的刻蚀工艺去除所述牺牲栅极图案和所述衬里层，以形成暴露所述有源图案的间隙区。所述有源图案包括具有比所述衬底的晶格常数大的晶格常数的材料，并且所述封盖绝缘图案包括相对于所述衬里层具有刻蚀选择性的材料。

公开(公告)号：CN110828570A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910609149.2

申请日：2019-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁正吉 ,  金相秀 ,  金善昱 ,  裵金钟 ,  宋昇珉 ,  郑秀真

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括：鳍型有源区，沿第一方向延伸、从衬底突出；多个纳米片堆叠结构；阻挡膜，覆盖所述多个纳米片堆叠结构之中与鳍型有源区的两侧相邻的一对纳米片堆叠结构的每个的上表面的一部分和一个侧壁；栅电极，在鳍型有源区上沿与第一方向交叉的第二方向延伸，栅电极包括围绕所述多个纳米片的实际栅电极和设置在阻挡膜上的虚设栅电极；以及栅极电介质层，在实际栅电极与所述多个纳米片之间以及虚设栅电极与阻挡膜之间。

公开(公告)号：CN108461394A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810358912.4

申请日：2012-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡勋 ,  金相秀 ,  高铤槿 ,  李善佶 ,  赵真英

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7847 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明提供一种采用应力记忆技术制造半导体器件的方法及半导体器件。所述方法包括：提供支撑栅电极的衬底；通过执行预非晶化注入(PAI)工艺并且在PAI工艺中或与PAI工艺分离地将C或N注入源/漏区中而将位于栅电极两侧的源/漏区非晶化和掺杂；在衬底上形成引力诱导层以覆盖非晶化的源/漏区；以及随后通过对衬底进行退火而使源/漏区再结晶。然后，可去除应力诱导层。此外，在源/漏区已经非晶化之后可将C或N注入整个源/漏区中，或者仅注入非晶化的源/漏区的上部分。

公开(公告)号：CN102851643A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210227849.3

申请日：2012-07-02

Applicant: 三星电子株式会社 ,  YMC株式会社

Inventor： 朴京一 ,  全勤益 ,  金相秀 ,  李允龙

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3407 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3497 ,  Y10T29/49947

Abstract: 本发明提供了非粘合溅射结构以及形成用于溅射的结构的方法。该非粘合溅射结构包括具有板状的溅射靶和具有板状的背板。背板面对溅射靶，并且溅射靶和背板的面对表面彼此接触。背板包括：主体，具有纵轴；以及冷却构件，冷却材料通过冷却构件在主体的实质上平行于纵轴的纵向方向上流动。冷却材料将由溅射而从溅射靶产生的热传导到背板的外部。该非粘合型溅射结构还包括多个非粘合紧固构件，该多个非粘合紧固构件保持背板和溅射靶的面对表面彼此接触。非粘合紧固构件延伸穿过背板的厚度且对应于背板的不包括冷却构件的区域。

公开(公告)号：CN1619704A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410102344.X

申请日：2004-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基喆 ,  高光旭 ,  裵金钟 ,  金相秀 ,  林宝丽

IPC: G11C16/10 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C16/0425

Abstract: 提供了一种非易失性存储器件的编程方法，其包括非易失性存储器件的预编程和已预编程的非易失性存储器件的主编程。非易失性存储器件可包括顺序叠置在半导体衬底上的隧道介电层、电荷存储层、阻挡介电层和栅电极。电荷存储层可以是电浮置的导电层或具有陷阱点的介电层。通过在执行预编程之后执行主编程以增加非易失性存储器件的阈值电压，编程电流可以被有效地减少。

公开(公告)号：CN1607667A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410092147.4

申请日：2004-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基喆 ,  曹寅昱 ,  李秉镇 ,  金相秀 ,  林宝丽

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明公开了一种采用多个介电纳米团簇的永久性存储单元及其制造方法。在一实施方式中，所述永久性存储单元包括具有沟道区的半导体基底。将控制栅设置于沟道区上。在沟道区和控制栅之间设置控制栅介电层。在沟道区和控制栅介电层之间设置多个介电纳米团簇。控制栅介电层将每个纳米团簇与相邻的纳米团簇分隔。在多个介电纳米团簇和沟道区之间设置隧道氧化物层。此外，在半导体基底上形成源极和漏极。

公开(公告)号：CN1322016A

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：CN01100202.6

申请日：2001-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵金钟 ,  崔兑僖 ,  金相秀 ,  李化成 ,  李来寅 ,  李庚旭

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66916 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L21/76259 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/802

Abstract: CMOS集成电路器件包括电绝缘层和在电绝缘层上的未形变的硅有源层。并在未形变的硅有源层表面上设置绝缘栅电极。在电绝缘层和未形变的硅有源层之间还设置Si1－xGex层。Si1－xGex层与未形变的硅有源层形成第一结,并具有沿从峰值朝未形变的硅有源层的表面延伸的第一方向单调地降低的渐变Ge浓度。

公开(公告)号：CN110828570B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201910609149.2

申请日：2019-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁正吉 ,  金相秀 ,  金善昱 ,  裵金钟 ,  宋昇珉 ,  郑秀真

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括：鳍型有源区，沿第一方向延伸、从衬底突出；多个纳米片堆叠结构；阻挡膜，覆盖所述多个纳米片堆叠结构之中与鳍型有源区的两侧相邻的一对纳米片堆叠结构的每个的上表面的一部分和一个侧壁；栅电极，在鳍型有源区上沿与第一方向交叉的第二方向延伸，栅电极包括围绕所述多个纳米片的实际栅电极和设置在阻挡膜上的虚设栅电极；以及栅极电介质层，在实际栅电极与所述多个纳米片之间以及虚设栅电极与阻挡膜之间。

公开(公告)号：CN105047698B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201510136837.3

申请日：2015-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  权兑勇 ,  金相秀 ,  朴在厚

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供了半导体器件。该半导体器件可以包括：场绝缘层，在衬底的顶表面上并包括限定在该场绝缘层中的在第一方向上延伸的沟槽；鳍型有源图案，从所述衬底的所述顶表面延伸并穿过限定在所述场绝缘层中的所述沟槽，所述鳍型有源图案包括接触所述衬底的第一下图案和接触所述第一下图案且从所述衬底突出得比所述场绝缘层远的第一上图案，所述第一上图案包括与所述第一下图案不同的晶格改变材料，所述鳍型有源图案包括第一鳍部分以及在所述第一鳍部分的在所述第一方向上的两侧的第二鳍部分；以及第一栅电极，交叉所述鳍型有源图案并在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。

公开(公告)号：CN105047698A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510136837.3

申请日：2015-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  权兑勇 ,  金相秀 ,  朴在厚

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供了半导体器件。该半导体器件可以包括：场绝缘层，在衬底的顶表面上并包括限定在该场绝缘层中的在第一方向上延伸的沟槽；鳍型有源图案，从所述衬底的所述顶表面延伸并穿过限定在所述场绝缘层中的所述沟槽，所述鳍型有源图案包括接触所述衬底的第一下图案和接触所述第一下图案且从所述衬底突出得比所述场绝缘层远的第一上图案，所述第一上图案包括与所述第一下图案不同的晶格改变材料，所述鳍型有源图案包括第一鳍部分以及在所述第一鳍部分的在所述第一方向上的两侧的第二鳍部分；以及第一栅电极，交叉所述鳍型有源图案并在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。