公开(公告)号：CN103681661B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201310131836.0

申请日：2013-04-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈愉婷 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  林政贤 ,  蔡双吉

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 晶圆中的划线。一种晶圆包括布置成行和列的多个芯片。多条第一划线位于多个芯片的行之间。多条第一划线中的每一条划线都包括其中具有金属部件的含金属部件划线和平行于含金属部件划线且邻接含金属部件划线的不含金属部件划线。多条第二划线位于多个芯片的列之间。

公开(公告)号：CN107039478A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611245732.2

申请日：2016-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄信耀 ,  洪丰基 ,  王俊智 ,  杨敦年

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开一些实施例关于集成芯片与其形成方法，集成芯片具有通孔支撑结构于接合垫下。集成芯片具有影像感测单元配置于基板中。接合垫区延伸穿过基板以达配置于介电结构中的第一金属内连线线路，接合垫区横向偏离影像感测单元，且介电结构沿着基板正面。接合垫配置于接合垫区中，并接触第一金属内连线线路。通孔支撑结构配置于介电结构中并具有一或多个通孔，且通孔与接合垫的间隔有第一金属内连线线路。一或多个其他通孔配置于介电结构中，并横向偏离接合垫区。通孔的尺寸大于其他通孔。

公开(公告)号：CN106653780A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610717079.9

申请日：2016-08-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王子睿 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  许慈轩 ,  山下雄一郎

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明的实施例提供了一种图像传感器结构及其形成方法。图像传感器结构包括衬底，该衬底包括第一感光区域和第二感光区域。图像传感器结构还包括：隔离结构，穿过衬底形成以使第一感光区域与第二感光区域分离；以及第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构，形成在衬底的前侧处。另外，第一源极/漏极结构和第二源极/漏极结构位于隔离结构的相对侧处。图像传感器结构还包括：接触件，形成在隔离结构上方并且形成在第一源极/漏极结构的一部分和第二源极/漏极结构的一部分上方。

公开(公告)号：CN104465848B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201310684901.2

申请日：2013-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王子睿 ,  周耕宇 ,  庄君豪 ,  徐铭杰 ,  山下雄一郎 ,  刘人诚 ,  杨敦年

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/0232 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14641 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种形成光电二极管的方法。该方法包括：在衬底上方形成与第一像素相对应的第一底电极和与第二像素相对应的第二底电极；在衬底上方形成介电层；对衬底上方的介电层进行图案化；在衬底上方形成光转换层；以及在光转换层上方形成顶电极；在顶电极上方形成滤色镜层，其中，介电层的至少一部分使滤色镜层中与第一像素相对应的第一部分与滤色镜层中与第二像素相对应的第二部分分离，并且介电层的折射率低于滤色镜层的折射率。本发明还提供了一种光电二极管。

公开(公告)号：CN106486504A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610592321.4

申请日：2016-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈信宏 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基 ,  王文德

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/764 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683

Abstract: 一种方法，该方法包括：在衬底上形成深沟槽隔离结构，该衬底具有与正面表面相对的背面表面，深沟槽隔离结构向着正面表面打开。氧化物层形成在衬底的正面表面上以及深沟槽隔离结构的侧壁和底部上。去除衬底的正面表面上的氧化物层。去除衬底的位于深沟槽隔离结构的开口处的部分并且在衬底上形成外延层。本发明实施例涉及在图像传感器中制造深沟槽隔离结构的方法及其器件。

公开(公告)号：CN106373940A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610512057.9

申请日：2016-07-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡喻丞 ,  庄俊杰 ,  王俊智 ,  杨敦年 ,  洪丰基 ,  黄志辉 ,  卢彦池 ,  陈如曦

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/80 ,  H01L24/89 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2224/80 ,  H01L23/522 ,  H01L21/76838

Abstract: 提供了使用基于铜合金的混合接合件的集成电路(IC)。该IC包括彼此垂直堆叠的一对半导体结构。该对半导体结构包括相应的介电层和布置在介电层中的相应的金属部件。金属部件包括具有铜和再生金属的铜合金。IC进一步包括布置在半导体结构之间的界面处的混合接合件。混合接合件包括将介电层接合在一起的第一接合件和将金属部件接合在一起的第二接合件。第二接合件包括布置在金属部件的铜晶粒之间且由再生金属填充的空隙。还提供了使用基于铜合金的混合接合件用于将一对半导体结构接合在一起的方法。本发明实施例涉及用于使产率改进的使用铜合金的混合接合件。

公开(公告)号：CN106298718A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610474165.1

申请日：2016-06-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄信耀 ,  王俊智 ,  杨敦年 ,  洪丰基 ,  王明璁 ,  周世培

IPC: H01L23/488 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明的一些实施例涉及一种三维(3D)集成电路(IC)。3DIC包括第一衬底，该第一衬底包括配置为在第一方向上从光源接收光的光电检测器。互连结构设置在第一衬底上方并且包括以交替的方式彼此堆叠的多个金属层和绝缘层。多个金属层中的一个离光源最近，并且多个金属层中的另一个离光源最远。接合焊盘凹槽从离光源最近的3DIC的表面中的开口延伸至互连结构内并且终止在接合焊盘处。接合焊盘与3DIC的表面分隔开并且与多个金属层中的离光源最远的一个直接接触。本发明的实施例还提供了集成电路、前照式传感器和背照式传感器。

公开(公告)号：CN103378109B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210272395.1

申请日：2012-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王子睿 ,  陈思莹 ,  刘人诚 ,  杨敦年 ,  刘丙寅 ,  赵兰璘

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14683 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种背照式图像传感器包括光电二极管以及位于第一芯片中的第一晶体管，其中，第一晶体管电耦合至光电二极管。背照式图像传感器进一步包括在第二芯片中形成的第二晶体管以及在第三芯片中形成的多个逻辑电路，其中，第二芯片堆叠在第一芯片上并且第三芯片堆叠在第二芯片上。逻辑电路、第二晶体管和第一晶体管通过多个接合焊盘和通孔相互耦合。本发明还提供了用于垂直集成的背照式图像传感器的装置。

公开(公告)号：CN106206629A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510775863.0

申请日：2015-11-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 亚历山大·卡尔尼茨基 ,  施俊吉 ,  杨敦年 ,  王铨中 ,  黄益民 ,  山下雄一郎

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供了无注入损伤的图像传感器及其方法。本发明公开了一种图像传感器。该图像传感器包括外延层、多个插头结构和互连结构。其中多个插头结构形成在外延层中，并且每个插头结构具有掺杂的侧壁，外延层和掺杂的侧壁形成多个光电二极管，多个插头结构被用于分开相邻的光电二极管，并且外延层和掺杂的侧壁通过插头结构连接到互连结构。本发明还公开了加工该图像传感器相关的方法。该方法包括：提供在第二型掺杂外延衬底层上具有第一型掺杂外延衬底层的衬底；在第一型掺杂外延衬底层中形成多个隔离沟槽；沿多个隔离沟槽的侧壁和底部形成第二型掺杂区域；以及通过沉积金属填充多个隔离沟槽。

公开(公告)号：CN103515401B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201210553121.X

申请日：2012-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈思莹 ,  王子睿 ,  刘人诚 ,  杨敦年 ,  刘丙寅 ,  赵兰璘

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469

Abstract: 一种背照式图像传感器包括位于第一衬底中的光电二极管以及第一晶体管，其中第一晶体管电连接至光电二极管。背照式图像传感器进一步包括形成在第二衬底中的多个逻辑电路，其中第二衬底堆叠在第一衬底上并且逻辑电路通过多个接合焊盘连接至第一晶体管。本发明还提供了用于背照式图像传感器的装置和方法。