公开(公告)号：CN103489883B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310134088.1

申请日：2013-04-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈愉婷 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  施宇豪 ,  王志谦 ,  周世培 ,  黄为栋 ,  吴政达

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0334 ,  H01L21/0337 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开了图像器件及其形成方法，其中图像传感器器件包括具有像素区和外围区的衬底。在外围区中蚀刻多个沟槽。第一沟槽的每一个均具有深度D1。在衬底上方形成掩模层。在像素区中，掩模层具有多个开口。间隔件形成在每个开口的内表面中。通过像素区中具有间隔件的每个开口蚀刻多个第二沟槽。第二沟槽的每一个均具有深度D2。深度D1大于深度D2。

公开(公告)号：CN106409880A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610525328.4

申请日：2016-07-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李正德 ,  喻中一 ,  刘人诚 ,  黄冠杰 ,  杜友伦

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/187 ,  H01L21/223 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/768 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L25/00 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L21/02587 ,  H01L24/83

Abstract: 一种示例性半导体晶圆包括具有第一掺杂浓度的底部半导体层、位于底部半导体层上方的中间半导体层和位于中间半导体层上方的顶部半导体层。中间半导体层具有大于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，并且顶部半导体层具有小于第二掺杂浓度的第三掺杂浓度。底部半导体层的横向表面是半导体晶圆的外表面，并且底部半导体层、中间半导体层和顶部半导体层的侧壁基本对齐。本发明实施例涉及用于集成封装件的半导体晶圆。

公开(公告)号：CN103579377B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310153809.3

申请日：2013-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 万孟勋 ,  朱怡欣 ,  陈思莹 ,  陈保同 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L31/0203 ,  H01L31/102

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/18 ,  H04N5/378

Abstract: 一种器件包括：具有形成在其中的抬升式光电二极管的图像传感器芯片、以及位于图像传感器芯片下方并且接合至图像传感器芯片的器件芯片。该器件芯片具有电连接至抬升式光电二极管的读出电路。本发明还提供了一种具有堆叠配置的抬升式光电二极管。

公开(公告)号：CN103426892B

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201210480345.2

申请日：2012-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  洪丰基 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  陈思莹 ,  王文德 ,  许慈轩

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/48463

Abstract: 一种器件包括背照式(BSI)图像传感器芯片，其包括设置在第一半导体衬底的正面上的图像传感器，以及位于第一半导体衬底正面上的包括多个金属层的第一互连结构。一种器件芯片与该图像传感器芯片接合。该器件芯片包括位于第二半导体衬底的正面上的有源器件，以及位于第二半导体衬底正面上的包括多个金属层的第二互连结构。第一通孔穿透BSI图像传感器芯片，从而连接位于第二互连结构中的第一金属焊盘。第二通孔穿透位于第一互连结构中的介电层，从而连接位于第一互连结构中的第二金属焊盘，其中，第一通孔和第二通孔电连接。本发明提供垂直集成的图像传感器芯片及其形成方法。

公开(公告)号：CN102931203B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210115555.1

申请日：2012-04-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾晓晖 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  许文义 ,  高敏峰

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供了多栅极介电半导体结构以及形成这种结构的方法。在一个实施例中，一种用于形成半导体结构的方法包括提供包括像素阵列区域、输入/输出(I/O)区域、以及核心区域的衬底。该方法进一步包括在像素阵列区域上方形成第一栅极介电层，在I/O区域上方形成第二栅极介电层，并且在核心区域上方形成第三栅极介电层，其中，第一栅极介电层、第二栅极介电层、以及第三栅极介电层中的每一个都被形成为由不同的材料构成并且具有不同的厚度。本发明还提供了一种多栅极介电结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN103426893B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310058918.7

申请日：2013-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  林政贤 ,  洪丰基

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明涉及一种器件，该器件包括具有正面和背面的半导体衬底。多个图像传感器设置在该半导体衬底的正面上。多个清色滤色器设置在该半导体衬底的背面上。多个金属环围绕多个清色滤色器。本发明还提供了一种具有分离的滤色器的BSI图像传感器芯片及其形成方法。

公开(公告)号：CN103378112B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201210536910.2

申请日：2012-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  蔡双吉

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689

Abstract: 提供了减少光敏二极管之间的串扰的系统和方法。在实施例中，第一滤色器在第一光敏二极管上方形成而第二滤色器在第二光敏二极管上方形成，间隙在第一滤色器和第二滤色器之间形成。间隙将起到反射光的作用，否则光将从第一滤色器跨越到第二滤色器，从而减少第一光敏二极管和第二光敏二极管之间的串扰。也可以在第一光敏二极管和第二光敏二极管之间形成反射栅格以协助反射并进一步减少串扰量。本发明还提供了图像传感器器件和方法。

公开(公告)号：CN104425643A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410317120.4

申请日：2014-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王子睿 ,  周耕宇 ,  庄君豪 ,  徐铭杰 ,  林稔杰 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14665 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02327

Abstract: 提供了一种用于形成光电二极管的方法。该方法包括：通过使用导电层在衬底上方形成第一对电极和第二对电极；在衬底上方形成介电层；图案化衬底上方的介电层；在衬底上方形成光电转换层；以及在光电转换层上方形成彩色滤光层，其中，介电层的至少一部分将对应于第一像素的彩色滤光层的第一部分与对应于第二像素的彩色滤光层的第二部分间隔开，且介电层的折射率低于彩色滤光层的折射率，其中，第一对电极对应于第一像素且第二对电极对应于第二像素。本发明还提供了光电二极管。

公开(公告)号：CN102769021B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201110241590.3

申请日：2011-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周耕宇 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  陈保同 ,  王文德 ,  庄俊杰 ,  高敏峰

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636

Abstract: 提供了一种图像传感器件。该图像传感器件包括具有正面和背面的基板，该背面相对于正面。该基板具有像素区域和外围区域。该图像传感器件包括设置在基板的像素区域中的多个辐射感应区域。每个辐射感应区域都能够通过操作感测出通过背面投射到辐射感应区域的辐射。该图像传感器件包括设置在外围区域中的参考像素。该图像传感器件包括连接到基板的正面的互连结构。该互连结构包括多个互连层。该图像传感器件包括形成在基板的背面上方的薄膜。该薄膜使得基板受到张应力。该图像传感器件包括设置在薄膜上方的辐射阻挡器件。本发明还提供了一种带有经过改进的应力免疫的背面照明图像传感器。

公开(公告)号：CN103715211A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310119867.4

申请日：2013-04-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  许慈轩 ,  王文德 ,  许文义

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/761

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76237 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/78

Abstract: 注入隔离器件及其方法。一种器件包括半导体衬底和从半导体衬底的顶面延伸到半导体衬底中且围绕有源区域的注入隔离区域。栅极电介质设置在半导体衬底的有源区域上方并且延伸到注入隔离区域上方。栅电极设置在栅极电介质上方，两个端部覆盖硬掩模位于注入隔离区域上方在栅极电介质和栅电极之间。两个端部覆盖硬掩模包含与被注入到有源区域中的掺杂物相同的掺杂物。