公开(公告)号：CN101339202B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200810128483.8

申请日：2008-07-01

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 藤井哲夫 ,  杉浦和彦

IPC: G01P15/125 ,  B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L2224/48463

Abstract: 一种半导体器件，包括：具有表面的板状传感器元件(10)，其包括设置在该传感器元件(10)的表面部分中的传感器结构(15到17)；以及结合到传感器元件(10)的表面的板状帽元件(20)。所述帽元件(20)具有面对传感器元件(10)的布线图案部分(23到25)。所述布线图案部分(23到25)连接传感器元件(10)的表面的外侧边缘和传感器结构(15到17)，从而使传感器结构(15到17)通过所述外侧边缘与外部元件电耦合。所述传感器元件(10)不具有复杂的多层结构，从而简化了传感器元件(10)。此外，还减小了器件的尺寸。

公开(公告)号：CN101197368B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200710196466.3

申请日：2007-12-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 尾关善彦 ,  河野宪司 ,  藤井哲夫

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过以下节省成本的方式制造一种具有在一个半导体衬底(20)上具有多个有源元件(31-33、41-43)和无源元件(51、52)的半导体器件(100)，即使当所述有源和无源元件包括双侧电极元件(41-43、51、52)也是如此。当将半导体衬底划分为多个场区域(F1-F8)时，穿透半导体衬底的绝缘隔离沟槽(T)包围每一个场区域，以及多个有源元件或多个无源元件中的任意一方的每一个。此外，多个元件中的每一个具有一对分别设置在半导体衬底的两侧(S1、S2)中的每一侧上的用于电源的功率电极(dr1、dr2)，用作双侧电极元件。

公开(公告)号：CN1967815B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200610148540.X

申请日：2006-11-15

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 丸山友美 ,  田村宗生 ,  藤井哲夫 ,  船户祐嗣

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/78 ,  B23K26/00 ,  B28D5/00

CPC classification number: B23K26/0617 ,  B23K26/0676 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50

Abstract: 半导体晶片(10、21)具有两个面，其中一个面为激光入射面。将切割薄片(11、25)附着到晶片的另一个面，以便它被拉伸从而将拉伸应力施加到激光-重整区(R)并利用重整区作为切割起始点使切割发生。在晶片和切割薄片之间提供诸如光散射凸起和凹陷(10c)这样的保护层、光散射部件(11、13)或者光反射部件(25)，以散射和反射穿过晶片的激光。由此，能够切割薄片不被损坏，因为在切割薄片中不形成激光会聚点。

公开(公告)号：CN102347356B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201110211992.9

申请日：2011-07-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 西角拓高 ,  山本刚 ,  水野祥司 ,  住友正清 ,  藤井哲夫 ,  榊原纯 ,  山口仁 ,  服部佳晋 ,  田口理惠 ,  桑原诚

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7398 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7819 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。

公开(公告)号：CN102213208B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201110080539.9

申请日：2011-04-01

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山田雅央 ,  吉村聪史 ,  藤井哲夫

IPC: F04B39/00

CPC classification number: F04B35/04 ,  F04C23/008 ,  F04C29/0085 ,  F04C29/047 ,  F04C2240/808 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/185 ,  H05K7/20936 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种搭载在电动压缩机中的电子装置。电子装置具备：电路基板(10)，配置在机壳(41、44、45、60)内的冷媒中，具有电子部件(15)和外部连接用电极(14)，该电子部件被密封而搭载在基板上，该电子部件与外部连接用电极电连接；外部连接用端子(1000)，与上述外部连接用电极电连接；隔离部件(11、50、51、60、70、80、90)，将上述外部连接用端子、以及上述外部连接用电极与上述外部连接用端子的连接部与上述冷媒隔离。

公开(公告)号：CN102256452A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110086634.X

申请日：2011-04-01

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 前田幸宏 ,  近藤宏司 ,  原田嘉治 ,  山内毅 ,  藤井哲夫

IPC: H05K3/34 ,  H05K1/18 ,  H01L21/56 ,  H01L21/603 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

CPC classification number: H05K3/4632 ,  H01L23/145 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/185 ,  H05K3/0061 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/063 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及具有内置半导体芯片的电路板以及制造该电路板的方法。具体地，本发明提出一种电路板(10)，其包括绝缘构件(20)以及由绝缘构件的热塑性树脂部封装的半导体芯片(50)。布线构件位于绝缘构件中并且电连接半导体芯片的相应侧面上的第一和第二电极(51a-51c)。布线构件包括焊盘(31)、层间连接构件(40)、以及连接部(52)。在第一电极与连接部之间、焊盘与连接部之间、以及第二电极与层间连接构件之间具有扩散层。层间连接构件的至少一种元素具有低于热塑性树脂部的玻璃转化点的熔点。连接部由熔点高于热塑性树脂部的熔点的材料制成。本发明还提出一种制造电路板(10)的方法。

公开(公告)号：CN101542258B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200880000240.4

申请日：2008-02-12

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 田中宏明 ,  藤井哲夫

IPC: H01L27/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L9/0042 ,  Y10T29/49165

Abstract: 一种用于压力介质的压力传感器包括：传感器芯片(3)，其包括半导体衬底(3a)、在衬底上的膜片(3b)和在膜片上的量规电阻器(3c)；覆盖膜片的保护罩(5)；用于容纳芯片、将压力介质引导到所述罩以及将大气引导到衬底的外壳(2)；终端(2c)；布线(4)；以及密封元件(7)。布线的嵌入部分(4a-4c，4e)与量规电阻器相连。布线的连接部分(4d，4f)与嵌入部分和终端相连。嵌入部分由所述罩覆盖以与压力介质隔离。密封元件布置在外壳与衬底之间以使连接部分与压力介质和大气隔离。

公开(公告)号：CN101794708A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010002979.8

申请日：2010-01-15

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 千田厚慈 ,  白木聪 ,  前田幸宏 ,  广濑伸一 ,  藤井哲夫 ,  中野敬志

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/77 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L27/02 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/13 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49551 ,  H01L24/27 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 半导体器件的制造方法包括：准备由SOI基板(30)构成的晶片的工序；在主面表层部形成电路部(LV、HV)的工序；除去SOI基板的支撑基板(29)的工序；以与电路部相对的方式将绝缘构件(3)固定在半导体层(7a)的背面的工序；切割晶片从而使其分割成多个芯片的工序；以与低电位基准电路部(LV)的一部分相对的方式，将第1导电构件(4a、62、64、65)配置在绝缘构件上，以与高电位基准电路部(HV)的一部分相对的方式，将第2导电构件(4b、62、64、65)配置在绝缘构件上的工序；以及，将第1导电构件与低电位基准电路部的第1部分电连接，将第2导电构件与高电位基准电路部的第2部分电连接的工序。

公开(公告)号：CN1967783B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200610148535.9

申请日：2006-11-15

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 田村宗生 ,  藤井哲夫

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/268 ,  H01L21/78 ,  B23K26/04 ,  B23K26/08 ,  B28D5/00

CPC classification number: B23K26/0608 ,  B23K26/0617 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/00

Abstract: 激光加工设备具有能够同时发射具有两个波长(λa和λb)的激光束(La和Lb)的一个激光源(SLa)。激光束(La和1b)在晶片(10)中的聚焦点(Pa和Pb)的深度位置逐渐改变。三组改质区群(Ga1、Gb1、Ga2、Gb2、Ga3、Gb3)即六层改质区群连续形成。改质区群的一组构成两层并且一次形成。改质区群从晶片的表面(10b)开始沿着晶片的预定切割线(K)顺着深度方向彼此分开、邻接或重叠。

公开(公告)号：CN100536108C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200610160324.7

申请日：2006-11-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小邑笃 ,  田村宗生 ,  杉浦和彦 ,  船户祐嗣 ,  丸山友美 ,  藤井哲夫 ,  河野宪司

IPC: H01L21/78 ,  B28D5/00 ,  B23K26/00

Abstract: 一种用于切分半导体基板(21)的方法包括：通过向基板(21)上照射激光束(L)而在基板(21)中形成改质层(K)；沿着分割线(DL)在基板(21)上形成沟槽(22，24，32，34)；向基板(21)施加力，以便在作为分割起始点的改质层(K)处分割基板(21)。沟槽(22，24，32，34)具有预定深度，从而沟槽(22，24，32，34)被布置成靠近改质层(K)，并且所述力在沟槽(22，24，32，34)处产生应力。