公开(公告)号：CN103700677B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201310031116.7

申请日：2013-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴政达 ,  焦圣杰 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  蔡双吉

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14698 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685

Abstract: 在衬底的正面中形成光电检测器。从衬底的背面减薄衬底。将多种掺杂剂从背面引入减薄衬底中。对减薄衬底中的多种掺杂剂进行退火。在减薄衬底的背面上方沉积抗反射层。在抗反射层上方形成微透镜。在上述步骤的至少一个步骤之后，实施至少一次紫外线(UV)辐射处理。本发明还提供了图像装置及其形成方法。

公开(公告)号：CN103378117B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310129824.4

申请日：2013-04-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 丁世汎 ,  赖志育 ,  吴政达 ,  杜友伦 ,  王俊智

IPC: H01L27/146

Abstract: 具有负电荷层的半导体图像传感器器件包括具有p型区域的半导体衬底，接近半导体衬底的正面位于p型区域中的多个辐射感应区域和接近多个辐射感应区域邻接p型区域的负电荷层。负电荷层可以是富氧氧化硅、高k金属氧化物或氮化硅，形成为浅沟槽隔离部件中的衬垫、晶体管栅极的侧壁间隔件或偏移间隔件、自对准硅化物阻挡层、位于自对准硅化物阻挡层下面的缓冲层、背表面层或它们的组合。

公开(公告)号：CN103794584A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310046609.8

申请日：2013-02-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  陈思莹 ,  王铨中 ,  黄志辉 ,  黄信华 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0504 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/059 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明所述的扩散阻挡层的实施例提供了用于形成铜扩散阻挡层以阻止用于混合接合晶圆的器件退化的机制。(一层或多层)扩散阻挡层环绕用于混合接合的含铜导电焊盘。扩散阻挡层可以位于两个接合晶圆中的一个上或位于这两个接合晶圆上。

公开(公告)号：CN102446930B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201110054069.9

申请日：2011-03-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周世培 ,  刘世昌 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14627 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制作方法与图像感测元件。图像感测元件包括：一像素，位于一基板中；一第一微透镜，内埋于位于基板上的一膜层中，第一微透镜的一第一上表面具有一角状的顶端；一彩色滤光片，位于膜层上；以及一第二微透镜，位于彩色滤光片上，第二微透镜的一第二上表面具有一接近圆形的轮廓；其中像素、第一微透镜、彩色滤光片、以及第二微透镜皆至少部分彼此对齐。本发明的半导体元件的制作工艺相当快速且便宜，而且光聚焦性能较佳。

公开(公告)号：CN101853801B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200910162400.1

申请日：2009-08-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  喻中一 ,  许哲颖 ,  杜友伦 ,  周大翔 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/302 ,  H01L21/71

CPC classification number: H01L21/6838 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供了一种固定器件的装置和方法。该装置包括晶片夹，其具有延伸穿过其中的第一和第二孔，以及压力控制结构，其能够独立地并选择性地在环境压力之上和之下的压力之间改变每个所述第一和第二孔中的压力。该方法包括提供晶片夹，该晶片夹具有延伸穿过其中的第一和第二孔，独立地并选择性地在环境压力之上和之下的压力之间改变每个第一和第二孔中的流体压力。

公开(公告)号：CN101330003B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200810085960.7

申请日：2008-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴志达 ,  李正德 ,  王从建 ,  林杏莲 ,  王郁仁 ,  杜友伦 ,  徐晨祐 ,  刘源鸿 ,  罗际兴 ,  蔡嘉雄 ,  张舒雯 ,  陈佳麟 ,  蔡明志

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

Abstract: 本发明涉及一种形成半导体结构的方法，该方法包括形成一底电极，接着在含氧环境中处理该底电极以将底电极的上层部分转化形成缓冲层，再于该缓冲层上形成一绝缘层，然后形成上电极覆盖于绝缘层上。

公开(公告)号：CN100508218C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200710098239.7

申请日：2007-04-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王郁仁 ,  林杏莲 ,  杜友伦

IPC: H01L29/92 ,  H01L23/522 ,  H01L27/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01G4/10 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/33 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭露一种金属-绝缘体-金属电容器结构及其形成方法，该结构具有较高电容并可减少穿隧电流。在较佳实施例中，该结构具有第一电极，包含一磁矩为第一方向的磁性金属；以及第二电极，包含一磁矩为第二方向的磁性金属，其中第一方向与第二方向是反向平行。此外，更包括接触第一电极与第二电极的介电层，此介电层隔开第一电极与第二电极。本发明所述的金属-绝缘体-金属电容器结构及其形成方法，可避免介电层的漏电流，并可增加MIM结构的电容同时缩减其厚度。

公开(公告)号：CN100378955C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510075335.0

申请日：2005-06-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭景森 ,  许峰嘉 ,  萧国裕 ,  陈界璋 ,  傅士奇 ,  曾建贤 ,  蔡嘉雄 ,  刘源鸿 ,  吴志达 ,  罗际兴 ,  杜友伦

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明是关于一种适用于影像感测器的透镜结构及其制造方法。该影像感测器包括双微透镜结构，是具有一外微透镜排列于一内微透镜上方，两微透镜是排列于对应的光感测器上方。可经由硅化法形成内或外微透镜，其中光阻材料的反应性部分是与含硅药剂反应。可通过梯级蚀刻法形成内或外微透镜，梯级蚀刻法包括一系列交替的蚀刻步骤，是包括非等向性蚀刻步骤及造成图案化的光阻侧向地缩减的蚀刻步骤。可使用接续的非等向性蚀刻法来平坦化蚀刻过的梯级结构，并且形成平滑的透镜。亦可使用热安定及感光性聚合/有机材料形成永久的内或外透镜。涂覆感光材料，接着使用微影使其图案化，回流，接着熟化，以形成永久的透镜结构。

公开(公告)号：CN1828866A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610003592.8

申请日：2006-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘源鸿 ,  吴志达 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  林文钦 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/22 ,  H01L43/00 ,  G11C11/02

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明提供一种存储器装置及形成存储器装置的方法，所述存储器装置，其磁性存储元件与用来写入磁性存储元件的传导存储线间具有缩短的距离。根据形成此存储器装置的方法以达成此缩短距离的目的。此方法包括于磁性存储元件上方形成罩幕层以及于此罩幕层上方形成绝缘层。接着使用平坦化制程以移除部分绝缘层。然后于罩幕层里形成一传导介电层，如使用一镶嵌制程。再于罩幕层及传导介层窗的上方形成传导存储线。

公开(公告)号：CN1677621A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200410091236.7

申请日：2004-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴志达 ,  林国楹 ,  黄宗勋 ,  喻中一 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  林杏莲 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L21/3205 ,  H01G4/005

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种在金属－绝缘体－金属(metal－insulator－metal，MIM)电容器制造中制作电极的方法。本方法通过在金属－绝缘体－金属电容制作中，在将上电极沉积在介电层上期间防止电浆伤害介电层，以及缩减或防止介电层与一电极或多个电极间的界面层的生成，来改善金属－绝缘体－金属电容的性能。本方法一般包括：图案化衬底，以在衬底中形成冠状的电容开口；在每一冠状开口中沉积下电极；对下电极进行快速热处理(RTP)或炉内退火步骤；将介电层沉积在退火后的下电极上；利用无电浆化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)过程将上电极沉积在介电层上；以及图案化每一个金属－绝缘体－金属电容的上电极。