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公开(公告)号：CN101728348A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910179287.8
申请日：2009-10-13
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋半导体株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/12 , H01L2221/68372 , H01L2224/0401 , H01L2224/13144 , H01L2224/2518 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/10157 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，根据该半导体装置及其制造方法，可以增加半导体装置的产量，并且谋求制造工序的简化。在半导体基板(10)表面的规定区域内形成多个焊盘电极(12)之后，经由粘接剂层(14)使支承体(15)与半导体基板(10)的表面粘贴。接着，在半导体基板(10)的与上述规定区域重叠的区域形成开口部(10A)。另外，在开口部(10A)内形成与各焊盘电极(12)电连接的配线层(18)。之后，经过规定的工序，最后沿着向开口部(10A)外侧延伸的切割线(DL)对包含半导体基板(10)及支承体(15)的层叠体进行切割。
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公开(公告)号：CN101728348B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910179287.8
申请日：2009-10-13
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋半导体株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/12 , H01L2221/68372 , H01L2224/0401 , H01L2224/13144 , H01L2224/2518 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/10157 , H01L2924/15788 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，根据该半导体装置及其制造方法，可以增加半导体装置的产量，并且谋求制造工序的简化。在半导体基板(10)表面的规定区域内形成多个焊盘电极(12)之后，经由粘接剂层(14)使支承体(15)与半导体基板(10)的表面粘贴。接着，在半导体基板(10)的与上述规定区域重叠的区域形成开口部(10A)。另外，在开口部(10A)内形成与各焊盘电极(12)电连接的配线层(18)。之后，经过规定的工序，最后沿着向开口部(10A)外侧延伸的切割线(DL)对包含半导体基板(10)及支承体(15)的层叠体进行切割。
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公开(公告)号：CN101740426A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910208198.1
申请日：2009-11-02
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋半导体株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/0401 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/1132 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，当在形成于半导体基板的开口部上形成凸起电极时，防止形成由密闭在开口部内的气体造成的气孔。本半导体装置的制造方法具有如下工序：在半导体基板的主面侧形成第一配线(3)的工序；为了将第一配线(3)的背面露出，在半导体基板(1)自其背面侧朝向主面侧形成开口部(5)的工序；形成与第一配线(3)的背面连接且自开口部(5)内延伸至半导体基板(1)背面的第二配线(7)的工序；形成焊料层(8)的工序，该焊料层(8)与开口部(5)底部的第二配线(7)的一部分连接，并自开口部(5)内延伸至半导体基板(1)的背面；使焊料层(8)回流而在开口部(5)上形成凸起电极(9)的工序。
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公开(公告)号：CN101740426B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910208198.1
申请日：2009-11-02
Applicant: 三洋电机株式会社 , 三洋半导体株式会社 , 三洋半导体制造株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/11 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/0401 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/1132 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，当在形成于半导体基板的开口部上形成凸起电极时，防止形成由密闭在开口部内的气体造成的气孔。本半导体装置的制造方法具有如下工序：在半导体基板的主面侧形成第一配线(3)的工序；为了将第一配线(3)的背面露出，在半导体基板(1)自其背面侧朝向主面侧形成开口部(5)的工序；形成与第一配线(3)的背面连接且自开口部(5)内延伸至半导体基板(1)背面的第二配线(7)的工序；形成焊料层(8)的工序，该焊料层(8)与开口部(5)底部的第二配线(7)的一部分连接，并自开口部(5)内延伸至半导体基板(1)的背面；使焊料层(8)回流而在开口部(5)上形成凸起电极(9)的工序。
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