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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1967815B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200610148540.X
申请日：2006-11-15
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: B23K26/0617 , B23K26/0676 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/172 , B23K2103/50
Abstract: 半导体晶片(10、21)具有两个面，其中一个面为激光入射面。将切割薄片(11、25)附着到晶片的另一个面，以便它被拉伸从而将拉伸应力施加到激光-重整区(R)并利用重整区作为切割起始点使切割发生。在晶片和切割薄片之间提供诸如光散射凸起和凹陷(10c)这样的保护层、光散射部件(11、13)或者光反射部件(25)，以散射和反射穿过晶片的激光。由此，能够切割薄片不被损坏，因为在切割薄片中不形成激光会聚点。
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公开(公告)号：CN103359678A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310101438.4
申请日：2013-03-27
Applicant: 株式会社电装
Inventor： 丸山友美
CPC classification number: H01L24/09 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L24/03
Abstract: 半导体器件具有包括感测部分（16）的传感器单元（10）和半导体衬底（63）。半导体衬底（63）通过绝缘膜（64）接合到传感器单元（10），使得感测部分（16）被布置在设置在半导体衬底（63）的凹进部分（66）和传感器单元（10）之间的气密性密封室（70）中。被设置在凹进部分（66）的外缘上的半导体衬底（63）的表面（61）包括在凹进部分（66）的周边处的边界区域（61a）和在边界区域（61a）的外缘上的接合区域（61b）。接合区域（61b）具有比边界区域（61a）的面积大的面积。半导体衬底（63a）的接合区域（61b）通过绝缘膜（64）接合到传感器单元（10）。
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公开(公告)号：CN100536108C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200610160324.7
申请日：2006-11-16
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种用于切分半导体基板(21)的方法包括：通过向基板(21)上照射激光束(L)而在基板(21)中形成改质层(K)；沿着分割线(DL)在基板(21)上形成沟槽(22，24，32，34)；向基板(21)施加力，以便在作为分割起始点的改质层(K)处分割基板(21)。沟槽(22，24，32，34)具有预定深度，从而沟槽(22，24，32，34)被布置成靠近改质层(K)，并且所述力在沟槽(22，24，32，34)处产生应力。
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公开(公告)号：CN1967815A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610148540.X
申请日：2006-11-15
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: B23K26/0617 , B23K26/0676 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/172 , B23K2103/50
Abstract: 半导体晶片(10、21)具有两个面，其中一个面为激光入射面。将切割薄片(11、25)附着到晶片的另一个面，以便它被拉伸从而将拉伸应力施加到激光－重整区(R)并利用重整区作为切割起始点使切割发生。在晶片和切割薄片之间提供诸如光散射凸起和凹陷(10c)这样的保护层、光散射部件(11、13)或者光反射部件(25)，以散射和反射穿过晶片的激光。由此，能够切割薄片不被损坏，因为在切割薄片中不形成激光会聚点。
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公开(公告)号：CN1967805A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610160324.7
申请日：2006-11-16
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 一种用于切分半导体基板(21)的方法包括：通过向基板(21)上照射激光束(L)而在基板(21)中形成改质层(K)；沿着分割线(DL)在基板(21)上形成沟槽(22，24，32，34)；向基板(21)施加力，以便在作为分割起始点的改质层(K)处分割基板(21)。沟槽(22，24，32，34)具有预定深度，从而沟槽(22，24，32，34)被布置成靠近改质层(K)，并且所述力在沟槽(22，24，32，34)处产生应力。
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