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公开(公告)号：CN100432645C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610005464.7
申请日：2006-01-17
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01L9/04
Abstract: 一种制备压力传感器的方法，包括如下步骤：制备半导体基底(21)；在基底(21)上形成绝缘膜(22)；在绝缘膜(22)上形成第一金属膜(23)；在第一金属膜(23)和绝缘膜(22)上形成第一保护膜(25)；在第一金属膜(23)和第一保护膜(25)上形成第二保护膜(26)；在第二保护膜(26)上进行附着力减小处理，附着力是在第二保护膜(26)和第二金属膜(24，27-29)之间；在第一金属膜(23)以及第一保护膜(25)上形成第二金属膜(24，27-29)；以及去除一部分第二金属膜(24，27-29)。
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公开(公告)号：CN1287134C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200410007486.8
申请日：2004-03-05
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01L1/22
CPC classification number: G01L1/2281 , G01L9/0054 , G01L9/065
Abstract: 一种半导体压力传感器包括：半导体衬底(10)，该衬底具有用于接受压力的隔膜(30)和用于检测对应该压力的隔膜(30)的变形的桥电路。该桥电路包括一对第一测量电阻器(41、44)和一对第二测量电阻器(42a、43a)。第一测量电阻器(41、44)设置在隔膜(30)的中心，第二测量电阻器(42a、43a)设置在隔膜(30)的周边。每个第一测量电阻器(41、44)的第一电阻(RA、RD)大于每个第二测量电阻器(42a、43a)的第二电阻(RB1、RC1)。提高了该传感器的TNO特性，因此该传感器具有高检测精度。
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公开(公告)号：CN1527039A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410007486.8
申请日：2004-03-05
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01L1/22
CPC classification number: G01L1/2281 , G01L9/0054 , G01L9/065
Abstract: 一种半导体压力传感器包括：半导体衬底(10)，该衬底具有用于接受压力的隔膜(30)和用于检测对应该压力的隔膜(30)的变形的桥电路。该桥电路包括一对第一测量电阻器(41、44)和一对第二测量电阻器(42a、43a)。第一测量电阻器(41、44)设置在隔膜(30)的中心，第二测量电阻器(42a、43a)设置在隔膜(30)的周边。每个第一测量电阻器(41、44)的第一电阻(RA、RD)大于每个第二测量电阻器(42a、43a)的第二电阻(RB1、RC1)。提高了该传感器的TNO特性，因此该传感器具有高检测精度。
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公开(公告)号：CN101542258B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200880000240.4
申请日：2008-02-12
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: G01L9/0042 , Y10T29/49165
Abstract: 一种用于压力介质的压力传感器包括：传感器芯片(3)，其包括半导体衬底(3a)、在衬底上的膜片(3b)和在膜片上的量规电阻器(3c)；覆盖膜片的保护罩(5)；用于容纳芯片、将压力介质引导到所述罩以及将大气引导到衬底的外壳(2)；终端(2c)；布线(4)；以及密封元件(7)。布线的嵌入部分(4a-4c，4e)与量规电阻器相连。布线的连接部分(4d，4f)与嵌入部分和终端相连。嵌入部分由所述罩覆盖以与压力介质隔离。密封元件布置在外壳与衬底之间以使连接部分与压力介质和大气隔离。
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公开(公告)号：CN100527372C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200380100334.6
申请日：2003-12-24
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/60 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L29/84 , C23C18/16
CPC classification number: G01L19/147 , B81B7/0012 , B81B2207/07 , G01F1/34 , G01F1/692 , G01F15/006 , G01L19/0645 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05558 , H01L2224/05644 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/48475 , H01L2224/48644 , H01L2224/48699 , H01L2224/48744 , H01L2224/48799 , H01L2224/48844 , H01L2224/73265 , H01L2224/85051 , H01L2224/8592 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15788 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
Abstract: 一种电镀半导体晶片同时维持所镀薄膜厚度均匀的方法，防止在晶片背面淀积并且防止在后续步骤中污染。在半导体晶片的铝电极上间接形成连接端子，在晶片背面由绝缘体覆盖的情况下进行非电解地电镀。优选的是，所述绝缘体是作为构成产品一部分的玻璃衬底。半导体型传感器展现了对腐蚀介质提高了的耐腐蚀性。在半导体衬底上，所述半导体型传感器具有用于检测腐蚀介质的物理量或者化学成分的结构部分以及电量转换元件，并且具有多个焊点，所述焊点是用于向外部单元发送检测到的电信号的输出端子，其中所述焊点利用贵重金属保护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1692484A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100334.6
申请日：2003-12-24
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/60 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L29/84 , C23C18/16
CPC classification number: G01L19/147 , B81B7/0012 , B81B2207/07 , G01F1/34 , G01F1/692 , G01F15/006 , G01L19/0645 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05558 , H01L2224/05644 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/48475 , H01L2224/48644 , H01L2224/48699 , H01L2224/48744 , H01L2224/48799 , H01L2224/48844 , H01L2224/73265 , H01L2224/85051 , H01L2224/8592 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15788 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
Abstract: 一种电镀半导体晶片同时维持所镀薄膜厚度均匀的方法，防止在晶片背面淀积并且防止在后续步骤中污染。在半导体晶片的铝电极上间接形成连接端子，在晶片背面由绝缘体覆盖的情况下进行非电解地电镀。优选的是，所述绝缘体是作为构成产品一部分的玻璃衬底。半导体型传感器展现了对腐蚀介质提高了的耐腐蚀性。在半导体衬底上，所述半导体型传感器具有用于检测腐蚀介质的物理量或者化学成分的结构部分以及电量转换元件，并且具有多个焊点，所述焊点是用于向外部单元发送检测到的电信号的输出端子，其中所述焊点利用贵重金属保护。
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公开(公告)号：CN101542258A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000240.4
申请日：2008-02-12
Applicant: 株式会社电装
IPC: G01L9/00
CPC classification number: G01L9/0042 , Y10T29/49165
Abstract: 一种用于压力介质的压力传感器包括：传感器芯片(3)，其包括半导体衬底(3a)、在衬底上的膜片(3b)和在膜片上的量规电阻器(3c)；覆盖膜片的保护罩(5)；用于容纳芯片、将压力介质引导到所述罩以及将大气引导到衬底的外壳(2)；终端(2c)；布线(4)；以及密封元件(7)。布线的嵌入部分(4a－4c，4e)与量规电阻器相连。布线的连接部分(4d，4f)与嵌入部分和终端相连。嵌入部分由所述罩覆盖以与压力介质隔离。密封元件布置在外壳与衬底之间以使连接部分与压力介质和大气隔离。
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公开(公告)号：CN101145532A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710166820.8
申请日：2003-12-24
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: G01L19/147 , B81B7/0012 , B81B2207/07 , G01F1/34 , G01F1/692 , G01F15/006 , G01L19/0645 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05558 , H01L2224/05644 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/48475 , H01L2224/48644 , H01L2224/48699 , H01L2224/48744 , H01L2224/48799 , H01L2224/48844 , H01L2224/73265 , H01L2224/85051 , H01L2224/8592 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15788 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
Abstract: 一种电镀半导体晶片同时维持所镀薄膜厚度均匀的方法，防止在晶片背面淀积并且防止在后续步骤中污染。在半导体晶片的铝电极上间接形成连接端子，在晶片背面由绝缘体覆盖的情况下进行非电解地电镀。优选的是，所述绝缘体是作为构成产品一部分的玻璃衬底。半导体型传感器展现了对腐蚀介质提高了的耐腐蚀性。在半导体衬底上，所述半导体型传感器具有用于检测腐蚀介质的物理量或者化学成分的结构部分以及电量转换元件，并且具有多个焊点，所述焊点是用于向外部单元发送检测到的电信号的输出端子，其中所述焊点利用贵重金属保护。
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公开(公告)号：CN1308663C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200510006285.0
申请日：2005-02-02
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: G01L1/18 , G01L9/0042 , G01L9/0058 , G01L23/18 , G01L23/22
Abstract: 本发明涉及一种压力传感器，包括：壳体(11)；具有测量仪电阻器(5)的传感器芯片(1)；设置在所述测量仪电阻器(5)上的凸起部(2)；能够随压力变形的金属隔膜(17)；以及设置在所述金属隔膜(17)与所述凸起部(2)之间的载荷传输部件(18)。壳体(11)容纳传感器芯片(1)、凸起部(2)和载荷传输部件(18)。壳体(11)由金属隔膜(17)覆盖。以这样一种方式检测施加于隔膜(17)的压力，即，与压力相对应的载荷通过金属隔膜(17)、载荷传输部件(18)和凸起部(2)被施加到测量仪电阻器(5)，从而根据测量仪电阻器(5)的电阻变化测量压力。测量仪电阻器(5)大于凸起部(2)。
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公开(公告)号：CN101145532B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710166820.8
申请日：2003-12-24
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: G01L19/147 , B81B7/0012 , B81B2207/07 , G01F1/34 , G01F1/692 , G01F15/006 , G01L19/0645 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05558 , H01L2224/05644 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/48475 , H01L2224/48644 , H01L2224/48699 , H01L2224/48744 , H01L2224/48799 , H01L2224/48844 , H01L2224/73265 , H01L2224/85051 , H01L2224/8592 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15788 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
Abstract: 一种电镀半导体晶片同时维持所镀薄膜厚度均匀的方法，防止在晶片背面淀积并且防止在后续步骤中污染。在半导体晶片的铝电极上间接形成连接端子，在晶片背面由绝缘体覆盖的情况下进行非电解地电镀。优选的是，所述绝缘体是作为构成产品一部分的玻璃衬底。半导体型传感器展现了对腐蚀介质提高了的耐腐蚀性。在半导体衬底上，所述半导体型传感器具有用于检测腐蚀介质的物理量或者化学成分的结构部分以及电量转换元件，并且具有多个焊点，所述焊点是用于向外部单元发送检测到的电信号的输出端子，其中所述焊点利用贵重金属保护。
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