公开(公告)号：CN100367506C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200410043024.1

申请日：2004-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成浩 ,  李来寅 ,  高光旭 ,  裵金钟 ,  金基喆 ,  金辰熙 ,  曹寅昱 ,  金相秀

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/112 ,  G11C16/04

CPC classification number: H01L27/11568 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明公开了一种字节操作非易失性半导体存储装置，其能够一次擦除一个字节的已存储的数据。字节存储单元可包括多个1字节存储晶体管的存储单元阵列。该些1字节存储晶体管可以沿一个方向排列，其每一个包括形成在有源区中的结区和沟道区。字节存储单元可包括字节选择晶体管。该选择晶体管可以设置在有源区中，并且包括直接与每个该1字节存储晶体管的结相邻的结区。该字节选择晶体管可以垂直于该些1字节存储晶体管排列方向地设置在该些1字节存储晶体管的上面或下面。

公开(公告)号：CN1326245C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200410001272.X

申请日：2004-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵金钟 ,  李来寅 ,  金相秀 ,  金基喆 ,  金辰熙 ,  曹寅昱 ,  金成浩 ,  高光旭

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/7923 ,  Y10S438/954

Abstract: 本发明公开了一种局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)结构及其制造方法。该局部SONOS结构具有两片栅极和自对准氧化物-氮化物-氧化物(ONO)结构，包括：衬底；ONO结构，在衬底上；第一栅极层，在ONO结构上并与其对准；栅极绝缘体，在ONO结构旁的衬底上；以及，第二栅极层，在第一栅极层上和栅极绝缘体上。第一和第二栅极层彼此电连接。ONO结构、第一和第二栅极层一同限定了至少1位局部SONOS结构。相应的制造方法包括：设置衬底；在衬底上形成ONO结构；在ONO结构上形成第一栅极层并且第一栅极层与ONO结构对准；在ONO结构旁的衬底上形成栅极绝缘体；在第一栅极层和栅极绝缘体上形成第二栅极层；以及电连接第一和第二栅极层。

公开(公告)号：CN1194568C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN01121698.0

申请日：2001-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基喆

IPC: H04Q7/22 ,  H04L12/64 ,  H04B7/26 ,  H04Q3/00 ,  H04M11/00

CPC classification number: H04W88/10 ,  H04M3/42263 ,  H04W84/105

Abstract: 在连接到PLMN、PSTN/ISDN和IP网络的通信系统中的建筑物内的统一通信方法，包括：设置公共小区区域，使无线公共和公司内服务可用于规定区域；连接MSC到PLMN；使用注册的移动终端作为小区中的分机，并绕过此非注册移动终端，使PLMN可以共用一个基站。注册的移动终端可以和有线或无线分机终端通信，并通过IP网无线接收数据服务。建筑内的无线通信在单的小区内被执行，以便越区切换不会发生。即使对相同的服务提供者，当注册的移动终端移出公共小区并移入PLMN时，越区切换不会发生，反之亦然。

公开(公告)号：CN1531107A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200310118865.X

申请日：2003-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相秀 ,  李来寅 ,  裵金钟 ,  金基喆 ,  李化成

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/4232 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明提供凹切栅极SONOS晶体管及其制造方法，所述凹切栅极SONOS晶体管包括：具有源/漏区的衬底；位于源/漏区之间的衬底上的栅绝缘层；凹切栅极结构，位于所述栅绝缘层上，并具有至少一个凹切；以及分别位于栅极结构的所述至少一个凹切中的至少一个ONO楔形结构。

公开(公告)号：CN100525543C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN03148299.6

申请日：2003-07-02

Applicant: 三星电子株式会社 ,  艾尔普安特有限公司

Inventor： 金基喆 ,  白承濬

IPC: H04W88/08 ,  H04W92/12

CPC classification number: H04W92/12 ,  H04W88/085

Abstract: 一种用于在移动终端和基站控制器之间移动通信的基站系统，该基站系统使用数字调制解调器单元，以便接收要从基站控制器传输到移动终端的信号，依据不同于以太网特定的数据格式的、用于传输的帧格式，成帧接收到的信号，数字调制解调器单元通过使用双绞线电缆的以太网，传输串行的多个远端RF单元帧，至少一个远端RF单元集线器接收由数字调制解调器单元传输的远端RF单元数据帧，并且通过使用双绞线电缆的以太网，将接收到的远端RF单元帧分配到多个远端RF单元，多个远端RF单元通过对从远端RF单元集线器接收到的远端RF单元帧进行解帧，产生解帧后的信号，将解帧后的信号调制为RF信号，并且将RF信号传输到移动终端。

公开(公告)号：CN1787218A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200510056549.3

申请日：2005-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基喆 ,  郑永天 ,  权赫基

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/10 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7883 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11553 ,  H01L29/42336

Abstract: 提供一种非易失存储器件，包括具有在衬底的表面中限定的沟槽中形成的下部分和从下部分突出到衬底表面的上部分的浮置栅极。栅极绝缘层沿着沟槽的内壁形成并插在沟槽和浮置栅极的下部分之间。源区形成在邻接沟槽的第一侧壁的衬底中。控制栅极具有形成在邻接沟槽的第二侧壁的衬底表面上的第一部分和形成在浮置栅极的上部分上方且从第一部分延伸的第二部分。沟槽的第一侧壁与沟槽的第二侧壁相对。栅极间绝缘层形成在浮置栅极的上部分上并插在浮置栅极和控制栅极之间，漏区形成在邻接控制栅极的衬底的表面中并与沟槽的第二侧壁隔开。

公开(公告)号：CN1619704A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410102344.X

申请日：2004-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基喆 ,  高光旭 ,  裵金钟 ,  金相秀 ,  林宝丽

IPC: G11C16/10 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C16/0425

Abstract: 提供了一种非易失性存储器件的编程方法，其包括非易失性存储器件的预编程和已预编程的非易失性存储器件的主编程。非易失性存储器件可包括顺序叠置在半导体衬底上的隧道介电层、电荷存储层、阻挡介电层和栅电极。电荷存储层可以是电浮置的导电层或具有陷阱点的介电层。通过在执行预编程之后执行主编程以增加非易失性存储器件的阈值电压，编程电流可以被有效地减少。

公开(公告)号：CN1607667A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410092147.4

申请日：2004-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基喆 ,  曹寅昱 ,  李秉镇 ,  金相秀 ,  林宝丽

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明公开了一种采用多个介电纳米团簇的永久性存储单元及其制造方法。在一实施方式中，所述永久性存储单元包括具有沟道区的半导体基底。将控制栅设置于沟道区上。在沟道区和控制栅之间设置控制栅介电层。在沟道区和控制栅介电层之间设置多个介电纳米团簇。控制栅介电层将每个纳米团簇与相邻的纳米团簇分隔。在多个介电纳米团簇和沟道区之间设置隧道氧化物层。此外，在半导体基底上形成源极和漏极。

公开(公告)号：CN100385678C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200310118865.X

申请日：2003-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相秀 ,  李来寅 ,  裵金钟 ,  金基喆 ,  李化成

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/4232 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明提供凹切栅极SONOS晶体管及其制造方法，所述凹切栅极SONOS晶体管包括：具有源/漏区的衬底；位于源/漏区之间的衬底上的栅绝缘层；凹切栅极结构，位于所述栅绝缘层上，并具有至少一个凹切；以及分别位于栅极结构的所述至少一个凹切中的至少一个ONO楔形结构。

公开(公告)号：CN1323439C

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200410092147.4

申请日：2004-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基喆 ,  曹寅昱 ,  李秉镇 ,  金相秀 ,  林宝丽

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明公开了一种采用多个介电纳米团簇的永久性存储单元及其制造方法。在一实施方式中，所述永久性存储单元包括具有沟道区的半导体衬底。将控制栅设置于沟道区上。在沟道区和控制栅之间设置控制栅介电层。在沟道区和控制栅介电层之间设置多个介电纳米团簇。控制栅介电层将每个纳米团簇与相邻的纳米团簇分隔。在多个介电纳米团簇和沟道区之间设置隧道氧化物层。此外，在半导体衬底上形成源极和漏极。