公开(公告)号：CN104157685B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201410381270.1

申请日：2011-07-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 西角拓高 ,  山本刚 ,  水野祥司 ,  住友正清 ,  藤井哲夫 ,  榊原纯 ,  山口仁 ,  服部佳晋 ,  田口理惠 ,  桑原诚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。

公开(公告)号：CN102347356B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201110211992.9

申请日：2011-07-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 西角拓高 ,  山本刚 ,  水野祥司 ,  住友正清 ,  藤井哲夫 ,  榊原纯 ,  山口仁 ,  服部佳晋 ,  田口理惠 ,  桑原诚

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7398 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7819 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。

公开(公告)号：CN101465370A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810185653.6

申请日：2008-12-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 利田祐麻 ,  榊原纯 ,  山口仁

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/66734

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一半导体层(1)；具有第一和第二柱层(11a－18a，11b－18b)的PN柱层(11－18)；以及第二半导体层(3)。第一和第二柱层中的每一个都包括沿水平方向交替设置的第一和第二柱(21n，21p)。第一和第二柱层分别具有通过在预定深度从第一柱中的杂质量减去第二柱中的杂质量定义的第一和第二杂质量差异。第一杂质量差异为恒定的正值。第二杂质量差异为恒定的负值。

公开(公告)号：CN104157685A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410381270.1

申请日：2011-07-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 西角拓高 ,  山本刚 ,  水野祥司 ,  住友正清 ,  藤井哲夫 ,  榊原纯 ,  山口仁 ,  服部佳晋 ,  田口理惠 ,  桑原诚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/407 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7819 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。

公开(公告)号：CN104157648A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410381254.2

申请日：2011-07-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 西角拓高 ,  山本刚 ,  水野祥司 ,  住友正清 ,  藤井哲夫 ,  榊原纯 ,  山口仁 ,  服部佳晋 ,  田口理惠 ,  桑原诚

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06

Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。

公开(公告)号：CN104157648B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410381254.2

申请日：2011-07-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 西角拓高 ,  山本刚 ,  水野祥司 ,  住友正清 ,  藤井哲夫 ,  榊原纯 ,  山口仁 ,  服部佳晋 ,  田口理惠 ,  桑原诚

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06

Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。

公开(公告)号：CN102347356A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110211992.9

申请日：2011-07-27

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 西角拓高 ,  山本刚 ,  水野祥司 ,  住友正清 ,  藤井哲夫 ,  榊原纯 ,  山口仁 ,  服部佳晋 ,  田口理惠 ,  桑原诚

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H02M7/5387

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7398 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7819 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。

公开(公告)号：CN101465370B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200810185653.6

申请日：2008-12-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 利田祐麻 ,  榊原纯 ,  山口仁

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/66734

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一半导体层(1)；具有第一和第二柱层(11a-18a，11b-18b)的PN柱层(11-18)；以及第二半导体层(3)。第一和第二柱层中的每一个都包括沿水平方向交替设置的第一和第二柱(21n，21p)。第一和第二柱层分别具有通过在预定深度从第一柱中的杂质量减去第二柱中的杂质量定义的第一和第二杂质量差异。第一杂质量差异为恒定的正值。第二杂质量差异为恒定的负值。