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公开(公告)号：CN101540627B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200910128016.X
申请日：2009-03-17
Applicant: 株式会社电装 , 株式会社日本自动车部品综合研究所
Abstract: 本发明涉及包括阻抗控制电路的接收装置和半导体装置。一种接收装置(1，15)包括接收电路(2，16)和阻抗控制电路(4，17)。接收电路(2，16)接收通过通信线路(3，12)传输的信号。阻抗控制电路(4，17)与接收电路(2，16)耦合并具有检测部分(5，18a，18b)。该检测部分(5，18a，18b)检测信号的物理值，该物理值包括电压、电流和电功率中的至少一种。该阻抗控制电路(4，17)基于该检测值改变输入阻抗，以便减小该信号的振铃振荡。
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公开(公告)号：CN100559589C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200710078983.0
申请日：2007-02-16
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L27/06
CPC classification number: H01L27/0611 , H01L29/7395 , H01L29/8611
Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底(1)；IGBT区(IGBTREGION)，其包括位于衬底(1)的第一表面上并提供沟道形成区的第一区(2)，以及位于衬底(1)的第二表面上并提供集电极的第二区(3)；二极管区(DIODE REGION)，其包括位于第一表面上并提供阳极或阴极的第三区(4)和位于第二表面上并提供阳极或阴极的第四区(5)；外围区(PERIPERY REGION)，其包括位于第一表面上的第五区(6，6b-6g)和位于第二表面上的第六区(7a、7b)。第一、第三和第五区(2、4、6、6B-6g)共同且电气耦合，并且第二、第四和第六区(3、5、7a、7b)共同并电气地相互耦合。
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公开(公告)号：CN101540627A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910128016.X
申请日：2009-03-17
Applicant: 株式会社电装 , 株式会社日本自动车部品综合研究所
Abstract: 本发明涉及包括阻抗控制电路的接收装置和半导体装置。一种接收装置(1，15)包括接收电路(2，16)和阻抗控制电路(4，17)。接收电路(2，16)接收通过通信线路(3，12)传输的信号。阻抗控制电路(4，17)与接收电路(2，16)耦合并具有检测部分(5，18a，18b)。该检测部分(5，18a，18b)检测信号的物理值，该物理值包括电压、电流和电功率中的至少一种。该阻抗控制电路(4，17)基于该检测值改变输入阻抗，以便减小该信号的振铃振荡。
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公开(公告)号：CN100490172C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200610077712.9
申请日：2006-04-26
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/41
Abstract: 一种沟槽栅型半导体装置包括：第一半导体层(1，21)；在第一半导体层(1，21)上的第二半导体层(2)；在第二半导体层(2)上的第三半导体层(3)；在第三半导体层(3)的表面部分的一部分中的第四半导体层(4)；穿过第四半导体层(4)和第三半导体层(3)并到达第二半导体层(2)的沟槽(5)；在沟槽(5)的内壁上的栅极绝缘薄膜(6)；在沟槽(5)中栅极绝缘薄膜(6)上的栅电极(7)；第一电极(8)；以及第二电极(9)。沟槽(5)包括具有弯曲表面的底部(5a)，弯曲表面的曲率半径等于或小于0.5μm。
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公开(公告)号：CN101197368B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200710196466.3
申请日：2007-12-05
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L27/04 , H01L27/06 , H01L21/822
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 通过以下节省成本的方式制造一种具有在一个半导体衬底(20)上具有多个有源元件(31-33、41-43)和无源元件(51、52)的半导体器件(100)，即使当所述有源和无源元件包括双侧电极元件(41-43、51、52)也是如此。当将半导体衬底划分为多个场区域(F1-F8)时，穿透半导体衬底的绝缘隔离沟槽(T)包围每一个场区域，以及多个有源元件或多个无源元件中的任意一方的每一个。此外，多个元件中的每一个具有一对分别设置在半导体衬底的两侧(S1、S2)中的每一侧上的用于电源的功率电极(dr1、dr2)，用作双侧电极元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1332442C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200410103832.2
申请日：2004-11-19
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/34 , H01L23/4334 , H01L23/4824 , H01L23/492 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/2076 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
Abstract: 半导体装置由半导体元件(12)、一对上下散热片(13、14)和散热块(15)构成。散热块(15)具有小于半导体元件(12)的平面形状。半导体元件(12)具有面向散热块(15)的发热部(19)。发热部(19)具有外周缘，发热部(19)的外周缘与散热块(15)的外周缘的距离(d)在1.0mm以下。
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公开(公告)号：CN101197368A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710196466.3
申请日：2007-12-05
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L27/04 , H01L27/06 , H01L21/822
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 通过以下节省成本的方式制造一种具有在一个半导体衬底(20)上具有多个有源元件(31－33、41－43)和无源元件(51、52)的半导体器件(100)，即使当所述有源和无源元件包括双侧电极元件(41－43、51、52)也是如此。当将半导体衬底划分为多个场区域(F1－F8)时，穿透半导体衬底的绝缘隔离沟槽(T)包围每一个场区域，以及多个有源元件或多个无源元件中的任意一方的每一个。此外，多个元件中的每一个具有一对分别设置在半导体衬底的两侧(S1、S2)中的每一侧上的用于电源的功率电极(dr1、dr2)，用作双侧电极元件。
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公开(公告)号：CN101026161A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710078983.0
申请日：2007-02-16
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L27/06
CPC classification number: H01L27/0611 , H01L29/7395 , H01L29/8611
Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底(1)；IGBT区(IGBTREGION)，其包括位于衬底(1)的第一表面上并提供沟道形成区的第一区(2)，以及位于衬底(1)的第二表面上并提供集电极的第二区(3)；二极管区(DIODE REGION)，其包括位于第一表面上并提供阳极或阴极的第三区(4)和位于第二表面上并提供阳极或阴极的第四区(5)；外围区(PERIPERY REGION)，其包括位于第一表面上的第五区(6，6b－6g)和位于第二表面上的第六区(7a、7b)。第一、第三和第五区(2、4、6、6B－6g)共同且电气耦合，并且第二、第四和第六区(3、5、7a、7b)共同并电气地相互耦合。
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公开(公告)号：CN1855534A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610077712.9
申请日：2006-04-26
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/41
Abstract: 一种沟槽栅型半导体装置包括：第一半导体层(1，21)；在第一半导体层(1，21)上的第二半导体层(2)；在第二半导体层(2)上的第三半导体层(3)；在第三半导体层(3)的表面部分的一部分中的第四半导体层(4)；穿过第四半导体层(4)和第三半导体层(3)并到达第二半导体层(2)的沟槽(5)；在沟槽(5)的内壁上的栅极绝缘薄膜(6)；在沟槽(5)中栅极绝缘薄膜(6)上的栅电极(7)；第一电极(8)；以及第二电极(9)。沟槽(5)包括具有弯曲表面的底部(5a)，弯曲表面的曲率半径等于或小于0.5μm。
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公开(公告)号：CN1619799A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410103832.2
申请日：2004-11-19
Applicant: 株式会社电装
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/34 , H01L23/4334 , H01L23/4824 , H01L23/492 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4847 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/2076 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
Abstract: 半导体装置由半导体元件(12)、一对上下散热片(13、14)和散热块(15)构成。散热块(15)具有小于半导体元件(12)的平面形状。半导体元件(12)具有面向散热块(15)的发热部(19)。发热部(19)具有外周缘，发热部(19)的外周缘与散热块(15)的外周缘的距离(d)在1.0mm以下。
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