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公开(公告)号：CN101661954A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910166648.5
申请日：2009-08-24
Inventor： 高桥和也
IPC: H01L29/73 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/73 , H01L24/06 , H01L29/41708 , H01L29/732 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体装置。在具有两层电极结构的分立式双极型晶体管中，在第二层基极电极下方配置第一层发射极电极及基极电极。相比第二层电极，第一层电极厚度薄。自第二基极电极下方的动作区域(发射极区域)经由第一层发射极电极而流向第二层发射极电极的电流路径，相比电流向大致正上方被拾取的第二发射极电极下方的电流路径，电阻增高，由此存在芯片内的电流密度不均匀的问题。本发明的半导体装置将第一基极电极及第一发射极电极全部形成为长条状并交替平行配置，相比第二基极电极的面积，扩展第二发射极电极的面积。由此，因自发射极区域经由第一发射极电极向大致正上方一直被拾取到第二发射极电极的电流路径增加，故可避免芯片整体电流密度不均匀。
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公开(公告)号：CN101661954B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910166648.5
申请日：2009-08-24
Inventor： 高桥和也
IPC: H01L29/73 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/73 , H01L24/06 , H01L29/41708 , H01L29/732 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体装置。在具有两层电极结构的分立式双极型晶体管中，在第二层基极电极下方配置第一层发射极电极及基极电极。相比第二层电极，第一层电极厚度薄。自第二基极电极下方的动作区域(发射极区域)经由第一层发射极电极而流向第二层发射极电极的电流路径，相比电流向大致正上方被拾取的第二发射极电极下方的电流路径，电阻增高，由此存在芯片内的电流密度不均匀的问题。本发明的半导体装置将第一基极电极及第一发射极电极全部形成为长条状并交替平行配置，相比第二基极电极的面积，扩展第二发射极电极的面积。由此，因自发射极区域经由第一发射极电极向大致正上方一直被拾取到第二发射极电极的电流路径增加，故可避免芯片整体电流密度不均匀。
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公开(公告)号：CN101661953B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910166647.0
申请日：2009-08-24
Inventor： 高桥和也
IPC: H01L29/73 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/0804 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L29/0692 , H01L29/41708 , H01L29/66295 , H01L29/732 , H01L2224/0603 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/40245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置。在具有两层电极结构的分立式双极型晶体管中，将第一层发射极电极与发射极区域由形成于它们之间的第一绝缘膜的发射极接触孔连接。将第二层发射极电极与第一层发射极电极由形成于它们之间的第二绝缘膜的发射极通孔连接。故在第二层发射极电极下方，发射极接触孔和发射极通孔重叠，产生两个绝缘膜厚度的高度差。该高度差也影响第二层发射极电极表面，在其上使用焊料粘合金属片时，由于凹凸大产生不良粘合。本发明的半导体装置使设于第一层发射极电极上下的发射极接触孔和发射极通孔不重叠，对于一个发射极电极使发射极接触孔和发射极通孔相互分开地配置多个。故在第二层发射极电极表面，即便高度差为最大，也仅受设于膜厚较厚的绝缘膜的发射极通孔高度差的影响，第二层电极表面的平坦性提高。可以避免金属片不良粘合。
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公开(公告)号：CN101661953A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910166647.0
申请日：2009-08-24
Inventor： 高桥和也
IPC: H01L29/73 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/0804 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L29/0692 , H01L29/41708 , H01L29/66295 , H01L29/732 , H01L2224/0603 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/40245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置。在具有两层电极结构的分立式双极型晶体管中，将第一层发射极电极与发射极区域由形成于它们之间的第一绝缘膜的发射极接触孔连接。将第二层发射极电极与第一层发射极电极由形成于它们之间的第二绝缘膜的发射极通孔连接。故在第二层发射极电极下方，发射极接触孔和发射极通孔重叠，产生两个绝缘膜厚度的高度差。该高度差也影响第二层发射极电极表面，在其上使用焊料粘合金属片时，由于凹凸大产生不良粘合。本发明的半导体装置使设于第一层发射极电极上下的发射极接触孔和发射极通孔不重叠，对于一个发射极电极使发射极接触孔和发射极通孔相互分开地配置多个。故在第二层发射极电极表面，即便高度差为最大，也仅受设于膜厚较厚的绝缘膜的发射极通孔高度差的影响，第二层电极表面的平坦性提高。可以避免金属片不良粘合。
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