公开(公告)号：CN100559576C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200710166889.0

申请日：2007-10-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 葛原刚 ,  小邑笃 ,  坚田满孝 ,  成濑孝好

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/02166 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括衬底(2)、形成在衬底(2)中的元件(10、20、30)、形成在衬底(2)上的层间电介质膜(51、54、57、60)、布线层(52、55、58)和电极焊盘(62)。使布线层(52，55，58)形成为多层，并通过层间电介质膜(51、54、57、60)使其电连接到所述元件(10、20、30)。将电极焊盘(62)电耦合到布线层(52、55、58)的顶部布线层(58)。将顶部布线层(58)配置为兼作设置在电极焊盘(62)之下的电极层的顶部布线-电极层(58)。将顶部布线-电极层(58)的电极层设置在半导体元件(10、20、30)的正上方。使电极焊盘(62)和电极层形成为多层，以形成焊盘结构。

公开(公告)号：CN101170091A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710166889.0

申请日：2007-10-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 葛原刚 ,  小邑笃 ,  坚田满孝 ,  成濑孝好

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/02166 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括衬底(2)、形成在衬底(2)中的元件(10、20、30)、形成在衬底(2)上的层间电介质膜(51、54、57、60)、布线层(52、55、58)和电极焊盘(62)。使布线层(52，55，58)形成为多层，并通过层间电介质膜(51、54、57、60)使其电连接到所述元件(10、20、30)。将电极焊盘(62)电耦合到布线层(52、55、58)的顶部布线层(58)。将顶部布线层(58)配置为兼作设置在电极焊盘(62)之下的电极层的顶部布线-电极层(58)。将顶部布线-电极层(58)的电极层设置在半导体元件(10、20、30)的正上方。使电极焊盘(62)和电极层形成为多层，以形成焊盘结构。

公开(公告)号：CN100536108C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200610160324.7

申请日：2006-11-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小邑笃 ,  田村宗生 ,  杉浦和彦 ,  船户祐嗣 ,  丸山友美 ,  藤井哲夫 ,  河野宪司

IPC: H01L21/78 ,  B28D5/00 ,  B23K26/00

Abstract: 一种用于切分半导体基板(21)的方法包括：通过向基板(21)上照射激光束(L)而在基板(21)中形成改质层(K)；沿着分割线(DL)在基板(21)上形成沟槽(22，24，32，34)；向基板(21)施加力，以便在作为分割起始点的改质层(K)处分割基板(21)。沟槽(22，24，32，34)具有预定深度，从而沟槽(22，24，32，34)被布置成靠近改质层(K)，并且所述力在沟槽(22，24，32，34)处产生应力。

公开(公告)号：CN1967805A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610160324.7

申请日：2006-11-16

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小邑笃 ,  田村宗生 ,  杉浦和彦 ,  船户祐嗣 ,  丸山友美 ,  藤井哲夫 ,  河野宪司

IPC: H01L21/78 ,  B28D5/00 ,  B23K26/00

Abstract: 一种用于切分半导体基板(21)的方法包括：通过向基板(21)上照射激光束(L)而在基板(21)中形成改质层(K)；沿着分割线(DL)在基板(21)上形成沟槽(22，24，32，34)；向基板(21)施加力，以便在作为分割起始点的改质层(K)处分割基板(21)。沟槽(22，24，32，34)具有预定深度，从而沟槽(22，24，32，34)被布置成靠近改质层(K)，并且所述力在沟槽(22，24，32，34)处产生应力。