公开(公告)号：CN100444385C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200510129496.3

申请日：2005-12-09

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山内庄一 ,  服部佳晋 ,  冈田京子

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种具有SJ结构的半导体器件，其具有耐压值高于单元区域的耐压值的周边区域。在周边区域(23)的半导体层(22)内形成包含第二导电型杂质的半导体上层(52)和包含第一导电型杂质的半导体下层(23)，其中半导体下层的杂质浓度低于构成单元区域的组合的第一部分区域(25、27)。在所述半导体上层(52)的表面上形成场氧化层(54)。

公开(公告)号：CN1790714A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510129496.3

申请日：2005-12-09

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山内庄一 ,  服部佳晋 ,  冈田京子

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种具有SJ结构的半导体器件，其具有耐压值高于单元区域的耐压值的周边区域。在周边区域(23)的半导体层(22)内形成包含第二导电型杂质的半导体上层(52)和包含第一导电型杂质的半导体下层(23)，其中半导体下层的杂质浓度低于构成单元区域的组合的第一部分区域(25、27)。在所述半导体上层(52)的表面上形成场氧化层(54)。

公开(公告)号：CN100530653C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200710147106.4

申请日：2007-08-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 高桥茂树 ,  中野敬志 ,  赤木望 ,  樋口安史 ,  藤井哲夫 ,  服部佳晋 ,  桑原诚 ,  冈田京子

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7821

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底(1-3)；设置在衬底(1-3)中的横向MOS晶体管(LTa-LTd)；设置在衬底(1-3)中的齐纳二极管(ZDa-ZDd)；以及设置在衬底(1-3)中的电容器(Ca-Ce)。所述晶体管(LTa-LTd)包括漏极(D)和栅极，并且二极管(ZDa-ZDd)和电容器(Ca-Ce)串联耦合在漏极(D)和栅极之间。该器件具有最小化的尺寸和高开关速度。此外，改善了开关损耗和浪涌电压。

公开(公告)号：CN101136406A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710147106.4

申请日：2007-08-30

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 高桥茂树 ,  中野敬志 ,  赤木望 ,  樋口安史 ,  藤井哲夫 ,  服部佳晋 ,  桑原诚 ,  冈田京子

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7821

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底(1－3)；设置在衬底(1－3)中的横向MOS晶体管(LTa－LTd)；设置在衬底(1－3)中的齐纳二极管(ZDa－ZDd)；以及设置在衬底(1－3)中的电容器(Ca－Ce)。所述晶体管(LTa－LTd)包括漏极(D)和栅极，并且二极管(ZDa－ZDd)和电容器(Ca－Ce)串联耦合在漏极(D)和栅极之间。该器件具有最小化的尺寸和高开关速度。此外，改善了开关损耗和浪涌电压。

公开(公告)号：CN100487915C

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200510099425.3

申请日：2005-08-31

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山口仁 ,  牧野友厚 ,  服部佳晋 ,  冈田京子

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体器件包括：中心区域(12)；周边区域(14，26a，26b)；和半导体层(26)，它包括多对具有第一杂质量的第一区域(25、25a、25b)和具有第二杂质量的第二区域(27、27a、27b)。第一和第二区域(25、25a、25b、27、27a、27b)在平面内交替排列。周边区域(14、26a、26b)包括最外周边对以及最内周边对(25a、25b、27a、27b)。最外周边对(25b、27b)在第二杂质量和第一杂质量之间具有差值(126b)，该差值(126b)小于周边区域(14、26a、26b)中的最大差值(126a)。最内周边对(25a、27a)在第二杂质量和第一杂质量之间具有差值(126a)，该差值(126a)大于中心区域(12)中的差值(112)。

公开(公告)号：CN1744329A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510099425.3

申请日：2005-08-31

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 山口仁 ,  牧野友厚 ,  服部佳晋 ,  冈田京子

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体器件包括：中心区域(12)；周边区域(14，26a，26b)；和半导体层(26)，它包括多对具有第一杂质量的第一区域(25、25a、25b)和具有第二杂质量的第二区域(27、27a、27b)。第一和第二区域(25、25a、25b、27、27a、27b)在平面内交替排列。周边区域(14、26a、26b)包括最外周边对以及最内周边对(25a、25b、27a、27b)。最外周边对(25b、27b)在第二杂质量和第一杂质量之间具有差值(126b)，该差值(126b)小于周边区域(14、26a、26b)中的最大差值(126a)。最内周边对(25a、27a)在第二杂质量和第一杂质量之间具有差值(126a)，该差值(126a)大于中心区域(12)中的差值(112)。