公开(公告)号：CN103390624B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210513212.0

申请日：2012-12-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  周耕宇 ,  蔡双吉 ,  高敏峰

IPC: H01L27/146

Abstract: 用于形成图像传感器的方法实施例包括：在支撑光电二极管的半导体的表面上方形成抗反射涂层；在抗反射涂层上方形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上方形成缓冲氧化物层；以及通过蚀刻选择性地去除缓冲氧化物层的一部分，该蚀刻停止层在蚀刻期间保护抗反射涂层。图像传感器实施例包括：设置在阵列区和外围区的半导体，该半导体支撑阵列区中的光电二极管；设置在半导体的表面上方的抗反射涂层；设置在抗反射涂层上方的蚀刻停止层，阵列区中的光电二极管上方的蚀刻停止层的厚度小于外围区中的蚀刻停止层的厚度；以及设置在外围区中的蚀刻停止层上方的缓冲氧化物层。本发明还提供了用于BSI图像传感器的背面结构。

公开(公告)号：CN105702666A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610069848.9

申请日：2011-08-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨敦年 ,  刘人诚 ,  林政贤 ,  王文德 ,  蔡纾婷

IPC: H01L23/58

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括提供具有密封环区域和电路区域的基板，形成在密封环区域上方的第一密封环结构，所述第一密封环结构围绕所述电路区域呈封闭环，且具有包含金属层的外部部分(210a)和包含金属层的内部部分(210b)，形成在密封环区域上方并且邻近第一密封环结构的第二密封环结构，所述第二密封环结构围绕所述电路区域呈封闭环，且具有包含金属层的外部部分(220a)和包含金属层的内部部分(220b)，和形成在第一密封环结构和第二密封环结构上的第一钝化层。也提供了一种通过这种方法制造的多重密封环结构的半导体器件。

公开(公告)号：CN104779243A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201410253422.X

申请日：2014-06-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何承颖 ,  陈保同 ,  王文德 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L23/585 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1469 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是3DIC密封环结构及其形成方法，本发明提供了一种半导体器件，包括第一半导体芯片，第一半导体芯片包括第一衬底、多个第一介电层以及多条导线，并且多条导线形成在第一衬底上方的第一介电层中。半导体器件还包括第二半导体芯片，第二半导体芯片的表面接合至第一半导体芯片的第一表面，第二半导体芯片包括第二衬底、多个第二介电层以及多条第二导线，并且多条第二导线形成在第二衬底上方的第二介电层中。半导体器件还包括从第一半导体芯片延伸至多条第二导线中的一条的第一导电部件，以及从第一半导体芯片延伸至第二半导体芯片的第一密封环结构。本发明还提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104752378A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410825950.8

申请日：2014-12-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡纾婷 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  陈思莹 ,  陈愉婷

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/08 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/2405 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/24147 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/73201 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/82931 ,  H01L2224/82947 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/24 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，半导体器件包括第一半导体芯片和接合到第一半导体芯片的第二半导体芯片，第一半导体芯片包括第一衬底和形成在第一衬底上方的第一导电部件。第二半导体芯片包括第二衬底和形成在第二衬底上方的第二导电部件。导电插塞设置成穿过第一导电部件并且连接到第二导电部件。该导电插塞包括设置在第一导电部件上方的第一部分和设置在第一导电部件之下或内的第二部分，第一部分具有第一宽度。第二部分具有第二宽度。第一宽度大于第二宽度。

公开(公告)号：CN104733486A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410795045.2

申请日：2014-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈愉婷 ,  蔡纾婷 ,  陈思莹 ,  林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L25/00 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/281 ,  H01L31/1876 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

Abstract: 本发明公开了图像传感器器件及其制造方法以及半导体器件制造方法。在一些实施例中，制造半导体器件的方法包括将第一半导体晶圆接合至第二半导体晶圆，第一半导体晶圆包括衬底和连接至衬底的互连结构。该方法包括从第一半导体晶圆去除衬底的部分以暴露互连结构的部分。

公开(公告)号：CN104733435A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410086767.0

申请日：2014-03-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡纾婷 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  陈愉婷 ,  周世培

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/91 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/8203

Abstract: 本发明提供了一种互连装置及形成该互连装置的方法。两个集成电路接合在一起。形成穿过其中一个衬底的第一开口。沿着第一开口的侧壁形成多层介电膜。一个或多个蚀刻工艺沿着第一开口的侧壁形成一个或多个间隔件型结构。形成从第一开口延伸至集成电路中的焊盘的第二开口。形成介电内衬，且用导电材料填充开口以形成导电插塞。

公开(公告)号：CN104538414A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410709414.1

申请日：2008-01-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许慈轩 ,  杨敦年 ,  王俊智

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明公开一种背照式传感器的制造方法，包括：提供半导体基材；形成光电流产生区在该半导体基材上；形成针札层包含注入区在该光电流产生区上；以及在形成该针札层之后，形成包含光学反射材料的传输栅极在该半导体基材上，其中该传输栅极形成在该光电流产生区的全部表面上和该针札层的全部表面上。本发明能够解决穿通问题，并提高影像传感元件的灵敏度。

公开(公告)号：CN104465848A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201310684901.2

申请日：2013-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王子睿 ,  周耕宇 ,  庄君豪 ,  徐铭杰 ,  山下雄一郎 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0232 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14641 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种形成光电二极管的方法。该方法包括：在衬底上方形成与第一像素相对应的第一底电极和与第二像素相对应的第二底电极；在衬底上方形成介电层；对衬底上方的介电层进行图案化；在衬底上方形成光转换层；以及在光转换层上方形成顶电极；在顶电极上方形成滤色镜层，其中，介电层的至少一部分使滤色镜层中与第一像素相对应的第一部分与滤色镜层中与第二像素相对应的第二部分分离，并且介电层的折射率低于滤色镜层的折射率。本发明还提供了一种光电二极管。

公开(公告)号：CN102376683B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201110224828.1

申请日：2011-08-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  李新辉 ,  王文德 ,  蔡纾婷

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/498 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L21/02697 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/488 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 方法包括提供具有密封圈区域和电路区域的基板，在密封圈区域上形成密封圈结构，在密封圈结构上形成第一前部钝化层，在第一前部钝化层中蚀刻邻近密封圈结构的外部的前部孔，在前部孔中形成前部金属焊盘以连接前部金属焊盘和密封圈结构的外部，在密封圈结构下形成第一背部钝化层，在第一背部钝化层中蚀刻邻近密封圈结构的外部的背部孔，和在背部孔中形成背部金属焊盘以连接背部金属焊盘和密封圈结构的外部。也提供了通过所述方法制造的半导体器件。

公开(公告)号：CN103681454A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210519773.1

申请日：2012-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许文义 ,  高敏峰 ,  刘人诚 ,  杨敦年 ,  许慈轩 ,  王文德

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L21/761 ,  H01L21/76237 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L29/0649

Abstract: 半导体器件的隔离。本发明提供用于隔离半导体器件的系统和方法。实施例包括横向离开半导体器件的源极/漏极区域的隔离区域并且具有在源极/漏极区域之间的隔离区域上方延伸的介电材料。可以通过在衬底上方形成穿过层的开口；沿着开口的侧壁沉积介电材料；在沉积之后将离子注入到衬底内；以及用另一介电材料填充开口来形成隔离区域。