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公开(公告)号：CN102347356B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201110211992.9
申请日：2011-07-27
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0629 , H01L27/0635 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/4983 , H01L29/66734 , H01L29/7391 , H01L29/7393 , H01L29/7397 , H01L29/7398 , H01L29/7805 , H01L29/7819 , H01L29/7825 , H01L29/7831 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H02M7/003 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
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公开(公告)号：CN104157685B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201410381270.1
申请日：2011-07-27
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/49 , H01L21/336
Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
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公开(公告)号：CN100530653C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710147106.4
申请日：2007-08-30
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L27/06 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/0727 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/42356 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/7817 , H01L29/7821
Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底(1-3)；设置在衬底(1-3)中的横向MOS晶体管(LTa-LTd)；设置在衬底(1-3)中的齐纳二极管(ZDa-ZDd)；以及设置在衬底(1-3)中的电容器(Ca-Ce)。所述晶体管(LTa-LTd)包括漏极(D)和栅极，并且二极管(ZDa-ZDd)和电容器(Ca-Ce)串联耦合在漏极(D)和栅极之间。该器件具有最小化的尺寸和高开关速度。此外，改善了开关损耗和浪涌电压。
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公开(公告)号：CN101136406A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710147106.4
申请日：2007-08-30
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L27/06 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/0727 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/42356 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/7817 , H01L29/7821
Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底(1－3)；设置在衬底(1－3)中的横向MOS晶体管(LTa－LTd)；设置在衬底(1－3)中的齐纳二极管(ZDa－ZDd)；以及设置在衬底(1－3)中的电容器(Ca－Ce)。所述晶体管(LTa－LTd)包括漏极(D)和栅极，并且二极管(ZDa－ZDd)和电容器(Ca－Ce)串联耦合在漏极(D)和栅极之间。该器件具有最小化的尺寸和高开关速度。此外，改善了开关损耗和浪涌电压。
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公开(公告)号：CN103828054B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201280047129.7
申请日：2012-09-04
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L29/405 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/404 , H01L29/7803 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/7813
Abstract: 半导体元件（9）的元件电极（12、17）设置在单元区（1）中，而电连接到半导体衬底（6）的最外周电极（21）设置在周边区（2）中。在周边区（2）中，第二导电型层（7）设置在超级结结构之上。电位分割区（23）设置在第二导电型层（7）之上，以电连接元件电极（12、17）和最外周电极（21），并还将元件电极（12、17）和最外周电极（21）之间的电压分成多个级。当从半导体衬底（6）的厚度方向看时，电位分割区（23）的一部分与周边区（2）重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104157648B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410381254.2
申请日：2011-07-27
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
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公开(公告)号：CN103828054A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201280047129.7
申请日：2012-09-04
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L29/405 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/404 , H01L29/7803 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/0696 , H01L29/7802
Abstract: 半导体元件（9）的元件电极（12、17）设置在单元区（1）中，而电连接到半导体衬底（6）的最外周电极（21）设置在周边区（2）中。在周边区（2）中，第二导电型层（7）设置在超级结结构之上。电位分割区（23）设置在第二导电型层（7）之上，以电连接元件电极（12、17）和最外周电极（21），并还将元件电极（12、17）和最外周电极（21）之间的电压分成多个级。当从半导体衬底（6）的厚度方向看时，电位分割区（23）的一部分与周边区（2）重叠。
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公开(公告)号：CN102347356A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110211992.9
申请日：2011-07-27
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H02M7/5387
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L27/0629 , H01L27/0635 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/4983 , H01L29/66734 , H01L29/7391 , H01L29/7393 , H01L29/7397 , H01L29/7398 , H01L29/7805 , H01L29/7819 , H01L29/7825 , H01L29/7831 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H02M7/003 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。
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公开(公告)号：CN105789271B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201610320436.8
申请日：2012-09-04
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 半导体元件(9)的元件电极(12、17)设置在单元区(1)中，而电连接到半导体衬底(6)的最外周电极(21)设置在周边区(2)中。在周边区(2)中，第二导电型层(7)设置在超级结结构之上。电位分割区(23)设置在第二导电型层(7)之上，以电连接元件电极(12、17)和最外周电极(21)，并还将元件电极(12、17)和最外周电极(21)之间的电压分成多个级。当从半导体衬底(6)的厚度方向看时，电位分割区(23)的一部分与周边区(2)重叠。
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公开(公告)号：CN105789271A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610320436.8
申请日：2012-09-04
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L29/405 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/404 , H01L29/7803 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/06 , H01L27/04 , H01L29/0611 , H01L29/78
Abstract: 半导体元件(9)的元件电极(12、17)设置在单元区(1)中，而电连接到半导体衬底(6)的最外周电极(21)设置在周边区(2)中。在周边区(2)中，第二导电型层(7)设置在超级结结构之上。电位分割区(23)设置在第二导电型层(7)之上，以电连接元件电极(12、17)和最外周电极(21)，并还将元件电极(12、17)和最外周电极(21)之间的电压分成多个级。当从半导体衬底(6)的厚度方向看时，电位分割区(23)的一部分与周边区(2)重叠。
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