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公开(公告)号：CN101728348A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910179287.8
申请日：2009-10-13
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋半导体株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/12 , H01L2221/68372 , H01L2224/0401 , H01L2224/13144 , H01L2224/2518 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/10157 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，根据该半导体装置及其制造方法，可以增加半导体装置的产量，并且谋求制造工序的简化。在半导体基板(10)表面的规定区域内形成多个焊盘电极(12)之后，经由粘接剂层(14)使支承体(15)与半导体基板(10)的表面粘贴。接着，在半导体基板(10)的与上述规定区域重叠的区域形成开口部(10A)。另外，在开口部(10A)内形成与各焊盘电极(12)电连接的配线层(18)。之后，经过规定的工序，最后沿着向开口部(10A)外侧延伸的切割线(DL)对包含半导体基板(10)及支承体(15)的层叠体进行切割。
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公开(公告)号：CN101324836B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810108561.8
申请日：2008-05-27
Inventor： 本田岩
IPC: G06F7/52
CPC classification number: G06F7/537 , G06F2207/5353
Abstract: 一种除法电路，是以除数除被除数的除法电路，具备：倍除数生成电路，其生成从除数的2倍到2m-1(m是2以上的整数)倍的2m-2个作为除数的倍数的倍除数；和商生成电路，其通过从被除数分别减去除数及2m-2个倍除数，使得针对被除数的商从上位开始按每m位顺次生成。由此，可高速执行除法处理。
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公开(公告)号：CN101714542A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910179609.9
申请日：2009-09-29
CPC classification number: H01L23/24 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/2076 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599
Abstract: 提供一种电路装置，该电路装置抑制所内置的元件彼此之间的热干扰，并且还能够实现装置整体的小型化。本发明的混合集成电路装置(10)构成为具有：电路基板(12)，其上表面嵌入有由被固定在散热器(30A)上的半导体元件(28A)等构成的混合集成电路；密封树脂(44)，其覆盖电路基板(12)来对混合集成电路进行密封；以及引线(14)，其被固定在由导电图案(20)构成的焊盘上并延伸到外部。并且，使安装在散热器(30A)上的半导体元件(28A)的位置不同于安装在散热器(30B)上的半导体元件(28B)的位置，从而使两者相互隔开。
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公开(公告)号：CN101714538A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910179123.5
申请日：2009-09-29
Inventor： 及川贵弘
IPC: H01L23/482 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/60 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L29/41741 , H01L29/456 , H01L29/7809 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05139 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05567 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/06181 , H01L2224/13007 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15788 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其目的为抑制半导体器件在使用时因为热所导致的翘曲，以提升半导体器件的可靠性。本发明的半导体器件是在构成纵型MOS晶体管的半导体衬底(10)的表面上，形成有与源极区域连接的源极电极连接部(18)。在源极电极连接部(18)形成有通过镀覆法所形成的表面电极(23)。在表面电极(23)连接有凸块电极(31)，而表面电极(23)由露出凸块电极(31)的保护膜(26)所覆盖。另一方面，在半导体衬底(10)的背面上，形成有与漏极区域连接的背面电极(30)。表面电极(23)与背面电极(30)由具有相同线膨胀系数的金属所构成，较佳为铜所构成。此外，表面电极(23)与背面电极(30)较佳为具有相同厚度，或大略相同厚度。
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公开(公告)号：CN101714533A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910178097.4
申请日：2009-09-29
CPC classification number: H01L23/295 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/4809 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48699 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3025 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种防止看到金属细线且为薄型的电路装置及其制造方法。电路装置(10)主要包括：基板，其由第1基板(12)和第2基板(14)构成；焊盘(34)，其形成在第2基板的上表面上；半导体元件(24)，其被固定在第1基板(12)的上表面上；金属细线(22)，其将半导体元件(24)和焊盘(34)连接起来；以及密封树脂(18)，其覆盖半导体元件(24)和金属细线(22)来进行树脂密封。并且，密封树脂(18)所包含的位于最表层的填料(20)被构成密封树脂(18)的树脂材料覆盖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101676830A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200910171882.7
申请日：2009-09-16
IPC: G05F1/56
CPC classification number: H02M3/156
Abstract: 本发明提供一种在失去了外置电阻元件的电连接的情况下也防止对外部负载施加过电压的半导体电路。半导体电路具备：第一端子部，其用于连接到两个外部电阻的连接点；第二端子部，其用于连接到外部电路；电压电路部，其一端与第二端子部相连接；基准电压电路部，其输出规定的电压；运算放大器，其一侧输入端子与基准电压电路部相连接，另一侧输入端子与第一端子部相连接，输出端子与电压电路部的另一端相连接；异常检测电路，其检测第一端子部的异常电压；正常信号生成部，其生成正常信号；以及切换电路，其在异常检测电路检测出异常电压时，向第二端子部输出基于正常信号的正常电压而不输出基于第一端子部的电压。
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公开(公告)号：CN101667590A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910168197.9
申请日：2009-09-03
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋半导体株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/04 , H01L21/329 , H01L27/04
CPC classification number: H01L29/8611 , H01L21/76229 , H01L29/0615 , H01L29/7322
Abstract: 一种既可抑制制造成本，又可谋求与保护环相接的PN接合部的耐压性提升的半导体器件及其制造方法。本发明是在半导体衬底(10)的表面形成N-型半导体层，且在其上层形成P型半导体层。在P型半导体层上形成绝缘膜。之后，形成从绝缘膜至N-型半导体层的厚度方向的途中的多个沟，即第1沟、第2沟及第3沟。多个沟在其中彼此邻接的2个沟中，接近电子元件侧，即接近阳极电极侧的沟形成为比该沟靠外侧的另一沟更浅。之后，在第1沟内、第2沟内及第3沟内充填绝缘材料。之后，将由半导体衬底及迭层于其上层的各层所构成的迭层体，沿着切割线进行切割。
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公开(公告)号：CN101662211A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910169347.8
申请日：2009-08-25
Inventor： 山本竜司
IPC: H02M3/156
CPC classification number: H02M3/156
Abstract: 一种电源电路，抑制将输出从串联调节器切换到开关调节器时的噪声。在将电源电路(10)的整体输出端子(18)的输出从串联调节器部(14)切换到开关调节器部(12)时断开第五开关(55)来暂时断开开关调节器部(12)的反馈环路，仍将第六开关(56)设为接通来向整体输出端子(18)输出串联调节器部(14)的输出，在误差放大器(24)的输出端子与误差放大器(24)的另一端子之间形成拟反馈环路，使与串联调节器部(14)的输出对应的电压输出到误差放大器(24)的输出端子，由此对开关调节器部(12)的相位补偿用电容器(26)进行充电。
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公开(公告)号：CN101661953A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910166647.0
申请日：2009-08-24
Inventor： 高桥和也
IPC: H01L29/73 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/0804 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L29/0692 , H01L29/41708 , H01L29/66295 , H01L29/732 , H01L2224/0603 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/40245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置。在具有两层电极结构的分立式双极型晶体管中，将第一层发射极电极与发射极区域由形成于它们之间的第一绝缘膜的发射极接触孔连接。将第二层发射极电极与第一层发射极电极由形成于它们之间的第二绝缘膜的发射极通孔连接。故在第二层发射极电极下方，发射极接触孔和发射极通孔重叠，产生两个绝缘膜厚度的高度差。该高度差也影响第二层发射极电极表面，在其上使用焊料粘合金属片时，由于凹凸大产生不良粘合。本发明的半导体装置使设于第一层发射极电极上下的发射极接触孔和发射极通孔不重叠，对于一个发射极电极使发射极接触孔和发射极通孔相互分开地配置多个。故在第二层发射极电极表面，即便高度差为最大，也仅受设于膜厚较厚的绝缘膜的发射极通孔高度差的影响，第二层电极表面的平坦性提高。可以避免金属片不良粘合。
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公开(公告)号：CN101661893A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910168127.3
申请日：2009-08-28
IPC: H01L21/50 , H01L21/607 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/28
CPC classification number: H01L23/49541 , B23K20/005 , B23K20/106 , B23K2101/42 , H01L21/4842 , H01L21/565 , H01L21/82 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49575 , H01L23/49589 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L25/0655 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/484 , H01L2224/48624 , H01L2224/48724 , H01L2224/48799 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/49171 , H01L2224/85099 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2224/48824 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种树脂密封型半导体装置及其制造方法、引线框。防止因超声波Al引线接合牢固地将被固定在引线框上的各半导体芯片等和引线框的引线接合部接合以及切断引线框的外框时的外框的未切断部分而造成的各半导体芯片等产生短路的弊害。使引线框上的引线接合部等沿引线接合方向延伸，用连结引线等与引线框的外框连结，从而阻止超声波Al引线接合时的超声波振动力的发散，形成Al线与引线接合部等的牢固的接合。而且，树脂密封工序结束后，切断外框，但即使外框的未切断部分残留在树脂封装件的侧面的情况下，通过在连结引线等和其他悬吊引线等之间的外框上设有缺口等，防止连结引线等与悬吊引线等连结。
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