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公开(公告)号：CN1967815B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200610148540.X
申请日：2006-11-15
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: B23K26/0617 , B23K26/0676 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/172 , B23K2103/50
Abstract: 半导体晶片(10、21)具有两个面，其中一个面为激光入射面。将切割薄片(11、25)附着到晶片的另一个面，以便它被拉伸从而将拉伸应力施加到激光-重整区(R)并利用重整区作为切割起始点使切割发生。在晶片和切割薄片之间提供诸如光散射凸起和凹陷(10c)这样的保护层、光散射部件(11、13)或者光反射部件(25)，以散射和反射穿过晶片的激光。由此，能够切割薄片不被损坏，因为在切割薄片中不形成激光会聚点。
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公开(公告)号：CN100490127C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200610148542.9
申请日：2006-11-15
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/0011
Abstract: 穿过顶表面将激光束施加到晶片的内部，从而在多层改进区组中形成改进区。改进区组层中的一层中的改进区的间隔不同于改进区组层中的另一层中的改进区的间隔，与改进区组层中的所述一层相比改进区组层中的所述另一层更接近于晶片的顶表面。
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公开(公告)号：CN1967783A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610148535.9
申请日：2006-11-15
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/301 , H01L21/268 , H01L21/78 , B23K26/04 , B23K26/08 , B28D5/00
CPC classification number: B23K26/0608 , B23K26/0617 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , B28D5/00
Abstract: 激光加工设备具有能够同时发射具有两个波长(λa和λb)的激光束(La和Lb)的一个激光源(SLa)。激光束(La和1b)在晶片(10)中的聚焦点(Pa和Pb)的深度位置逐渐改变。三组改质区群(Ga1、Gb1、Ga2、Gb2、Ga3、Gb3)即六层改质区群连续形成。改质区群的一组构成两层并且一次形成。改质区群从晶片的表面(10b)开始沿着晶片的预定切割线(K)顺着深度方向彼此分开、邻接或重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1967783B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200610148535.9
申请日：2006-11-15
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/301 , H01L21/268 , H01L21/78 , B23K26/04 , B23K26/08 , B28D5/00
CPC classification number: B23K26/0608 , B23K26/0617 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , B28D5/00
Abstract: 激光加工设备具有能够同时发射具有两个波长(λa和λb)的激光束(La和Lb)的一个激光源(SLa)。激光束(La和1b)在晶片(10)中的聚焦点(Pa和Pb)的深度位置逐渐改变。三组改质区群(Ga1、Gb1、Ga2、Gb2、Ga3、Gb3)即六层改质区群连续形成。改质区群的一组构成两层并且一次形成。改质区群从晶片的表面(10b)开始沿着晶片的预定切割线(K)顺着深度方向彼此分开、邻接或重叠。
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公开(公告)号：CN100536108C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200610160324.7
申请日：2006-11-16
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种用于切分半导体基板(21)的方法包括：通过向基板(21)上照射激光束(L)而在基板(21)中形成改质层(K)；沿着分割线(DL)在基板(21)上形成沟槽(22，24，32，34)；向基板(21)施加力，以便在作为分割起始点的改质层(K)处分割基板(21)。沟槽(22，24，32，34)具有预定深度，从而沟槽(22，24，32，34)被布置成靠近改质层(K)，并且所述力在沟槽(22，24，32，34)处产生应力。
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公开(公告)号：CN1967816A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610148542.9
申请日：2006-11-15
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/0011
Abstract: 穿过顶表面将激光束施加到晶片的内部，从而在多层改进区组中形成改进区。改进区组层中的一层中的改进区的间隔不同于改进区组层中的另一层中的改进区的间隔，与改进区组层中的所述一层相比改进区组层中的所述另一层更接近于晶片的顶表面。
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公开(公告)号：CN1967815A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610148540.X
申请日：2006-11-15
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: B23K26/0617 , B23K26/0676 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/172 , B23K2103/50
Abstract: 半导体晶片(10、21)具有两个面，其中一个面为激光入射面。将切割薄片(11、25)附着到晶片的另一个面，以便它被拉伸从而将拉伸应力施加到激光－重整区(R)并利用重整区作为切割起始点使切割发生。在晶片和切割薄片之间提供诸如光散射凸起和凹陷(10c)这样的保护层、光散射部件(11、13)或者光反射部件(25)，以散射和反射穿过晶片的激光。由此，能够切割薄片不被损坏，因为在切割薄片中不形成激光会聚点。
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公开(公告)号：CN1967805A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610160324.7
申请日：2006-11-16
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种用于切分半导体基板(21)的方法包括：通过向基板(21)上照射激光束(L)而在基板(21)中形成改质层(K)；沿着分割线(DL)在基板(21)上形成沟槽(22，24，32，34)；向基板(21)施加力，以便在作为分割起始点的改质层(K)处分割基板(21)。沟槽(22，24，32，34)具有预定深度，从而沟槽(22，24，32，34)被布置成靠近改质层(K)，并且所述力在沟槽(22，24，32，34)处产生应力。
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