公开(公告)号：CN104867967B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201410327473.2

申请日：2014-07-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 江宗育 ,  陈光鑫

IPC分类号： H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78606

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、位于衬底上的栅极结构、在衬底中邻近一对间隔件的源极/漏极区、紧邻栅极结构并上覆衬底的蚀刻停止层、延伸到源极/漏极区中并与栅极结构部分重叠的接触塞、位于上覆衬底的蚀刻停止层上方并覆盖紧邻栅极结构而没有接触塞的蚀刻停止层的保护层以及位于保护层上方的层间介电层。接触塞与栅极结构没有接触件与栅极的短路问题。

公开(公告)号：CN107180786A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201611108883.3

申请日：2016-12-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 李劭宽 ,  黄心岩 ,  陈海清

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/535

CPC分类号： H01L21/76835 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/84 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/52 ,  H01L23/535

摘要： 本公开提供了一种半导体元件结构及其形成方法。半导体元件结构包括半导体基底及位于半导体基底上的介电层。介电层具有保护区域及较下部分，较下部分介于保护区域与半导体基底之间。保护区域较介电层的较下部分包含更多的碳。半导体元件结构还包括导电部件。导电部件穿过保护区域，且导电部件的较低部分由介电层的较下部分所围绕。

公开(公告)号：CN107154341A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201610654576.9

申请日：2016-08-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 赖文隆 ,  蒋振劼 ,  郑志成 ,  张简旭珂

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/187 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L21/022 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76853

摘要： 本发明公开了集成电路及其制造方法。集成电路包括晶体管、第一介电层、蚀刻停止层、第一通孔和第一导电层。第一介电层设置在晶体管和蚀刻停止层之间。第一通孔设置在第一介电层和蚀刻停止层中，并且电连接至晶体管。第一导电层与第一通孔接触，其中第一通孔设置在第一导电层和晶体管之间，并且蚀刻停止层位于部分第一通孔旁边并且与第一导电层相邻。

公开(公告)号：CN107112278A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580068587.2

申请日：2015-11-17

申请人： 应用材料公司

发明人： D·帕德希 ,  陈一宏 ,  K·陈 ,  A·B·玛里克 ,  A·T·迪莫斯 ,  M·斯利尼瓦萨恩

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  C23C16/30 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L23/5329 ,  C23C16/30 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/76832

摘要： 在此所述的实施例一般涉及含硅与铝层的形成。在此所述的包法可包括：将基板定位在工艺腔室的处理区域中；输送工艺气体到该处理区域，该工艺气体包含含铝气体与含硅气体；活化反应物气体，该反应物气体包含含氮气体、含氢气体、或上述的组合物；输送该反应物气体到该工艺气体以产生沉积气体，该沉积气体将含硅与铝层沉积在该基板上；及净化该处理区域。可执行上述步骤一或更多次以沉积蚀刻终止层。

公开(公告)号：CN107068757A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611233438.X

申请日：2016-12-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 谢文佳 ,  罗以君

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/535 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66795

摘要： 本发明提供了一种FinFET器件，FinFET器件包括具有至少一个鳍的衬底、栅极堆叠件、间隔件、应变层和复合蚀刻停止层。栅极堆叠件横跨至少一个鳍。间隔件在栅极堆叠件的侧壁上。应变层在衬底中并位于栅极堆叠件旁边。复合蚀刻停止层在间隔件上和应变层上。此外，复合蚀刻停止层在间隔件上较厚但是在应变层上较薄。本发明实施例涉及FINFET器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN106887422A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201610688826.0

申请日：2016-08-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  林俊成 ,  符策忠

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76888 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/1183 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/49894 ,  H01L21/4803 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838

摘要： 本发明的实施例提供了封装件结构及其形成方法。封装件结构包括衬底和在衬底上方形成的半导体管芯。封装件结构还包括覆盖半导体管芯的封装件层和在封装件层中形成的导电结构。封装件结构包括在导电结构上形成的第一绝缘层，并且第一绝缘层包括一价金属氧化物。在第一绝缘层和封装件层之间形成第二绝缘层。第二绝缘层包括一价金属氧化物，并且第二绝缘层中的一价金属氧化物的重量比大于第一绝缘层中的一价金属氧化物的重量比。

公开(公告)号：CN106601664A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610651829.7

申请日：2016-08-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴永旭 ,  陈海清 ,  蔡荣训 ,  眭晓林 ,  包天一

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/532 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/5329

摘要： 在衬底上方形成互连结构的层。该层含有层间介电(ILD)材料和在ILD中设置的金属线。在ILD上但是不在金属线上形成第一蚀刻停止层。通过选择性原子层沉积(SALD)工艺形成第一蚀刻停止层。在第一蚀刻停止层上方形成第二蚀刻停止层。在第一和第二蚀刻停止层之间存在较高的蚀刻选择性。形成的通孔至少部分地与金属线对准，并且电连接至金属线。在通孔的形成期间，第一蚀刻停止层防止ILD被蚀刻穿过。本发明的实施例还涉及形成有选择性沉积蚀刻停止层的自对准通孔的方法和装置。

公开(公告)号：CN106486421A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610728319.5

申请日：2016-08-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 方立言 ,  曹荣志 ,  梁耀祥 ,  林俞谷

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/535 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76832

摘要： 本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底、介电结构、阻挡层、胶层、铜晶种层和铜层。介电结构设置在衬底上方。介电结构具有穿过介电结构的导通孔，并且导通孔的侧壁包括至少一个凹口。阻挡层共形地覆盖导通孔的侧壁和底部。胶层共形地覆盖阻挡层。铜晶种层共形地覆盖胶层。铜层覆盖铜晶种层并填充导通孔。本发明还提供了一种用于形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN106409798A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610603191.X

申请日：2016-07-27

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： S·克兰普

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L21/76832 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06505 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45157 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48491 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2924/01074 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/1601

摘要： 根据各种实施例，一种半导体器件可以包括：在半导体器件的正面上的至少一个第一接触垫；在半导体器件的正面上的至少一个第二接触垫；至少部分被置于至少一个第一接触垫之上的层堆叠，其中至少一个第二接触垫至少部分没有层堆叠；其中层堆叠至少包括粘附层和金属化层；并且其中金属化层包括金属合金并且其中粘附层被置于金属化层与至少一个第一接触垫之间以用于将金属化层的金属合金粘附至至少一个第一接触垫。

公开(公告)号：CN103985740B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201410032503.7

申请日：2014-01-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李章熙 ,  白宗玟 ,  韩奎熙 ,  崔吉铉 ,  洪琮沅

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L23/4821 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L23/5222 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0001

摘要： 本发明公开半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底上的第一导电线；以及覆盖第一导电线的第一成型层。第一导电线在相邻的第一导电线之间具有第一间隙和第二间隙。第一成型层的底表面和第一导电线的位于第一成型层的底表面之下的侧壁共同定义第一间隙。第一成型层的顶表面和第一导电线的位于第一成型层的顶表面之上的侧壁共同定义第二间隙。